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伴隨著生物醫學電子學的迅速興起,手術刀已經從單純的金屬刀片發展為融合現代高科技的手術器具:電凝刀、氬氣刀、高頻電刀、超聲手術刀等。 所謂超聲手術刀,是指采用超聲能對軟組織進行止血切開和凝固的一種外科手術裝置,用來代替普通的手術刀來切除人體的病變組織或器官,以達到手術治療的目的。超聲手術刀適用于需要控制出血和最小程度熱損傷的軟組織進行切開的場合,因此被廣泛地應用于外科手術。如今,超聲外科手術刀及其衍生的手術器具幾乎已進入外科手術的各個?？祁I域,并成為了外科技術進步的標志之一。 但是,現有的超聲手持治療頭因其加工中的選材、裝配及工藝要求甚高,稍有誤差就不能滿足其諧振頻率的設計要求而報廢;已合格的超聲手持治療頭在儲存和使用過程中因時效老化、磨損等也易造成該超聲手持治療頭偏離其諧振頻率而失效或縮短使用時間。 為了避免以上的不足,本文設計了一種精確校準超聲手術刀諧振頻率的電路裝置,該電路通過電反饋自動掃頻使超聲手持治療刀頭總是工作在諧振狀態。而且,對于不同頻率段的超聲手持治療頭,該電路也能自適應匹配使用。 論文共分為六章。其中第一章為緒論;第二章介紹了超聲電源總體解決方案;第三章介紹了系統硬件電路設計;第四章介紹了系統的主板系統電路軟件設計與開發;第五章是上位機軟件設計和數據分析;第六章是總結與展望。 本文主要內容包括: 1.介紹了超聲手術刀的研究背景和其相關技術的國內外發展的狀況,簡要闡明了超聲治療的原理,超聲手術刀的組成結構以及工作原理。 2.設計并制作了基于STC單片機為微控制器的系統硬件電路平臺。系統利用單片機控制DDS芯片產生可調頻率的電壓信號。比起一般的可編程計數器或是定時器電路,DDS芯片輸出信號的頻率切換變化反應快,精度高;系統以刀頭電流信號的大小來檢測電路是否到達諧振狀態,電路結構簡單,對超聲刀正常工作影響小;系統通過控制數控工作電源調節電路輸出級的工作電壓,實現在一定范圍內的超聲刀電功率輸出的任意調節。 3.設計了系統硬件電路平臺的控制軟件以及上位機人機對話軟件。電路平臺的控制軟件包括變步長諧振頻率自動搜索、諧振頻率跟蹤、超聲功率調整、數據上傳等功能模塊。上位機軟件為VB交互界面...
上傳時間： 2022-05-30
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摘要：隨薦電力電子設備、交直流電弧爐和電氣化鐵道等非線性、沖擊性負荷的大量接入電網，引起了電網無功功率不足、電壓波動與閃變、三相供電不平衡以及電壓電流波形畸變等其它一系列電能質景問題，并嚴重威脅著電力系繞的安全穩定運行。首先，本文介紹了無功功率的基本概念，介紹了無功功率對電力系統的影響以及無功補償的作用，并詳盡的閘述了國內外無功補償裝置的歷史以及現狀。其次，本文詳細分析了靜止無功補償器（SVC）和靜止無功發生器（SVC）的基本結構，控制方法和工作原理，以及各自優特點。并且闡述了它們的工作特性。再次，本文著重進行了對SVG型靜止無功補償器提高系統電壓的理論研究。利用MATLAB/SIMLINK仿真軟件對SVG工作方式及利用SVG動態提高系統電壓的原理進行仿真研究。并對仿真結果進行了全面外析VRe，本完成了（利t功補t控制器的設計，該控a器a系統硬件上采用了由STC生產的STCIOFO8X單片機作為主控制器。采用ATT7022作為電能檢測芯片，實現電網參數的精確深樣與計算，在系統軟件上采用品剛管控制投切電容器，實現了電容器的快速，無弧的投切。采用全中文液品顯示界面實時顯示系統運行狀況.關；無，SVG，svc，STC10FO8X隨著現代電力電子技術的飛速發展，大量大功率、非線性負荷的接入電網中，使得電網供電質量受到了嚴重的威脅。特別是一些像電弧爐、軋機、整流橋等非線性和沖擊性負荷的大量使用是導致電能質量惡化的最主要來源，造成了一系列嚴重的影響理想狀態的電力供應要求頻率為50Hz，電壓幅值穩定在額定值的標準正弦波形。在三相電網供電系統中，A，B.C三相電壓電流的幅值大小相等、相位差依次落后120度。但當電力用戶的各種用電裝置接入電力系統后，電力供應由理想的電力供應變成了電壓電流偏離這種狀態的非理想狀態。電網中的許多用電負荷都具有低功率因數、非線性、不平衡性和沖擊性的特征，這些特征嚴重地危害著電網的電力供應，可表現在：電壓值跌落或浪涌、各次諧波含量大、電壓波形發生閃變、電壓電流波形失真等，這樣便出現了電能質量問題。實際電網中的電能質量問題主要表現如下：
上傳時間： 2022-06-17
