介紹了P89C51RA 單片機的性能和特點,設計了智能廣播系統控制器。詳細分析了該型號單片機ISP 功能,實現了智能廣播系統控制器的在系統升級。通過串口通信對PC 主機命令進行接收并解析,實現對廣播設備和廣播分區的控制。系統成功地進行了系統調試,經長期運行表明,該系統結構簡潔,運行穩定可靠,性價比高。關鍵詞:控制器;智能廣播系統;P89C51RA;ISP;串口通信隨著計算機技術和多媒體技術的發展,計算機越來越多地應用到社會各個領域。智能廣播系統是計算機技術和多媒體技術在廣播系統中的綜合應用,是在原有廣播系統的基礎上增加計算機系統和控制器實現廣播系統的智能化升級。智能廣播系統具有以下功能:程序化自動廣播;廣播分區預設;無人職守全自動運行;支持多種廣播模式。智能廣播系統一方面可以大大減輕廣播節目制作和播放人員的工作量,另一方面還為廣播節目的制作提供了豐富的素材和節目來源。智能廣播系統將廣泛地應用于大、中、小各類學校和部分企、事業單位。智能廣播系統主要由計算機軟件系統、計算機硬件系統、控制器和原有廣播體系構成。控制器在整個系統中起著連接計算機系統和原有廣播體系的橋梁作用,實現對計算機發出的各種控制指令的解釋和執行,因此,智能廣播系統控制器的性能在一定程度上決定著整個系統安全、可靠和穩定地運行。本文研究開發了一種基于P89C51RA 的智能廣播系統控制器來實現整個系統的安全可靠運行。
上傳時間: 2014-01-07
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抽樣z變換頻率抽樣理論:我們將先闡明:(1)z變換與DFT的關系(抽樣z變換),在此基礎上引出抽樣z變換的概念,并進一步深入討論頻域抽樣不失真條件。(2)頻域抽樣理論(頻域抽樣不失真條件)(3)頻域內插公式一、z變換與DFT關系(1)引入連續傅里葉變換引出離散傅里葉變換定義式。離散傅里葉變換看作是序列的傅里葉變換在 頻 域 再 抽 樣 后 的 變 換 對.在Z變換與L變換中,又可了解到序列的傅里葉 變換就是單位圓上的Z 變 換.所以對序列的傅里葉變換進行頻域抽樣時, 自 然可以看作是對單位圓上的 Z變換進行抽樣. (2)推導Z 變 換 的 定 義 式 (正 變 換) 重 寫 如 下: 取z=ejw 代 入 定 義 式, 得 到 單 位 圓 上 Z 變 換 為w是 單 位 圓 上 各 點 的 數 字 角 頻 率.再 進 行 抽 樣-- N 等 分.這 樣w=2kπ/N, 即w值為0,2π/N,4π/N,6π/N…, 考慮到x(n)是N點有限長序列, 因而n只需0~N-1即可。將w=2kπ/N代入并改變上下限, 得 則這正是離散傅里葉變換 (DFT)正變換定義式.
