隨著電信業(yè)的迅猛發(fā)展，電信網(wǎng)絡(luò)總體規(guī)模不斷擴大，網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜先進。作為通訊支撐系統(tǒng)的通訊用基礎(chǔ)電源系統(tǒng)，市場需求逐年增加，其動力之源的重要性也日益突出。龐大的電信網(wǎng)絡(luò)高效、安全、有序的正常運行，對通信電源系統(tǒng)的品質(zhì)提出了越來越嚴格的要求，推動了通信電源向著高效率、高頻化、模塊化、數(shù)字化方向發(fā)展。 本文在廣泛了解通信電源的行業(yè)現(xiàn)狀和研究熱點的基礎(chǔ)上，深入研究了開關(guān)電源的基本原理及相關(guān)技術(shù)，重點分析了開關(guān)電源功率因數(shù)技術(shù)及移相全橋軟開關(guān)PWM技術(shù)的基本原理，并在這基礎(chǔ)上設(shè)計了一款通信機房常用的48V/25A的通信電源模塊，該電源模塊由功率因數(shù)校正和DC/DC變換兩級電路組成，采用了一些最新的技術(shù)來提高電源的性能。例如，在電路拓撲中引入軟開關(guān)技術(shù)，通過采用移相全橋軟開關(guān)PWM變換器實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開通，減小功率器件損耗，提高電源效率；采用高性能的DSP芯片對電源實現(xiàn)數(shù)字PWM控制，克服了一般單芯片控制器由于運行頻率有限，無法產(chǎn)生足夠高頻率和精度的PWM輸出及無法完成單周期控制的缺陷；引入了智能控制技術(shù)，以模糊自適應(yīng)PID控制算法取代傳統(tǒng)的PID算法，提高了開關(guān)電源的動態(tài)性能。 整篇論文以電源設(shè)計為主線，在詳細分析電路原理的基礎(chǔ)上，進行系統(tǒng)的主電路參數(shù)設(shè)計、輔助電路設(shè)計、控制回路設(shè)計、仿真研究、軟件實現(xiàn)。
上傳時間： 2013-05-26
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近年來在運動控制領(lǐng)域三電平中壓變頻器的開發(fā)研究得到了廣泛關(guān)注，三電平逆變器使得電壓型逆變器的大容量化、高性能化成為可能，研究和開發(fā)三電平逆變器，無論在技術(shù)上還是在實際應(yīng)用上都有十分重要的意義。 本文首先論述了三電平逆變器的原理，詳細分析了一種控制策略—空間電壓矢量法，給出PWM波的計算公式和開關(guān)動作次序，并仿真出波形。 其次闡述了三電平逆變器的主電路構(gòu)成、功率器件MOSFET的驅(qū)動技術(shù)和基于DSP2407A控制系統(tǒng)硬件電路設(shè)計，并據(jù)此設(shè)計出了一套小容量三電平逆交器實驗裝置。 最后介紹了三電平空間電壓矢量控制算法的實現(xiàn)和軟件設(shè)計，給出了實驗裝置的運行結(jié)果，并分析了設(shè)計中存在的問題。
上傳時間： 2013-04-24
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間： 2014-12-01
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主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結(jié)合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應(yīng)用，給出了的設(shè)計實例。ADS仿真結(jié)果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設(shè)計預(yù)期。
上傳時間： 2014-02-10
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敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發(fā)展現(xiàn)狀。
上傳時間： 2013-11-17
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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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本應(yīng)用筆記詳細記載了關(guān)于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應(yīng)用，SiC器件的優(yōu)勢和使用上的注意點，從初次接觸SiC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應(yīng)用和幫助
上傳時間： 2022-02-08
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硬件工程師 電子工程師必備知識手冊關(guān)鍵字： 電阻 基礎(chǔ)知識 線繞電阻器 薄膜電阻器 實心電阻器 電阻 導(dǎo)電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號 R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分：序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以
上傳時間： 2022-02-17
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源的體積越來越小、質(zhì)量越來越輕、效率越來越高、可靠性也越來越優(yōu)良，被廣泛地運用到了生活中的各個方面。DcDC開關(guān)電源是開關(guān)電源中非常常用的一種形式，因此，對DCDC開關(guān)電源的拓撲結(jié)構(gòu)、反饋電路等相關(guān)知識的研究成為了理解開關(guān)電源的重要環(huán)節(jié)。論文分析了推挽式DCDC開關(guān)電源的工作原理、效率和優(yōu)缺點，設(shè)計了一款輸出恒定的推挽式DCDC開關(guān)電源。論文以T公司的高速PwM控制器Uc3825為核心，給出了DCDC開關(guān)電源的結(jié)構(gòu)框圖，詳細設(shè)計了控制器、推挽式驅(qū)動、整流濾波、反饋控制等電路，討論了變壓器、開關(guān)管、整流二極管等選型問題。通過對推挽式DCDC開關(guān)電源樣機的測試，結(jié)果表明，在輸出功率為100W到30W時，論文設(shè)計的樣機的轉(zhuǎn)換效率可以達到85%以上。開關(guān)電源就是通過特定的電路，控制開關(guān)管的導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間，以達到輸出恒定的直流電壓的設(shè)備。隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，開關(guān)電源涉及到的相關(guān)技術(shù)也越來越成熟，使得開關(guān)電源成為了電子設(shè)備中不可或缺的一種供電方式開關(guān)電源最早源于二十世紀(jì)五十年代的美國，當(dāng)時，美國為了設(shè)計特殊需求的軍用電源，提出了小型、輕量的目標(biāo)，自此開始，開關(guān)電源由于其比傳統(tǒng)的線性電源擁有的優(yōu)點而廣泛地運用到電子、電氣設(shè)備、計算機電源、通信設(shè)備等領(lǐng)經(jīng)過幾十年的不斷進步，開關(guān)電源在諸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技術(shù)的進步使得開關(guān)電源能向著高頻化、大功率的方向發(fā)展。軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，可以大大提升開關(guān)電源的效率，為高頻開關(guān)電源的實現(xiàn)提供了可能。平面變壓器和平面電感技術(shù)的發(fā)展使開關(guān)電源的效率可以進一步得到提升，體積也可以大大地減小。有源功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展，使開關(guān)電源的功率因數(shù)得到了很大地提升，既解決了由電路中的非線性負載產(chǎn)生的諧波失真，又提高了開關(guān)電源的整機效率
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時間： 2022-03-10
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本文對PWM全橋軟開關(guān)直流變換器進行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開關(guān)直流變換器的工作原理和軟開關(guān)的實現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問題給予分析并對兩種改進方案進行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)的改進型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過對其開關(guān)過程的分析，得出實現(xiàn)全負載范圍內(nèi)零電壓開關(guān)的條件。采用改進方案設(shè)計了一臺48V~6 VDC/DC變換器，實驗結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進行實驗研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機驅(qū)動控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無功補償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價格比，但采用傳統(tǒng)的硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗將隨著開關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開關(guān)的高頻化提高功率開關(guān)器件本身的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開關(guān)器件的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無損緩沖技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)等軟開關(guān)技術(shù)在減少功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開關(guān)損耗減少為零。12軟開關(guān)技術(shù)的原理和類型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來實現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開關(guān)技術(shù)在每次開關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負載電流，或者功率器件兩端電壓在開通時通過開關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力，使開關(guān)頻率不能做得很高。軟開關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時先使功率開關(guān)器件中電流下降到零，實現(xiàn)功率開關(guān)器件的零損耗開通和關(guān)斷，并且減少開關(guān)應(yīng)力。
標(biāo)簽： 移相全橋
上傳時間： 2022-03-29
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