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  • 平行耦合微帶線帶通濾波器的設(shè)計(jì)

    平行耦合微帶線帶通濾波器在微波電路系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。為了提高帶通濾波器性能,縮短設(shè)計(jì)周期,采用奇偶模原理分析與ADS(Advanced Design System)仿真相結(jié)合的方法,設(shè)計(jì)出一個(gè)中心頻率為2.5 GHz,相對(duì)帶寬為10%的平行耦合微帶線帶通濾波器。進(jìn)一步優(yōu)化參數(shù),得到電路版圖。最終結(jié)果證明,這種方法具有設(shè)計(jì)周期短、可靠性高的特點(diǎn),且各項(xiàng)參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求。

    標(biāo)簽: 平行耦合 帶通濾波器 微帶線

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:jrsoft

  • 二階有源低通濾波電路分析

    設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。

    標(biāo)簽: 二階 有源低通濾波 電路分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:名爵少年

  • 通孔插裝PCB的可制造性設(shè)計(jì)

    對(duì)于電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)師尤其是線路板設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),產(chǎn)品的可制造性設(shè)計(jì)(Design For Manufacture,簡(jiǎn)稱DFM)是一個(gè)必須要考慮的因素,如果線路板設(shè)計(jì)不符合可制造性設(shè)計(jì)要求,將大大降低產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,嚴(yán)重的情況下甚至?xí)?dǎo)致所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品根本無(wú)法制造出來(lái)。目前通孔插裝技術(shù)(Through Hole Technology,簡(jiǎn)稱THT)仍然在使用,DFM在提高通孔插裝制造的效率和可靠性方面可以起到很大作用,DFM方法能有助于通孔插裝制造商降低缺陷并保持競(jìng)爭(zhēng)力。本文介紹一些和通孔插裝有關(guān)的DFM方法,這些原則從本質(zhì)上來(lái)講具有普遍性,但不一定在任何情況下都適用,不過(guò),對(duì)于與通孔插裝技術(shù)打交道的PCB設(shè)計(jì)人員和工程師來(lái)說(shuō)相信還是有一定的幫助。1、排版與布局在設(shè)計(jì)階段排版得當(dāng)可避免很多制造過(guò)程中的麻煩。(1)用大的板子可以節(jié)約材料,但由于翹曲和重量原因,在生產(chǎn)中運(yùn)輸會(huì)比較困難,它需要用特殊的夾具進(jìn)行固定,因此應(yīng)盡量避免使用大于23cm×30cm的板面。最好是將所有板子的尺寸控制在兩三種之內(nèi),這樣有助于在產(chǎn)品更換時(shí)縮短調(diào)整導(dǎo)軌、重新擺放條形碼閱讀器位置等所導(dǎo)致的停機(jī)時(shí)間,而且板面尺寸種類少還可以減少波峰焊溫度曲線的數(shù)量。(2)在一個(gè)板子里包含不同種拼板是一個(gè)不錯(cuò)的設(shè)計(jì)方法,但只有那些最終做到一個(gè)產(chǎn)品里并具有相同生產(chǎn)工藝要求的板才能這樣設(shè)計(jì)。(3)在板子的周圍應(yīng)提供一些邊框,尤其在板邊緣有元件時(shí),大多數(shù)自動(dòng)裝配設(shè)備要求板邊至少要預(yù)留5mm的區(qū)域。(4)盡量在板子的頂面(元件面)進(jìn)行布線,線路板底面(焊接面)容易受到損壞。不要在靠近板子邊緣的地方布線,因?yàn)樯a(chǎn)過(guò)程中都是通過(guò)板邊進(jìn)行抓持,邊上的線路會(huì)被波峰焊設(shè)備的卡爪或邊框傳送器損壞。(5)對(duì)于具有較多引腳數(shù)的器件(如接線座或扁平電纜),應(yīng)使用橢圓形焊盤(pán)而不是圓形,以防止波峰焊時(shí)出現(xiàn)錫橋(圖1)。

    標(biāo)簽: PCB 通孔插裝 可制造性

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:refent

  • 磁環(huán)電感及飽和磁通計(jì)算

    對(duì)磁環(huán)電感及其飽和磁通進(jìn)行計(jì)算。

    標(biāo)簽: 磁環(huán)電感 磁通計(jì)算

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:wangw7689

  • 全橋變換器中磁通不平衡的抑制_高春軒

    全橋變換器中磁通不平衡的抑制。

    標(biāo)簽: 全橋變換器 不平衡 磁通

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:nunnzhy

  • 大功率全橋串聯(lián)諧振充電電源理論設(shè)計(jì)