上傳時間: 2014-12-28
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介紹用PIC16F84單片機制作的電子密碼鎖。PIC16F84單片機共18個引腳,13個可用I/O接口。芯片內有1K×14的FLASHROM程序存儲器,36×8的靜態RAM的通用寄存器,64×8的EEPROM的數據存儲器,8級深度的硬堆棧。 用PIC單片機設計的電子密碼鎖微芯公司生產的PIC8位COMS單片機,采用類RISC指令集和哈弗總線結構,以及先進的流水線時序,與傳統51單片機相比其在速度和性能方面更具優越性和先進性。PIC單片機的另一個優點是片上硬件資源豐富,集成常見的EPROM、DAC、PWM以及看門狗電路。這使得硬件電路的設計更加簡單,節約設計成本,提高整機性能。因此PIC單片機已成為產品開發,尤其是產品設計和研制階段的首選控制器。本文介紹用PIC16F84單片機制作的電子密碼鎖。PIC16F84單片機共18個引腳,13個可用I/O接口。芯片內有1K×14的FLASHROM程序存儲器,36×8的靜態RAM的通用寄存器,64×8的EEPROM的數據存儲器,8級深度的硬堆棧。硬件設計 電路原理見圖1。Xx8位數據線接4x4鍵盤矩陣電路,面板布局見表1,A、B、C、D為備用功能鍵。RA0、RA7輸出4組編碼二進制數據,經74LS139譯碼后輸出逐行掃描信號,送RB4-RB7列信號輸入端。余下半個139譯碼器動揚聲器。RB2接中功率三極管基極,驅動繼電器動作。有效密碼長度為4位,根據實際情況,可通過修改源程序增加密碼位數。產品初始密碼為3345,這是一隨機數,無特殊意義,目的是為防止被套解。用戶可按*號鍵修改密碼,按#號鍵結束。輸入密碼并按#號確認之后,腳輸出RB2腳輸出高電平,繼電器閉合,執行一次開鎖動作。 若用戶輸入的密碼正確,揚聲器發出一聲稍長的“滴”提示聲,若輸入的密碼與上次修改的不符,則發出短促的“滴”聲。連續3次輸入密碼錯誤之后,程序鎖死,揚聲器報警。直到CPU被復位或從新上電。軟件設計 軟件流程圖見圖3。CPU上電或復位之后將最近一次修改并保存到EEPROM的密碼讀出,最為參照密匙。然后等待用戶輸入開鎖密碼。若5分鐘以內沒有接受到用戶的任何輸入,CPU自動轉入掉電模式,用戶輸入任意值可喚醒CPU。每次修改密碼之后,CPU將新的密碼存入內部4個連續的EEPROM單元,掉電后該數據任有效。每執行一次開鎖指令,CPU將當前輸入密碼與該值比較,看是否真確,并給出相應的提示和控制。布 局 所有元件均使用SMD表貼封裝,縮小體積,便于產品安裝,60X60雙面PCB板,頂層是一體化輸入鍵盤,底層是元件層。成型后的產品體積小巧,能很方便的嵌入防盜鐵門、保險箱柜。
上傳時間: 2013-10-31
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交通燈控制器的設計與實現一、實驗目的1. 了解交通燈管理的基本工作原理。2. 熟悉8253計數器/定時器、8259A中斷控制器和8255A并行接口的工作方式及應用編程。3. 掌握多位LED顯示的方法。 二、 實驗內容與要求設計一個用于十字路口的交通燈控制器。1.基本要求: 1) 東西和南北方向各有一組紅,黃,綠燈用于指揮交通,紅,黃,綠的持續時間分別為25s,5s,20s。2) 當有緊急情況(如消防車)時,兩個方向均為紅燈亮,計時停止,當特殊情況結束后,控制器恢復原來狀態,正常工作。3) 一組數碼管,以倒計時方式顯示兩個方向允許通行或禁止通行的時間。2.提高部分:1) 實時修改交通燈的持續時間。2) 根據不同時段對主要交通方向的信號進行調整。3) 可以使用LCD顯示提示信息。 三、實驗報告要求 1.設計目的和內容 2.總體設計 3.硬件設計:原理圖(接線圖)及簡要說明 4.軟件設計框圖及程序清單 5.設計結果和體會(包括遇到的問題及解決的方法) 四、總體設計交通燈的工作過程如下:設十字路口的1、3為南,北方向,2、4為東西方向,初始態為4個路口的紅燈全亮。之后,1、3路口的綠燈亮,2、4路口的紅燈亮,1、3路口方向通車,2個路口的LED數碼管開始倒計時25秒。延遲20秒后,1、3路口的綠燈熄滅,而1,3路口的黃燈開始閃爍(1HZ)。閃爍5次后,1、3路口的紅燈亮,同時2、4路口的綠燈亮,2、4路口方向開始通車,2個路口的LED數碼管重新開始倒計時25秒。延遲20秒時間后,2、4路口的綠燈熄滅,而黃燈開始閃爍。閃爍5次后,再切換到1、3路口方向。之后,重復上述過程。當有緊急情況時,2個方向都紅燈亮,倒計時停止,車輛禁止通行,當緊急情況結束后,控制器恢復以前的狀態繼續工作。 