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一、引言自1956年IBM推出第一臺硬盤驅動器IBM RAMAC 350至今已有四十多年了，其間雖沒有CPU那種令人眼花繚亂的高速發展與技術飛躍，但我們也確實看到，在這幾十年里，硬盤驅動器從控制技術、接口標準、機械結構等方面都進行了一系列改進。正是這一系列技術上的研究與突破，使我們今天終于用上了容量更大、體積更小、速度更快、性能更可靠、價格更便宜的硬盤。如今，雖然號稱新一代驅動器的JAZ，DVD-ROM，DVD-RAM，CD-RW，MO，PD等紛紛登陸大容量驅動器市場，但硬盤以其容量大、體積小、速度快、價格便宜等優點，依然當之無愧地成為桌面電腦最主要的外部存儲器，也是我們每一臺PC必不可少的配置之一。二、硬盤磁頭技術1、磁頭磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術中最重要和最關鍵的一環。傳統的磁頭是讀寫合一的電碗感應式磁頭，但是，硬盤的讀、寫卻是兩種截然不同的操作，為此，這種二合一磁頭在設計時必須要同時兼顧到讀/兩種特性，從而造成了硬盤設計上的局限。而MR磁頭（Magnetoresistive heads），即磁阻磁頭，采用的是分離式的磁頭結構：寫入磁頭仍采用傳統的磁感應磁頭（MR磁頭不能進行寫操作），讀取磁頭則采用新型的MR磁頭，即所謂的感應寫、磁阻讀。這樣，在設計時就可以針對兩者的不同特性分別進行優化，以得到最好的讀/寫性能。另外，MR磁頭是通過阻值變化而不是電流變化去感應信號幅度，因而對信號變化相當敏感，讀取數據的準確性也相應提高。而且由于讀取的信號幅度與磁道寬度無關，故磁道可以做得很窄，從而提高了盤片密度，達到200MB/英寸2，而使用傳統的磁頭只能達到20MB/英寸2，這也是MR磁頭被廣泛應用的最主要原因。目前，MR磁頭已得到廣泛應用，而采用多層結構和磁阻效應更好的材料制作的GMR磁頭（Giant Magnetoresistive heads）也逐漸普及。
上傳時間： 2022-06-18
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自從超聲科技問世以來，其發展日新月異，應用日益廣泛，已經取得了良好的社會效益和經濟效益。但是作為一門綜合性極強的交叉學科，超聲學研究與應用均起步較晚，技術狀況已遠遠不能滿足我國經濟事業多領域的需求，廣闊的市場前景促使我們加大研究力度。本文首先介紹了功率超聲波技術的原理和發展趨勢，然后詳細分析了超聲波設備的組成、關鍵技術以及設計難點，并采用三種不同的控制方案設計、制作了超聲波發生器，分別應用在超聲波清洗機和焊接機中。主電路使用集MOSFET和GTR的優點于一身的IGBT作為開關管，構成半橋逆變電路。通過分析超聲波換能器的阻抗特性，比較換能器工作在串聯諧振頻率和并聯諧振頻率的優劣，介紹了幾種匹配方式的特點，設計了匹配電路?？刂齐娐分蟹謩e采用了鎖相方式、掃頻控制方式以及模糊自適應控制方式實現了對超聲負載的自動頻率跟蹤，并且功能完善，配備了軟啟動、死區調節、限流、過流、驅動自保護和過熱保護，有力的保障了系統長時間工作的穩定性和可靠性。最后通過實驗，證明了設計的方案可靠，適應性強，樣機不僅具有頻率自適應功能，而且能夠功率自適應，具有良好的推廣應用意義。關鍵詞：超聲波發生器、阻抗特性、匹配電路、鎖相環、掃頻控制、模糊自適應
標簽： 超聲波發生器
上傳時間： 2022-06-18
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首先對汽車前方障礙物的檢測進行研究，了解到目前市場上主要通過毫米雷達和攝像頭來實現該功能，介紹了兩種傳感器檢測車輛方障礙物的工作原理.AEB系統中涉及到車輛的制動過程，由此推導出了制動距離公式。C-NCAP中對AEB系統的測試工況包括自車接近前方靜止障礙物、勻速移動障礙物、勻減速移動障礙物三種車輛行駛工況，面對不同程度的碰撞危險，AEB系統采用部分制動和完全制動來進行避撞，開發出各種工況下對應的部分制動和完全制動安全距離模型。然后對于車輛前方碰撞危險程度的不同，為了增強AEB系統的工作效果，本文采用了兩級預警和兩級制動。為了應對三種不同行車工況，設計出了對應的預警控制策略和制動控制策略，同時設計了對應的預警控制結構圖和制動控制結構圖。并對于AEB系統中涉及到的相關參數值的選擇進行了說明，開發出了AEB系統的控制器。最后對ADAS實驗平臺進行了介紹，主要包括該平臺的功能、軟硬件組成、性能指標、平臺結構，以及如何在該平臺進行相應的車輛模型建立。通過將AEB系統模型導入到ADAS實驗平臺，選擇C-NCAP中對于AEB系統的測試工況進行仿真實驗，實驗結果衣明本文開發的AEB系統能實現車輛前方障礙物的避撞功能。
