介紹了一種基于高性能51 內(nèi)核網(wǎng)絡(luò)微控制器的串口至以太網(wǎng)接口轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)方案，采用網(wǎng)絡(luò)單片機(jī)DS80C410，利用集成的MAC 通過(guò)以太網(wǎng)收發(fā)器與以太網(wǎng)相連，借助TINI SDK 軟件開(kāi)發(fā)包通過(guò)Java編程實(shí)現(xiàn)串口和以太網(wǎng)之間的數(shù)據(jù)通訊。串口至以太網(wǎng)接口轉(zhuǎn)換器使得帶有RS232/422/485 通訊接口的設(shè)備和以太網(wǎng)服務(wù)器進(jìn)行數(shù)據(jù)流傳輸，通過(guò)以太網(wǎng)服務(wù)器對(duì)串口設(shè)備進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。互聯(lián)網(wǎng)硬件和軟件的迅猛發(fā)展，使得各種電氣設(shè)備、儀器儀表以及生產(chǎn)過(guò)程中的數(shù)據(jù)采集與控制設(shè)備逐漸走向網(wǎng)絡(luò)化。計(jì)算機(jī)技術(shù)、測(cè)控技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)與通訊技術(shù)不斷發(fā)展與融合是一個(gè)必然的趨勢(shì)。目前以太網(wǎng)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)，成為互聯(lián)網(wǎng)鏈接不可缺少的部分，另外以太網(wǎng)一般都基于TCP/IP協(xié)議，使得整個(gè)網(wǎng)絡(luò)只有一種互聯(lián)通訊協(xié)議，滿足控制系統(tǒng)各個(gè)層次的要求，而且易于和Internet實(shí)現(xiàn)無(wú)縫連接。現(xiàn)今大多數(shù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備通過(guò)串口與外界通訊，甚至串口是它們與外界通訊的唯一通道，串口設(shè)備的廣泛使用以及對(duì)設(shè)備上網(wǎng)能力的不斷需求，使得如何實(shí)現(xiàn)串口到以太網(wǎng)的轉(zhuǎn)換顯得尤為重要。DS80C410利用集成的MAC通過(guò)物理層器件與以太網(wǎng)相連，借助TINI SDK軟件開(kāi)發(fā)包可以輕松實(shí)現(xiàn)串口至以太網(wǎng)的接口轉(zhuǎn)換。
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：a296386173
設(shè)計(jì)一個(gè)單片機(jī)控制的簡(jiǎn)易定時(shí)報(bào)警器。要求根據(jù)設(shè)定的初始值（1-59秒）進(jìn)行倒計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)到0時(shí)數(shù)碼管閃爍“00”（以1Hz閃爍），按鍵功能如下：（1）設(shè)定鍵：在倒計(jì)時(shí)模式時(shí)，按下此鍵后停止倒計(jì)時(shí)，進(jìn)入設(shè)置狀態(tài)；如果已經(jīng)處于設(shè)置狀態(tài)則此鍵無(wú)效。（2）增一鍵：在設(shè)置狀態(tài)時(shí)，每按一次遞增鍵，初始值的數(shù)字增1。（3）遞一鍵：在設(shè)置狀態(tài)時(shí)，每按一次遞減鍵，初始值的數(shù)字減1。（4）確認(rèn)鍵：在設(shè)置狀態(tài)時(shí)，按下此鍵后，單片機(jī)按照新的初始值進(jìn)行倒計(jì)時(shí)及顯示倒計(jì)時(shí)的數(shù)字。如果已經(jīng)處于計(jì)時(shí)狀態(tài)則此鍵無(wú)效。3.1.2 模塊1:系統(tǒng)設(shè)計(jì)（1）任務(wù)分析與整體設(shè)計(jì)思路根據(jù)題目的要求，需要實(shí)現(xiàn)如下幾個(gè)方面的功能。計(jì)時(shí)功能：要實(shí)現(xiàn)計(jì)時(shí)功能則需要使用定時(shí)器來(lái)計(jì)時(shí)，通過(guò)設(shè)置定時(shí)器的初始值來(lái)控制溢出中斷的時(shí)間間隔，再利用一個(gè)變量記錄定時(shí)器溢出的次數(shù)，達(dá)到定時(shí)1秒中的功能。然后，當(dāng)計(jì)時(shí)每到1秒鐘后，倒計(jì)時(shí)的計(jì)數(shù)器減1。當(dāng)?shù)褂?jì)時(shí)計(jì)數(shù)器到0時(shí)，觸發(fā)另一個(gè)標(biāo)志變量，進(jìn)入閃爍狀態(tài)。顯示功能：顯示倒計(jì)時(shí)的數(shù)字要采用動(dòng)態(tài)掃描的方式將數(shù)字拆成“十位”和“個(gè)位”動(dòng)態(tài)掃描顯示。如果處于閃爍狀態(tài)，則可以不需要?jiǎng)討B(tài)掃描顯示，只需要控制共陰極數(shù)碼管的位控線，實(shí)現(xiàn)數(shù)碼管的滅和亮。鍵盤(pán)掃描和運(yùn)行模式的切換：主程序在初始化一些變量和寄存器之后，需要不斷循環(huán)地讀取鍵盤(pán)的狀態(tài)和動(dòng)態(tài)掃描數(shù)碼管顯示相應(yīng)的數(shù)字。