Actel、Altera、Lattice Semiconductor和Xilinx是目前業界最主要的四大FPGA供應商，為了 幫助中國的應用開發工程師更深入地了解FPGA的具體設計訣竅，我們特別邀請到了Altera系統應用 工程部總監Greg Steinke、Xilinx綜合方法經理Frederic Rivoallon、Xilinx高級技術市場工程師 Philippe Garrault、Xilinx產品應用工程部高級經理Chris Stinson、Xilinx IP解決方案工程部總 監Mike Frasier、Lattice Semiconductor應用工程部總監Bertrand Leigh和軟件產品規劃經理Mike Kendrick、Actel公司硅產品市場總監Martin Mason和應用高級經理Jonathan Alexander為大家傳經 授道。 他們將就一系列大家非常關心的關鍵設計問題發表他們的獨到見解，包括：什么是目前FPGA應用工 程師面對的最主要設計問題？如何解決？當開始一個新的FPGA設計時，你們會推薦客戶采用什么樣 的流程？對于I/O信號分布的處理，你們有什么建議可以提供 給客戶？如果你的客戶準備移植到另外一個FPGA、ASIC和結構化ASIC之間進行抉擇？(下)">結構化 ASIC或ASIC，你會建議你的客戶如何做？
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：wawjj
XAPP520將符合2.5V和3.3V I/O標準的7系列FPGA高性能I/O Bank進行連接 The I/Os in Xilinx® 7 series FPGAs are classified as either high range (HR) or high performance (HP) banks. HR I/O banks can be operated from 1.2V to 3.3V, whereas HP I/O banks are optimized for operation between 1.2V and 1.8V. In circumstances that require an HP 1.8V I/O bank to interface with 2.5V or 3.3V logic, a range of options can be deployed. This application note describes methodologies for interfacing 7 series HP I/O banks with 2.5V and 3.3V systems
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：wentianyou
賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術，并將該技術與新型一體化 ASMBLTM 架構相結合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實現了前所未有的高集成度和高帶寬，為系統架構師和設計人員提供了一種可替代 ASSP和 ASIC 的全面可編程解決方案。
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：zengduo
Altium Designer 旨在幫助設計人員設計新一代智能、可互連的電子產品。為了實現上述目標，它統一了傳統設計領域中的設計工作，提高了設計人員工作的抽象水平，為所有電子產品的核心部分，即器件智能化的設計和部署，提供了完整的解決方案。
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：落花無痕
對于一個新設計的電路板，調試起來往往會遇到一些困難，特別是當板比較大、元件比較多時，往往無從下手。但如果掌握好一套合理的調試方法，調試起來將會事半功倍。對于剛拿回來的新PCB板，我們首先要大概觀察一下，板上是否存在問題，例如是否有明顯的裂痕，有無短路、開路等現象。如果有必要的話，可以檢查一下電源跟地線之間的電阻是否足夠大。
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：菁菁聆聽
PTC新的Wildfire用戶模型• Wildfire用戶模型定義了用戶和軟件之間的理想交互操作。• Wildfire用戶模型在整個Pro/E中得到應用，它建立在用戶熟悉的界面之上，既能充分發揮易學易用性，又能將加以擴展，以滿足對3D產品設計苛刻要求的挑戰
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：段璇琮*