上傳時間： 2022-06-20
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術，手機客戶也都要重新設計， 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設計概念，就是為了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快，特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰，使用eMMC產品，主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產品上市的時間，保證產品的穩定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
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固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出電壓外，還對供電系統的可靠性等提出更高的要求IGBT是一種目前被廣泛使用的具有自關斷能力的器件，開關頻率高，廣泛應用于各類固態電源中。但如果控制不當，它很容易損壞。一般認為IGBT損壞的主要原因有兩種：一是IGBT退出飽和區而進入了放大區，使得開關損耗增大；二是IGBT發生短路，產生很大的瞬態電流，從而使IGBT損壞。IGBT的保護通常采用快速自保護的辦法，即當故障發生時，關斷ICBT驅動電路，在驅動電路中實現退飽和保護；或者當發生短路時，快速地關斷IGBT，根據監測對象的不同，ICBT的短路保護可分為U，監測法或U..監測法，二者原理基本相似，都是利用集電極電流1e升高時U，或U.也會升高這一現象。當U2或U..超過UtU.就自動關斷IGBT的驅動電路。由于U，在發生故障時基本不變，而U.的變化較大，并且當退飽和發生時，U.變化也小，難以掌握，因而在實踐中一般采用U.監測技術來對ICBT進行保護。本文研究的IGBT保護電路，是通過對IGBT導通時的管壓降U.進行監測來實現對IGBT的保護。
上傳時間： 2022-06-22
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DSP6713實現的自適應濾波程序 DSP6713實現的自適應濾波程序
上傳時間： 2022-06-22
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文章首先闡述了整個方案的工作原理，給出LDO設計的指標要求；其次，依據系統方案的指標要求和制造1藝約束，實現包含誤差放大器、基準源和保護電路等了模塊在內的電壓調整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅動100pF數量級的大電容負載"的問題；最后，給出整個模塊總體電路的仿真驗證結果。LDO的架構分析和設計以及基準源的設計是本文的核心內容。在LDO架構設計部分，文章基于對三種不同LDO拓撲的分析，選擇并實現了含緩沖器級的LDO./設計中通過改進反饋網絡，采用反饋電容，實現對LDO的環路補償。同時，為提高誤差放大器驅動功率管的能力、適應LDO低功耗發展的需求，文章探討了如何使用放大器驅動大負載電容的問題，基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）結構，實踐了兩級放大器驅動大負載電容的方案，并把MPC補償技術推廣到三級放大器的設計中。文章設計的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）電流基準是基于對傳統自啟動基準電流源的改進實現的。CRF基準電流源架構中存在一條阻性的電流道路，確保其在加載電源電壓的過程中能夠實現快速啟動，響應速度達到1ps：而傳統自啟動基準電流源在相同的設計參數下，響應速度長達120us.CRF基準電流源突破了響應速度對其應用的限制。
上傳時間： 2022-06-23
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術，掌握該技術的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術出現早，相對成熟，前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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