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MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算

資 源 簡 介

MOS關(guān)模型

Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是耗盡區(qū)電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結(jié)電容,也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。

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