在設計中采用6個發光二極管來模擬2個路口的黃紅綠燈,每個路口用2個數碼管來顯示通行或禁止剩余的時間。緊急情況用一個單脈沖發生單元申請中斷來模擬,緊急情況結束后,再發一個中斷來恢復以前的狀態。 根據前面的介紹,本設計硬件由定時模塊、發光二極管模塊、數碼管顯示模塊和緊急中斷模塊組成。定時模塊采用硬件定時和軟件定時相結合的方法,用8253定時/計數器定時100ms,再用軟件計時實現所需的定時。發光二極管模塊由8255控制發光二極管來實現。數碼管顯示模塊由實驗平臺上的LED顯示模塊實現。緊急中斷模塊是由單脈沖發生單元和8279中斷控制器組成。 程序主要是由定時子程序、發光二極管顯示子程序、數碼管顯示子程序和中斷服務程序組成。包括對8253、8255以及8259等可編程器件的編程。 五、硬件設計 本課題的設計可通過實驗平臺上的一些功能模塊電路組成,由于各模塊電路內部已經連接,用戶在使用時只要設計模塊間電路的連接,因此,硬件電路的設計及實現相對簡單。完整系統的硬件連接如圖1所示。硬件電路由定時模塊、發光二極管模塊、數碼管顯示模塊和緊急中斷模塊組成。 定時模塊是由8253的計數器0來實現定時100ms。Clk0接實驗平臺分頻電路輸出Q6,f=46875hz。GATE0接8255的PA0,由8255輸出來控制計數器的起停。OUT0接8259的IRQ2,定時完成申請中斷,進入中斷服務程序。 發光二極管顯示模塊由8255輸出來控制發光二極管的亮滅。8255輸出為低電平時,對應的發光二極管就點亮,否則就熄滅。8255的接口電路如圖2所示。交通燈的對應關系如下:L7 L6 L5 L2 L1 L0PC7 PC6 PC5 PC2 PC1 PC013紅燈 13黃燈 13綠燈 24紅燈 24黃燈 24綠燈 實驗平臺上提供一組六個LED數碼管。插孔CS1用于數碼管段選的輸出選通,插孔CS2用于數碼管位選信號的輸出選通。本設計用4個數碼管來倒計時。 緊急中斷模塊是由單脈沖發生單元和8259中斷控制器,單脈沖發生單元主要用來請求中斷,然后做出緊急情況處理。
標簽: 交通燈控制器
上傳時間: 2013-10-07
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家電制造業的競爭日益激烈,市場調整壓力越來越大,原始設備制造商們(OEM)為了面對這一挑戰,必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產品的成本。由于強調成本控制,為防止由電源和信號線的瞬變所產生的電器故障而實施必要的瞬態免疫保護,對于家電設計者來說變得更具挑戰性。由于傳統的電源設計和電磁干擾(EMI)控制措施為節約成本讓路,家電設計者必須開發出新的技術來滿足不斷調整的電磁兼容(EMC)需求。本應用筆記探討了瞬態電氣干擾對嵌入式微控制器(MCU)的影響,并提供了切實可行的硬件和軟件設計技術,這些技術可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號線的短時瞬變提供低成本的保護措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商,但是也適用于消費電子、工業以及汽車電子方面的應用。 低成本的基于MCU 的嵌入式應用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運行在較低時鐘頻率下的微控制器,通常對快速上升時間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術。如今針對低成本8/16位的MCU的半導體工藝技術所實現的晶體管柵極長度在0.65 μm~0.25 μm范圍內。此范圍內的柵極長度能產生和響應上升時間在次納秒范圍內(或超過300 MHz 的等同帶寬)的信號。因此, MCU 能夠響應進入其引腳的ESD 或EFT 信號。除上述工藝技術之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會受到IC 設計及其封裝、印刷電路板(PCB)的設計、MCU 上運行的軟件、系統設計以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對影響(強調對最大影響的貢獻)如圖1 所示。
上傳時間: 2013-11-09
上傳用戶:Jerry_Chow
單線LIN局部互連網絡總線采用的是一個新的標準。在性能要求不高的情況下,它使用更低價的解決方案補充了類似CAN 的高端汽車總線的不足,這篇文章講述了在現有的Philips 80C51 微控制器上是如何實現LIN 總線的。
上傳時間: 2013-10-08