根據(jù)鍵盤(pán)的按鍵值實(shí)現(xiàn)設(shè)置狀態(tài)、計(jì)時(shí)狀態(tài)的切換。 （2）單片機(jī)型號(hào)及所需外圍器件型號(hào)，單片機(jī)硬件電路原理圖選用MCS-51系列AT89S51單片機(jī)作為微控制器，選擇兩個(gè)四聯(lián)的共陰極數(shù)碼管組成8位顯示模塊，由于AT89S51單片機(jī)驅(qū)動(dòng)能力有限，采用兩片74HC244實(shí)現(xiàn)總線的驅(qū)動(dòng)，一個(gè)74HC244完成位控線的控制和驅(qū)動(dòng)，另一個(gè)74HC244完成數(shù)碼管的7段碼輸出，在輸出口上各串聯(lián)一個(gè)100歐姆的電阻對(duì)7段數(shù)碼管限流。由于鍵盤(pán)數(shù)量不多，選擇獨(dú)立式按鍵與P1口連接作為四個(gè)按鍵輸入。沒(méi)有鍵按下時(shí)P1.0-P1.3為高電平，當(dāng)有鍵按下時(shí)，P1.0-P1.3相應(yīng)管腳為低電平。電路原理圖如圖3-1所示。
標(biāo)簽： 單片機(jī)開(kāi)發(fā) 工程 案例分析
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：曹云鵬
家電制造業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，市場(chǎng)調(diào)整壓力越來(lái)越大，原始設(shè)備制造商們（OEM）為了面對(duì)這一挑戰(zhàn)，必須在滿足電磁兼容性的條件下，不斷降低產(chǎn)品的成本。由于強(qiáng)調(diào)成本控制，為防止由電源和信號(hào)線的瞬變所產(chǎn)生的電器故障而實(shí)施必要的瞬態(tài)免疫保護(hù)，對(duì)于家電設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)變得更具挑戰(zhàn)性。由于傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)和電磁干擾（EMI）控制措施為節(jié)約成本讓路，家電設(shè)計(jì)者必須開(kāi)發(fā)出新的技術(shù)來(lái)滿足不斷調(diào)整的電磁兼容（EMC）需求。本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對(duì)嵌入式微控制器（MCU）的影響，并提供了切實(shí)可行的硬件和軟件設(shè)計(jì)技術(shù)，這些技術(shù)可以為電快速瞬變（EFT）、靜電放電（ESD）以及其它電源線或信號(hào)線的短時(shí)瞬變提供低成本的保護(hù)措施。雖然這種探討是主要針對(duì)家電制造商，但是也適用于消費(fèi)電子、工業(yè)以及汽車(chē)電子方面的應(yīng)用。 低成本的基于MCU 的嵌入式應(yīng)用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運(yùn)行在較低時(shí)鐘頻率下的微控制器，通常對(duì)快速上升時(shí)間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術(shù)。如今針對(duì)低成本8/16位的MCU的半導(dǎo)體工藝技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管柵極長(zhǎng)度在0.65 μm～0.25 μm范圍內(nèi)。此范圍內(nèi)的柵極長(zhǎng)度能產(chǎn)生和響應(yīng)上升時(shí)間在次納秒范圍內(nèi)（或超過(guò)300 MHz 的等同帶寬）的信號(hào)。因此， MCU 能夠響應(yīng)進(jìn)入其引腳的ESD 或EFT 信號(hào)。除上述工藝技術(shù)之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會(huì)受到IC 設(shè)計(jì)及其封裝、印刷電路板（PCB）的設(shè)計(jì)、MCU 上運(yùn)行的軟件、系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對(duì)影響（強(qiáng)調(diào)對(duì)最大影響的貢獻(xiàn)）如圖1 所示。
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：Jerry_Chow
本文檔將深入介紹內(nèi)部時(shí)鐘源模塊（Internal ClockSource， ICS），該模塊可以在部分HCS08 系列微控制器中找到。對(duì)HCS08 MCU 來(lái)說(shuō)， ICS 模塊不但是一個(gè)非常靈活的時(shí)鐘源，而且對(duì)于該系列中更小、更低成本的MCU來(lái)說(shuō)非常經(jīng)濟(jì)。ICS 包括鎖頻環(huán)、內(nèi)部時(shí)鐘參考、外部振蕩器和時(shí)鐘選擇子模塊。這些子模塊組合可以提供多種時(shí)鐘模式和頻率，以滿足任何應(yīng)用的需要。本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述ICS 的7 種工作模式、ICS 模塊與其他HCS08 MCU 的內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器（Internal ClockGenerator， ICG）模塊作比較、ICS 模塊從不同低功耗模式下恢復(fù)的特性及內(nèi)部時(shí)鐘參考的校準(zhǔn)方法。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：zhuoying119
