發(fā)光二極體(Light Emitting Diode, LED)為半導(dǎo)體發(fā)光之固態(tài)光源。它成為具省電、輕巧、壽命長(zhǎng)、環(huán)保(不含汞)等優(yōu)點(diǎn)之新世代照明光源。目前LED已開(kāi)始應(yīng)用於液晶顯示
標(biāo)簽： LED 電源 方案 驅(qū)動(dòng)器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：王慶才
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶(hù)：swing
一個(gè)用 J2ME 開(kāi)發(fā)的小蜜蜂遊戲 , 內(nèi)容是像早期的小蜜蜂一樣的射擊遊戲, 是想寫(xiě)射擊遊戲最佳的參考源碼
上傳時(shí)間： 2015-05-05
上傳用戶(hù)：jackgao
超寬頻(UWB)無(wú)線(xiàn)脈衝通訊之射頻 RFIC 收發(fā)機(jī)及天線(xiàn)系統(tǒng)的研究製作
標(biāo)簽： RFIC UWB 無(wú)線(xiàn) 系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2014-11-23
上傳用戶(hù)：541657925
這裡對(duì)linux系統(tǒng)下的CGI的開(kāi)發(fā)用很好的入門(mén)學(xué)習(xí)指導(dǎo)作用。是學(xué)習(xí)CGI 的初學(xué)者非常好的實(shí)例材料。
標(biāo)簽： CGI linux 系統(tǒng) 材料
上傳時(shí)間： 2014-11-05
上傳用戶(hù)：頂?shù)弥?/p>
Ex4-22 單射函數(shù)問(wèn)題 « 問(wèn)題描述： 設(shè)函數(shù)f將點(diǎn)集S = {0,1, , n -1}映射為f (S) = { f (i) | iÎ S} Í S 。單射函數(shù)問(wèn)題要 從S中選取最大子集X Í S 使f (X )是單射函數(shù)。 例如，當(dāng)n=7， f (S) = {1,0,0,2,2,3,6} Í S 時(shí)， X = {0,1,6} Í S 是所求的最大子集。 « 編程任務(wù)： 對(duì)于給定的點(diǎn)集S = {0,1, , n -1}上函數(shù)f，試用抽象數(shù)據(jù)類(lèi)型隊(duì)列，設(shè)計(jì)一個(gè)O(n)時(shí) 間算法，計(jì)算f的最大單射子集。 « 數(shù)據(jù)輸入： 由文件input.txt 提供輸入數(shù)據(jù)。文件的第1 行有1 個(gè)正整數(shù)n，表示給定的點(diǎn)集 S = {0,1, , n -1}。第2 行是f (i)的值，0 £ i < n。 « 結(jié)果輸出: 程序運(yùn)行結(jié)束時(shí)，將計(jì)算出的f的最大單射子集的大小輸出到output.txt中。 輸入文件示例 輸出文件示例 input.txt 7 1 0 0 2 2 3 6 output.txt 3
標(biāo)簽： Iacute 61516 laquo Icirc
上傳時(shí)間： 2016-05-28
上傳用戶(hù)：tyler
此為UWB OFDM之發(fā)射端模擬仿真程序
上傳時(shí)間： 2016-07-10
上傳用戶(hù)：pkkkkp
這是一個(gè)由java寫(xiě)成的飛機(jī)冒險(xiǎn)射擊遊戲！開(kāi)發(fā)過(guò)程不是那麼簡(jiǎn)單就是了…希望對(duì)一些此類(lèi)遊戲有興趣的人有幫助~
標(biāo)簽： java
上傳時(shí)間： 2016-10-26
上傳用戶(hù)：wpwpwlxwlx
nrf24e1 adc 接收端 原始碼 發(fā)射端原始碼
上傳時(shí)間： 2017-09-03
上傳用戶(hù)：bruce5996
本書(shū)主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧，以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率，縮短了設(shè)計(jì)周期。本書(shū)內(nèi)容覆蓋非線(xiàn)性電路設(shè)計(jì)方法、非線(xiàn)性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。 本書(shū)適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專(zhuān)業(yè)的師生閱讀。 作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門(mén)首席理論設(shè)計(jì)工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書(shū)作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換 1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接 1.5 實(shí)際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò) 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò) 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 1.7 傳輸線(xiàn) 參考文獻(xiàn) 第2章 非線(xiàn)性電路設(shè)計(jì)方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線(xiàn)性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時(shí)域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準(zhǔn)線(xiàn)性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻(xiàn) 第3章 非線(xiàn)性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號(hào)等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線(xiàn)性I—V模型 3.1.4 非線(xiàn)性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴(lài)性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號(hào)等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線(xiàn)性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線(xiàn)性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線(xiàn)性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線(xiàn)性模型 3.2.7 rrriQuint非線(xiàn)性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線(xiàn)性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線(xiàn)性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號(hào)等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換 3.3.4 非線(xiàn)性雙極器件模型 參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線(xiàn)匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計(jì) 4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計(jì) 4.5 傳輸線(xiàn)類(lèi)型 4.5.1 同軸線(xiàn) 4.5.2 帶狀線(xiàn) 4.5.3 微帶線(xiàn) 4.5.4 槽線(xiàn) 4.5.5 共面波導(dǎo) 參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡(luò) 5.3 四口網(wǎng)絡(luò) 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線(xiàn)定向耦合器 參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術(shù) 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線(xiàn)性度 6.5 基本的工作類(lèi)別：A、AB、B和C類(lèi) 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實(shí)際外形 參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計(jì) 7.1 B類(lèi)過(guò)激勵(lì) 7.2 F類(lèi)電路設(shè)計(jì) 7.3 逆F類(lèi) 7.4 具有并聯(lián)電容的E類(lèi) 7.5 具有并聯(lián)電路的E類(lèi) 7.6 具有傳輸線(xiàn)的E類(lèi) 7.7 寬帶E類(lèi)電路設(shè)計(jì) 7.8 實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.4 具有傳輸線(xiàn)的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 8.6 實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥 參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì) 9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 9.2 包絡(luò)跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開(kāi)關(guān)模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線(xiàn)性化技術(shù) 9.7 預(yù)失真線(xiàn)性化技術(shù) 9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻(xiàn)
標(biāo)簽： 射頻 微波功率 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：W51631
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
