protel的常用器件庫(kù)\r\n protel的常用器件庫(kù)\r\nprotel的常用器件庫(kù)
上傳時(shí)間: 2013-09-19
上傳用戶:奔跑的雪糕
針對(duì)目前艦艇系統(tǒng)通用數(shù)據(jù)采集需要,設(shè)計(jì)了一種基于DSP的協(xié)議轉(zhuǎn)換器??朔四壳坝捎谂炌ё鲬?zhàn)系統(tǒng)使用接口協(xié)議多樣而造成通用性差的問題。通過在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下的組建數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)并進(jìn)行性能測(cè)試,證明該協(xié)議轉(zhuǎn)換器能滿足現(xiàn)階段艦艇多接口數(shù)據(jù)采集的要求,新研制或改進(jìn)的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)能滿足高度通用化的需要。
標(biāo)簽: 艦艇 協(xié)議轉(zhuǎn)換器 測(cè)試 通用數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2013-10-28
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艦船電力系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)重構(gòu)可以看作為一個(gè)多目標(biāo)、多約束、多時(shí)段、離散化的非線性規(guī)劃最優(yōu)問題。根據(jù)艦船電力系統(tǒng)特點(diǎn),提出了一種改進(jìn)的粒子群優(yōu)化算法。在傳統(tǒng)粒子群算法的基礎(chǔ)上,運(yùn)用混沌優(yōu)化理論進(jìn)行初始化粒子的初始種群,提升初始解質(zhì)量;同時(shí),引進(jìn)遺傳操作以改進(jìn)粒子群算法易陷入局部極值的缺點(diǎn)。通過對(duì)典型的模型仿真表明,該算法具有更好的尋優(yōu)性能,并且有效地提高了故障恢復(fù)的速度與精度。
標(biāo)簽: 粒子群算法 電力系統(tǒng) 艦船 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間: 2014-12-23
上傳用戶:AbuGe
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對(duì)于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對(duì)于一個(gè)PN結(jié),耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間: 2013-11-11
上傳用戶:小眼睛LSL
徹底解決99在以往不能完全漢化的問題,全面實(shí)現(xiàn)漢化,具體到每個(gè)對(duì)話框和工作表,對(duì)初學(xué)者和英文不好的用戶非常實(shí)用,也非常簡(jiǎn)單! 用過的,麻煩頂一下我,或加一點(diǎn)分,謝謝啦!
上傳時(shí)間: 2013-10-08
上傳用戶:1079836864
為了實(shí)現(xiàn)直流電源的監(jiān)控,提出了一種具有USB HID數(shù)據(jù)通信功能的直流電源設(shè)計(jì)方案。詳細(xì)論述了基于STM32 USB固件庫(kù)(USB-FS Device library V3.3)的自定義HID類下位機(jī)的實(shí)現(xiàn),介紹了如何在VC2010集成開發(fā)環(huán)境中編寫多線程上位機(jī)程序并運(yùn)用PlotLab(一個(gè)快速信號(hào)繪圖和可視化的VCL組件)顯示實(shí)時(shí)波形,最后再以實(shí)驗(yàn)開發(fā)板和PC實(shí)現(xiàn)了HID數(shù)據(jù)通信,證明了此監(jiān)控設(shè)計(jì)方案的可行性。
標(biāo)簽: USB HID 數(shù)據(jù)通信 直流電源
上傳時(shí)間: 2013-10-17
上傳用戶:13162218709
隨著可攜式及整合多項(xiàng)功能的電子裝置日益增加,電池運(yùn)行時(shí)間已成為產(chǎn)品差異化與客戶滿意度的關(guān)鍵因素。以下10項(xiàng)技術(shù)概述提供您提升行動(dòng)裝置 (如智慧型手機(jī)、平板電腦、無線感測(cè)器或胰島素輸液泵) 電池續(xù)航力的必備技巧。