單線LIN局部互連網(wǎng)絡(luò)總線采用的是一個(gè)新的標(biāo)準(zhǔn)。在性能要求不高的情況下，它使用更低價(jià)的解決方案補(bǔ)充了類(lèi)似CAN 的高端汽車(chē)總線的不足，這篇文章講述了在現(xiàn)有的Philips 80C51 微控制器上是如何實(shí)現(xiàn)LIN 總線的。
標(biāo)簽： Philips LIN 微控制器 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：xjy441694216
單片機(jī)常用芯片和器件手冊(cè):有常用的像寄存器，鎖存器，單片機(jī)芯片資料介紹等，非常實(shí)用。
標(biāo)簽： 單片機(jī)常用 芯片 器件手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：zhaoman32
特性• 一系列方法支持不同的照明概念/原理UHP CCFL等• 快速執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)80C51 器件的兩倍• 工作范圍寬2.7V~6.0V 而且在125 仍可工作• 帶晶振/諧振器和RC 的用戶可配置振蕩器不要求外部元件• 低電流操作• 豐富的特性集包括UART和I2C 串行通訊低電壓檢測(cè)和上電復(fù)位• 兩個(gè)比較器• 在系統(tǒng)可編程ISP• 專(zhuān)用的模擬和數(shù)字外圍設(shè)備• ADC 快速PWM 和DAC特殊控制的專(zhuān)用外圍設(shè)備• PFC 功率因素修正• 帶軟開(kāi)關(guān)PWM 的半橋和全橋控制• 使用ADC 和比較器進(jìn)行照明管理• 與幾乎所有遠(yuǎn)程協(xié)議接口DALI IR RF 等• 帶鎮(zhèn)流ASIC 帶DAC 或PWM 的快速控制回路• 與存儲(chǔ)設(shè)備的I2C 接口
標(biāo)簽： LPC 51 照明應(yīng)用 微控制器
上傳時(shí)間： 2014-03-24
上傳用戶：ming529
計(jì)算機(jī)應(yīng)用中，有時(shí)需處理的信息不是數(shù)字量，而是一些隨時(shí)間連續(xù)變化的模擬量，甚至是一些非電量，如溫度、壓力、速度等。模擬量的存儲(chǔ)處理困難。首先將非電的模擬信號(hào)變成與之對(duì)應(yīng)的模擬電信號(hào)，這要通過(guò)各種傳感器來(lái)完成。計(jì)算機(jī)可處理的信息均是數(shù)字量（電脈沖信號(hào)）1和0，必須把要處理的模擬電量轉(zhuǎn)換成數(shù)字化的電信號(hào)，這需要模擬(Analog)與數(shù)字(Digital)轉(zhuǎn)換電路。數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換:(Digital to Analog Convert, D/A) D/A轉(zhuǎn)換電路是模擬電路加上電子開(kāi)關(guān)。D/A轉(zhuǎn)換電路的核心是一個(gè)運(yùn)算放大器。運(yùn)算放大器的特性:(Operation Amplifier) K->無(wú)窮大， V和->0 傳遞函數(shù)：V0 = -Vi * R0/Ri Ii->0, I和=If梯形R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器Ki受一個(gè)8位二進(jìn)制代碼控制 某位為1，對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)K倒向右邊； 某位為0，對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)K倒向左邊。Ki不論倒向哪邊，均為接地VA-VH 的電位為： VREF，1/2VREF，..1/128VREFVO= -VREF *（1/2K7+1/4K6+…+1/256K0）V0= -（0-255/256）VREF 8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件國(guó)家半導(dǎo)體公司（NS)產(chǎn)品，0830、0831、0832。R-2R梯形電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器，雙緩沖結(jié)構(gòu)。單電源、低功耗、電流建立時(shí)間1uS。與微計(jì)算機(jī)接口方便。8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件ILE： 輸入鎖存允許； WR1#： 加載IN REG； WR2#: 加載DAC REG； XFER#: IN REG傳到DAC REG； Iout1,Iout2: 外接OA輸入； Rfb: 反饋電阻接OA輸出； VREF： 參考電源，控制輸出電壓變化范圍。
標(biāo)簽： AD轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：lu2767