    為了對(duì)電容重復(fù)頻率且高能量轉(zhuǎn)換效率地充電,開(kāi)展了全橋串聯(lián)諧振充電電源的理論設(shè)計(jì)。通過(guò)數(shù)值解析的方法獲得諧振電感、電容、功率器件耐壓與通流、電源功率、脈沖變壓器伏秒數(shù)等參數(shù),通過(guò)數(shù)值模擬的方法獲得脈沖變壓器勵(lì)磁電感參數(shù),以基于Pspice的全電路仿真驗(yàn)證設(shè)計(jì)參數(shù)的合理性。仿真結(jié)果表明為了實(shí)現(xiàn)對(duì)110 nF電容1 kHz重頻充電,在初級(jí)電壓為1.2 kV和諧振參數(shù)為33 kHz時(shí),諧振電感、電容應(yīng)分別為625 nH,37 μF,脈沖變壓器伏秒數(shù)、勵(lì)磁電感至少分別應(yīng)為45 mVs、1 mH,功率器件峰值電流約300 A。

    標(biāo)簽: 大功率 全橋 串聯(lián)諧振 充電電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:angle

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 開(kāi)關(guān)電源變壓器設(shè)計(jì)教程

      變壓器的設(shè)計(jì)步驟和計(jì)算公式:   1.1 變壓器的技術(shù)要求:   輸入電壓范圍;   輸出電壓和電流值;   輸出電壓精度;   效率η;   磁芯型號(hào);   工作頻率f;   最大導(dǎo)通占空比Dmax;   最大工作磁通密度Bmax;   其它要求。

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源變壓器 設(shè)計(jì)教程

    上傳時(shí)間: 2013-12-24

    上傳用戶:壞壞的華仔

  • 反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的思考三(磁芯的選取)

    在DCM狀態(tài)下選擇:Uin-電源輸入直流電壓Uinmin-電源輸入直流電壓最小值D-占空比Np-初級(jí)繞組匝數(shù)Lp-初級(jí)繞組電感量Ae-磁芯有效面積Ip-初級(jí)峰值電流f-開(kāi)關(guān)頻率Ton-開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間I-初級(jí)繞組電流有效值η-開(kāi)關(guān)電源效率J-電流密度

    標(biāo)簽: 反激式開(kāi)關(guān) 電源設(shè)計(jì) 磁芯

    上傳時(shí)間: 2013-12-16

    上傳用戶:我們的船長(zhǎng)

  • 38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器

    38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國(guó)民經(jīng)濟(jì)各行各業(yè)。特別是近年來(lái),隨著IGBT的廣泛應(yīng)用,開(kāi)關(guān)電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率,高性能的開(kāi)關(guān)電源成為趨勢(shì)。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V,輸出電壓為DC38V,輸出電流為100A,輸出電壓低紋波,功率因數(shù)>0.9,必要時(shí)多臺(tái)電源可以直接并聯(lián)使用,并聯(lián)時(shí)的負(fù)載不均衡度<5%。   設(shè)計(jì)采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓,經(jīng)過(guò)有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù),再經(jīng)半橋變換電路逆變后,由高頻變壓器隔離降壓,最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護(hù)電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上,采用二極管整流是不能滿足要求的,所以,加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來(lái)組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片,是在UC3854基礎(chǔ)上的改進(jìn)。其特點(diǎn)是:采用平均電流控制,功率因數(shù)接近1,高帶寬,限制電網(wǎng)電流失真≤3%[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。   該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構(gòu)成控制部分,實(shí)現(xiàn)對(duì)網(wǎng)側(cè)輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件構(gòu)成Boost升壓電路。開(kāi)關(guān)管V選擇西門(mén)康公司的SKM75GB123D模塊,其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個(gè)450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因?yàn)椋O(shè)計(jì)的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中,所以,在負(fù)載輕的時(shí)候不進(jìn)行功率因數(shù)校正,當(dāng)負(fù)載較大時(shí)功率因數(shù)校正電路自動(dòng)投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來(lái)實(shí)現(xiàn)。R10及R11是負(fù)載檢測(cè)電阻。當(dāng)負(fù)載較輕時(shí),R10及R11上檢測(cè)的信號(hào)輸入給比較器,使其輸出端為低電平,D2導(dǎo)通,給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負(fù)載較大時(shí)ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS(軟啟動(dòng)端),在負(fù)載輕時(shí)D3導(dǎo)通,使SS為低電平;當(dāng)負(fù)載增大要求UC3854A/B工作時(shí),SS端電位從零緩慢升高,控制輸出脈沖占空比慢慢增大實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓?fù)?在大功率高頻開(kāi)關(guān)電源中,常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開(kāi)關(guān)器件少,輸出功率大,但開(kāi)關(guān)管承受電壓高(為電源電壓的2倍),且變壓器有六個(gè)抽頭,結(jié)構(gòu)復(fù)雜;全橋電路開(kāi)關(guān)管承受的電壓不高,輸出功率大,但是需要的開(kāi)關(guān)器件多(4個(gè)),驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。半橋電路開(kāi)關(guān)管承受的電壓低,開(kāi)關(guān)器件少,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。根據(jù)對(duì)各種拓?fù)浞桨傅墓こ袒瘜?shí)現(xiàn)難度,電氣性能以及成本等指標(biāo)的綜合比較,本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開(kāi)關(guān)電源的主電路拓?fù)鋱D。

    標(biāo)簽: 100 38 AC DC

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

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