上傳用戶:xjy441694216
家電制造業的競爭日益激烈,市場調整壓力越來越大,原始設備制造商們(OEM)為了面對這一挑戰,必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產品的成本。由于強調成本控制,為防止由電源和信號線的瞬變所產生的電器故障而實施必要的瞬態免疫保護,對于家電設計者來說變得更具挑戰性。由于傳統的電源設計和電磁干擾(EMI)控制措施為節約成本讓路,家電設計者必須開發出新的技術來滿足不斷調整的電磁兼容(EMC)需求。本應用筆記探討了瞬態電氣干擾對嵌入式微控制器(MCU)的影響,并提供了切實可行的硬件和軟件設計技術,這些技術可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號線的短時瞬變提供低成本的保護措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商,但是也適用于消費電子、工業以及汽車電子方面的應用。
上傳時間: 2013-11-22
上傳用戶:csgcd001
LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司推出的鋰離子電池充電控制集成電路芯片。它具有電池插入檢測和自動低壓電池充電功能。文章介紹了該芯片的結構、特點、工作原理及應用信息,給出了典型的應用電路。 LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司生產的鋰-離子(Li-離子)電池恒流/恒壓線性充電控制器。它也可以對鎳-鎘(NiCd)和鎳-氫(NiMH)電池恒流充電。其充電電流可通過外部傳感電阻器編程到7%(最大值)的精度。最終的浮動電壓精度為1%。利用LTC1732 的SEL 端可為4.1V 或4.2V 電池充電。當輸入電源撤消后,LTC1732 可自動進入低電流睡眠狀態,以使消耗電流下降到7μA。LTC1732 的內部比較器用于檢測充電結束條件(C/10),而總的充電時間則是通過可編程計時器的外部電容來設置的。在電池完全放電后,控制器將自動以規定電流的10%對被充電電池進行慢速充電直到電池電壓超過2.457V。當放電后的電池插入充電器或當輸入電源接通時,LTC1732 將開始重新充電。另外,如果電池一直插入在充電器且在電池電壓降到3.8V(LTC1732-4)或4.05V(LTC1732-4.2)以下時,充電器也將開始重新充電。LTC1732 的其它主特點如下:●具有1%的預置充電電壓精度;●輸入電壓范圍4.5V~12V;●充電電流可編程控制;●具有C/10 充電電流檢測輸出;●可編程控制充電終端計時;●帶有低電壓電池自動小電流充電模式;●可編程控制恒定電流接通模式;●具有電池插入檢測和自動低壓電流充電功能;●帶有輸入電源(隔離適配器)檢測輸出;●LTC1732-4.2 型器件的再充電閾值電壓為4.05V;●LTC1732-4 型器件的再充電閾值電壓為3.8V。
上傳時間: 2013-11-12
上傳用戶:semi1981
DMA(Direct Memory Access)的概念DMA方式不用處理器干預完成M與I/O間數據傳送。DMA期間系統總線由其它主模塊控制(驅動)控制總線的主模塊要提供系統的地址及控制信號。DMA控制器與處理器配合可實現系統的DMA功能。. DMA系統組成及工作過程․ DMA系統組成
上傳時間: 2013-11-08
上傳用戶:rolypoly152
微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節版 前言2/71 摘要5/71 除外責任5/71 第一章 簡介 6/71 第二章 背景知識 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲器的種類14/71 2.3 安全保護的類型 15/71 第三章 破解技術 18/71 3.1 簡介 18/71 3.1.1 保護等級18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數據保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數據保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲器的數據保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學圖像來重建版圖41/71
上傳時間: 2013-10-23
上傳用戶:ikemada