作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ，其 中 結 型 柵 結 構 （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ，業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。
上傳時間： 2021-12-08
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近年來，igbt功率器件在電機控制、開關電源和變流設備等領域的應用已經非常廣泛。igbt的驅動包括專門的驅動電路，以及過流保護電路等。本文設計參考了三菱、西門康等公司生產的igbt驅動模塊，加入了接口選擇模塊、功能選擇模塊、電源模塊、功率補充模塊等，實現了整個驅動電路的模塊化設計。單個模塊可以驅動一個橋臂的上下兩個igbt。可以通過方波控制或者spwm控制[1]等控制方式，驅動單相或者三相逆變器。
上傳時間： 2013-04-24
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西安誼邦電子 公司引進美國的先進半導體測試技術，在此基礎上研制生產了YB6000系列半導體分立器件測試系統，該測試系統擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術特點，各項技術指標均達到國際領先水平。其雄厚的技術實力，多年的開發產品經驗和獨特嚴謹的設計方案使誼邦電子YB系列測試系統性能更加超群，品質更為可靠穩定。誼邦電子研發技術涉及高端集成電路測試、半導體分立器件測試和各種客戶產品測試等領域。產品主要應用于軍工、汽車、飛機、船舶制造、能源等行業領域。 西安誼邦憑借較強的技術實力和完善的科學管理，能夠給用戶提供完善的售前售后技術支持。科技創新、服務無限，是我們工作的宗旨。
上傳時間： 2013-10-30
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本書介紹了功率半導體器件的原理、 結構、 特性和可靠性技術， 器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測試技術和損壞機理分析。 就其內容的全面性和結構的完整性來說， 在同類專業書籍中是不多見的。本書內容新穎， 緊跟時代發展， 除了介紹經典的功率二極管、 晶閘管外， 還重點介紹了MOSFET、 IGBT 等現代功率器件， 頗為難得的是收入了近年來有關功率半導體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著， 并根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書， 相信它的翻譯出版， 必將有助于我國電力電子事業的發展。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2021-11-07
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半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
上傳時間： 2022-01-03
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功率半導體器件與應用，是一本很好的書籍。從事功率器件，IGBT/MOSFET驅動技術開發工作，會有很大幫助。
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2022-01-31
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功率器件領域的經典著作，值得品讀和學習，緊跟時代Fundamentals of Power Semiconductor Devices
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2022-06-17
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度，縮短開發時間，節省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動，同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標簽： 門極驅動
上傳時間： 2022-07-16
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多電平逆變器中每個功率器件承受的電壓相對較低，因此可以用低耐壓功率器件實現高壓大容量逆變器，且采用多電平變換技術可以顯著提高逆變器輸出電壓的質量指標。因此，隨著功率器件的不斷發展，采用多電平變換技術將成為實現高壓大容量逆變器的重要途徑和方法。本文選取其中一種極具優勢的多電平拓撲結構一級聯多電平變頻器作為研究對象，完成了其拓撲結構、控制策略及測控系統的設計。 @@ 首先，對多電平變頻器的研究意義，國內外現狀進行了分析，比較了三種成熟拓撲結構的特點，得出了級聯型多電平變頻器的優點，從而將其作為研究對象。對比分析了四種調制策略，確定載波移相二重化的調制方法和恒壓頻比的控制策略，進行數學分析和理論仿真，得出了選擇的正確性及可行性。并指出了級聯單元個數與載波移相角的關系和調制比對輸出電壓的影響；完成了級聯變頻器數學模型的建立和死區效應的分析。 @@ 其次，完成了相關硬件的設計，包括DSP、CPLD、IPM的選型，系統電源的設計、檢測(轉速、電流、電壓、故障)電路的設計、通信電路的設計等。用Labwindows/CVI實現了上位機界面的編寫，實現了開關機、設定轉速、通信配置、電壓電流轉速檢測、電流軟件濾波、諧波分析。編寫了下位機DSP的串口通信、AD轉換、轉速檢測(QEP)以及部分控制程序。 @@ 最后，在實驗臺上完成硬件和軟件的調試，成功的實現了變頻器載波移相SPWM的多電平輸出，并驅動異步電機進行了空載變頻試驗，測控界面能準確的與下位機進行通信，快捷的給定各種控制命令，并能實時的顯示變頻器的輸出頻率、輸出電壓和輸出電流，為實驗調試增加了方便性，提高了工作效率。 @@關鍵詞：級聯多電平逆變器；載波移相；IPM；DSP；Labwindows/CVI；測控界面
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：米卡
