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激光測(cè)距芯片

  • CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

    為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì),整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì),并在一款多功能數(shù)字芯片上使用,版圖面積為1 mm×1 mm,并參與MPW(多項(xiàng)目晶圓)計(jì)劃流片,流片測(cè)試結(jié)果表明,在輸出負(fù)載很大時(shí),本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 多功能 數(shù)字芯片

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶:小鵬

  • 74系列芯片手冊(cè)大全

    74系列芯片總匯

    標(biāo)簽: 74系列 芯片手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:blacklee

  • 混合信號(hào)芯片STA400芯片手冊(cè)

    支持IEEE1149.4標(biāo)準(zhǔn)的芯片資料

    標(biāo)簽: STA 400 混合信號(hào) 芯片

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:dianxin61

  • 各種集成芯片的封裝尺寸

    各種集成芯片的封裝尺寸,學(xué)習(xí)PCB的必備材料

    標(biāo)簽: 集成芯片 封裝尺寸

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:zczc

  • 芯片封裝方式詳解

    最全的芯片封裝方式(圖文對(duì)照)

    標(biāo)簽: 芯片封裝 方式

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:sssnaxie

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • IR2110驅(qū)動(dòng)芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

     IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT,只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng),通過(guò)dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)和逆變的功能,同時(shí)只需要提供3.3 V,12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作,在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。

    標(biāo)簽: 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路

    上傳時(shí)間: 2014-01-05

    上傳用戶:tom_man2008

  • M3KK升壓ic芯片

    M3KK升壓芯片。

    標(biāo)簽: M3KK 升壓 芯片

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:nanfeicui

  • USB充電控制芯片__FTS198

    USB充電自動(dòng)識(shí)別芯片,支持Apple手機(jī),電流可達(dá)2A。

    標(biāo)簽: USB FTS 198 充電控制

    上傳時(shí)間: 2013-11-25

    上傳用戶:dancnc

  • 30V 3A車充IC CX8505單芯片同步降壓穩(wěn)壓器

    CX8505是一款單芯片同步降壓穩(wěn)壓器,在輸入電壓范圍內(nèi)可以持續(xù)提供3A的負(fù)載電流,具有軟啟動(dòng),低壓保護(hù),過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等功能,待機(jī)模式下僅為0.03毫安 最具高性價(jià)比的車載充電器方案

    標(biāo)簽: 8505 30V CX 單芯片

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:zhuyibin

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