討論、研究高性能覆銅板對它所用的環氧樹脂的性能要求，應是立足整個產業鏈的角度去觀察、分析。特別應從HDI多層板發展對高性能CCL有哪些主要性能需求上著手研究。HDI多層板有哪些發展特點，它的發展趨勢如何——這都是我們所要研究的高性能CCL發展趨勢和重點的基本依據。而HDI多層板的技術發展，又是由它的應用市場——終端電子產品的發展所驅動（見圖1）。 圖1 在HDI多層板產業鏈中各類產品對下游產品的性能需求關系圖 1．HDI多層板發展特點對高性能覆銅板技術進步的影響1.1 HDI多層板的問世，對傳統PCB技術及其基板材料技術是一個嚴峻挑戰20世紀90年代初，出現新一代高密度互連（High Density Interconnection，簡稱為 HDI）印制電路板——積層法多層板（Build—Up Multiplayer printed board，簡稱為 BUM）的最早開發成果。它的問世是全世界幾十年的印制電路板技術發展歷程中的重大事件。積層法多層板即HDI多層板，至今仍是發展HDI的PCB的最好、最普遍的產品形式。在HDI多層板之上，將最新PCB尖端技術體現得淋漓盡致。HDI多層板產品結構具有三大突出的特征：“微孔、細線、薄層化”。其中“微孔”是它的結構特點中核心與靈魂。因此，現又將這類HDI多層板稱作為“微孔板”。HDI多層板已經歷了十幾年的發展歷程，但它在技術上仍充滿著朝氣蓬勃的活力，在市場上仍有著前程廣闊的空間。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：zczc
通用陣列邏輯GAL實現基本門電路的設計 一、實驗目的 1.了解GAL22V10的結構及其應用； 2.掌握GAL器件的設計原則和一般格式； 3.學會使用VHDL語言進行可編程邏輯器件的邏輯設計； 4.掌握通用陣列邏輯GAL的編程、下載、驗證功能的全部過程。 二、實驗原理 1. 通用陣列邏輯GAL22V10 通用陣列邏輯GAL是由可編程的與陣列、固定（不可編程）的或陣列和輸出邏輯宏單元（OLMC）三部分構成。GAL芯片必須借助GAL的開發軟件和硬件，對其編程寫入后，才能使GAL芯片具有預期的邏輯功能。GAL22V10有10個I/O口、12個輸入口、10個寄存器單元，最高頻率為超過100MHz。 ispGAL22V10器件就是把流行的GAL22V10與ISP技術結合起來，在功能和結構上與GAL22V10完全相同，并沿用了GAL22V10器件的標準28腳PLCC封裝。ispGAl22V10的傳輸時延低于7.5ns，系統速度高達100MHz以上，因而非常適用于高速圖形處理和高速總線管理。由于它每個輸出單元平均能夠容納12個乘積項，最多的單元可達16個乘積項，因而更為適用大型狀態機、狀態控制及數據處理、通訊工程、測量儀器等領域。ispGAL22V10的功能框圖及引腳圖分別見圖1-1和1-2所示。 另外，采用ispGAL22V10來實現諸如地址譯碼器之類的基本邏輯功能是非常容易的。為實現在系統編程，每片ispGAL22V10需要有四個在系統編程引腳，它們是串行數據輸入(SDI)，方式選擇(MODE)、串行輸出(SDO)和串行時鐘(SCLK)。這四個ISP控制信號巧妙地利用28腳PLCC封裝GAL22V10的四個空腳，從而使得兩種器件的引腳相互兼容。在系統編程電源為+5V，無需外接編程高壓。每片ispGAL22V10可以保證一萬次在系統編程。 ispGAL22V10的內部結構圖如圖1-3所示。 2.編譯、下載源文件 用VHDL語言編寫的源程序，是不能直接對芯片編程下載的，必須經過計算機軟件對其進行編譯，綜合等最終形成PLD器件的熔斷絲文件(通常叫做JEDEC文件，簡稱為JED文件)。通過相應的軟件及編程電纜再將JED數據文件寫入到GAL芯片，這樣GAL芯片就具有用戶所需要的邏輯功能。 3.工具軟件ispLEVER簡介 ispLEVER 是Lattice 公司新推出的一套EDA軟件。設計輸入可采用原理圖、硬件描述語言、混合輸入三種方式。能對所設計的數字電子系統進行功能仿真和時序仿真。編譯器是此軟件的核心，能進行邏輯優化，將邏輯映射到器件中去，自動完成布局與布線并生成編程所需要的熔絲圖文件。軟件中的Constraints Editor工具允許經由一個圖形用戶接口選擇I/O設置和引腳分配。軟件包含Synolicity公司的“Synplify”綜合工具和Lattice的ispVM器件編程工具，ispLEVER軟件提供給開發者一個簡單而有力的工具。
上傳時間： 2013-11-17
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2013-12-15
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4 4. 標記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間： 2013-10-29
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