提出了一種改進(jìn)的LSM-ALSM子空間模式識(shí)別方法，將LSM的旋轉(zhuǎn)策略引入ALSM，使子空間之間互不關(guān)聯(lián)的情況得到改善，提高了ALSM對(duì)相似樣本的區(qū)分能力。討論中以性能函數(shù)代替經(jīng)驗(yàn)函數(shù)來(lái)確定拒識(shí)規(guī)則的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了識(shí)別率、誤識(shí)率與拒識(shí)率之間的最佳平衡；通過(guò)對(duì)有限字符集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，LSM-ALSM算法有效地改善了分類(lèi)器的識(shí)別率和可靠性。關(guān) 鍵 詞 學(xué)習(xí)子空間; 性能函數(shù); 散布矩陣; 最小描述長(zhǎng)度在子空間模式識(shí)別方法中，一個(gè)線性子空間代表一個(gè)模式類(lèi)別，該子空間由反映類(lèi)別本質(zhì)的一組特征矢量張成，分類(lèi)器根據(jù)輸入樣本在各子空間上的投影長(zhǎng)度將其歸為相應(yīng)的類(lèi)別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]：CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關(guān)矩陣的部分特征向量來(lái)構(gòu)造子空間，實(shí)現(xiàn)了特征信息的壓縮，但對(duì)樣本的利用為一次性，不能根據(jù)分類(lèi)結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和學(xué)習(xí)，對(duì)樣本信息的利用不充分；學(xué)習(xí)子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過(guò)旋轉(zhuǎn)子空間來(lái)拉大樣本所屬類(lèi)別與最近鄰類(lèi)別的距離，以此提高分類(lèi)能力，但對(duì)樣本的訓(xùn)練順序敏感，同一樣本訓(xùn)練的順序不同對(duì)子空間構(gòu)造的影響就不同；平均學(xué)習(xí)子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓(xùn)練過(guò)程中，用錯(cuò)誤分類(lèi)的樣本去調(diào)整散布矩陣，訓(xùn)練結(jié)果與樣本輸入順序無(wú)關(guān)，所有樣本平均參與訓(xùn)練，其不足之處是各模式的子空間之間相互獨(dú)立。針對(duì)以上問(wèn)題，本文提出一種改進(jìn)的子空間模式識(shí)別方法。子空間模式識(shí)別的基本原理1.1 子空間的分類(lèi)規(guī)則子空間模式識(shí)別方法的每一類(lèi)別由一個(gè)子空間表示，子空間分類(lèi)器的基本分類(lèi)規(guī)則是按矢量在各子空間上的投影長(zhǎng)度大小，將樣本歸類(lèi)到最大長(zhǎng)度所對(duì)應(yīng)的類(lèi)別，在類(lèi)x()iω的子空間上投影長(zhǎng)度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx (1)式中 函數(shù)稱(chēng)為分類(lèi)函數(shù)；為子空間基矢量。兩類(lèi)的分類(lèi)情況如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2013-12-25
上傳用戶：熊少鋒
微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節(jié)版 前言2/71 摘要5/71 除外責(zé)任5/71 第一章 簡(jiǎn)介 6/71 第二章 背景知識(shí) 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲(chǔ)器的種類(lèi)14/71 2.3 安全保護(hù)的類(lèi)型 15/71 第三章 破解技術(shù) 18/71 3.1 簡(jiǎn)介 18/71 3.1.1 保護(hù)等級(jí)18/71 3.1.2 攻擊種類(lèi)19/71 3.1.3 攻擊過(guò)程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時(shí)序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時(shí)鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數(shù)據(jù)保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數(shù)據(jù)保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準(zhǔn)備38/71 5.1.1 打開(kāi)封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學(xué)圖像來(lái)重建版圖41/71
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：ikemada
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