標(biāo)簽: 行動(dòng)裝置 電池 續(xù)航力
上傳時(shí)間: 2013-10-26
上傳用戶:fengweihao158@163.com
線性卷積和線性相關(guān)的FFT算法:一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1:掌握FFT基2時(shí)間(或基2頻率)抽選法,理解其提高減少乘法運(yùn)算次數(shù)提高運(yùn)算速度的原理。 2:掌握FFT圓周卷積實(shí)現(xiàn)線性卷積的原理 二 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求 1.對(duì)N=2048或4096點(diǎn)的離散時(shí)間信號(hào)x(n),試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計(jì)算N個(gè)頻率樣值X(k), 比較兩者所用時(shí)間的大小。 2.對(duì)N/2點(diǎn)長(zhǎng)的x(n)和N/2點(diǎn)長(zhǎng)的h(n),試用Matlab語言編程實(shí)現(xiàn)以圓周卷積代替線性卷積,并比較圓周卷積法和直接計(jì)算線性卷積兩者的運(yùn)算速度。 三預(yù)做實(shí)驗(yàn) 1.FFT與DFT計(jì)算時(shí)間的比較 (1)FFT提高運(yùn)算速度的原理 (2)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與結(jié)論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實(shí)驗(yàn) (1)圓周卷積代替線性卷積的原理 (2)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)論 FFT提高運(yùn)算速度的原理 FFT算法將長(zhǎng)序列的DFT分解為短序列的DFT。N點(diǎn)的DFT先分解為2個(gè)N/2點(diǎn)的DFT,每個(gè)N/2點(diǎn)的DFT又分解為N/4點(diǎn)的DFT,等等。最小變換的點(diǎn)數(shù)即所謂的“基數(shù)”。因此,基數(shù)為2的FFT算法的最小變換(或稱蝶型)是2點(diǎn)的DFT。一般地,對(duì)N點(diǎn)FFT,對(duì)應(yīng)于N個(gè)輸入樣值,有N個(gè)頻域樣值與之對(duì)應(yīng)。
上傳時(shí)間: 2013-10-26
上傳用戶:erkuizhang
熱插拔表示一個(gè)系統(tǒng)在輸入端、輸出端和信號(hào)總線都處于工作狀態(tài)的情況下,安裝或拆卸電源模塊的能力。熱插拔冗余電源系統(tǒng)增加了系統(tǒng)的容錯(cuò)程度,這對(duì)于要求緊急停機(jī)的系統(tǒng)格外需要。 為了實(shí)現(xiàn)一個(gè)熱插拔電源系統(tǒng),設(shè)計(jì)者應(yīng)當(dāng)深入了解一些電氣方面的有關(guān)問題,比如冗余技術(shù)和電流共享,并且他還應(yīng)當(dāng)對(duì)散熱、安全性和機(jī)械方面的問題加以注意。 電源系統(tǒng)的冗余通常用n+x的方法來描述,這里的n代表在滿足系統(tǒng)最大供電要求時(shí)所需要的電源模塊數(shù)量,x表示所安裝附加電源模塊的數(shù)量。所以,一個(gè)n+1的系統(tǒng)就表示系統(tǒng)有比能提供最大負(fù)載電流條件下所需最少的電源模塊數(shù)還多1個(gè)的電源模塊。 正如其它冗余電源系統(tǒng)一樣,在熱插拔系統(tǒng)中加上更多的電源模塊可以增加冗余度,所以,如果在一個(gè)系統(tǒng)中安裝了比能支持最大系統(tǒng)負(fù)載所需要的最少模塊還多x個(gè)的電源模塊,就能夠在有x個(gè)模塊失效的情況下仍保證維持系統(tǒng)全部正常工作。
上傳時(shí)間: 2013-11-07
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上一節(jié),仔細(xì)的把怎么建立一個(gè)好的工程模板說了一下,可以說是一個(gè)好的
上傳時(shí)間: 2013-11-25
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