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改善基于微控制器的應用的瞬態免疫性能

  • 資源大小:3950 K
  • 上傳時間: 2013-11-09
  • 上傳用戶:ireqglds
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: 微控制器 瞬態免疫 性能

資 源 簡 介

家電制造業的競爭日益激烈,市場調整壓力越來越大,原始設備制造商們(OEM)為了面對這一挑戰,必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產品的成本。由于強調成本控制,為防止由電源和信號線的瞬變所產生的電器故障而實施必要的瞬態免疫保護,對于家電設計者來說變得更具挑戰性。由于傳統的電源設計和電磁干擾(EMI)控制措施為節約成本讓路,家電設計者必須開發出新的技術來滿足不斷調整的電磁兼容(EMC)需求。本應用筆記探討了瞬態電氣干擾對嵌入式微控制器
(MCU)的影響,并提供了切實可行的硬件和軟件設計技術,這些技術可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號線的短時瞬變提供低成本的保護措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商,但是也適用于消費電子、工業以及汽車電子方面的應用。

低成本的基于MCU 的嵌入式應用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運行在較低時鐘頻率下的微控制器,通常對快速上升時間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術。如今針對低成本8/16位的MCU的半導體工藝技術所實現的晶體管柵極長度在0.65 μm~0.25 μm范圍內。此范圍內的柵極長度能產生和響應上升時間在次納秒范圍內(或超過300 MHz 的等同帶寬)的信號。因此, MCU 能夠響應進入其引腳的ESD 或EFT 信號。除上述工藝技術之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會受到IC 設計及其封裝、印刷電路板(PCB)的設計、MCU 上運行的軟件、系統設計以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對影響(強調對最大影響的貢獻)如圖1 所示。

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