由于低場(chǎng)磁共振自由感應(yīng)（FID-Free Induction Decay）信號(hào)十分微弱,信噪比低,所以信號(hào)放大電路的設(shè)計(jì)、調(diào)試具有一定的困難.該文首先對(duì)低場(chǎng)磁共振電路系統(tǒng)的各個(gè)功能模塊進(jìn)行了分析,并估算了低場(chǎng)磁共振的信號(hào)幅值,然后重點(diǎn)對(duì)天線接口和前置放大兩個(gè)電路模塊進(jìn)行了分析研究.天線接口電路是射頻發(fā)射電路、信號(hào)接收電路與磁體天線的接口電路.針對(duì)接收信號(hào)弱、信噪比低的情況,天線接口電路不但要實(shí)現(xiàn)天線的三個(gè)狀態(tài)（發(fā)射、泄放、接收）間的切換,而且要對(duì)信號(hào)進(jìn)行無源放大.該文在完成了天線接口電路功能分析后,建立了簡(jiǎn)化模型,然后對(duì)其參數(shù)進(jìn)行分析計(jì)算,得出了滿足最大放大倍數(shù)和期望帶寬時(shí)的調(diào)試指導(dǎo)參數(shù),還據(jù)此設(shè)計(jì)了校驗(yàn)信號(hào)發(fā)生電路.前置放大電路主要完成磁共振FID信號(hào)的有源放大.該文在進(jìn)行了方案討論后,給出了具體的前置放大電路,并對(duì)其工作狀態(tài)進(jìn)行了靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算和動(dòng)態(tài)仿真分析,計(jì)算了增益系數(shù),分析了帶寬,并作了噪聲分析.該文還參照高頻電路的設(shè)計(jì)特點(diǎn),分析了低場(chǎng)磁共振信號(hào)放大電路的噪聲干擾的來源、種類;討論了器件選擇、電路布板等方面的注意事項(xiàng);給出了減小噪聲干擾的一些具體措施.
標(biāo)簽： FID 磁共振 信號(hào)放大電路
上傳時(shí)間： 2013-06-01
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射頻識(shí)別 (RFID) 是一種自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，用於識(shí)別包含某個(gè)編碼標(biāo)簽的任何物體
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統(tǒng)中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個(gè)信號(hào)調(diào)理放大器，但並不是完全獨(dú)立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個(gè)高電壓、低噪聲電源和一個(gè)用於指示信號(hào)強(qiáng)度的精準(zhǔn)電流監(jiān)視器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
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對(duì)於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事
標(biāo)簽： 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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電路板裝配、PCB 布局和數(shù)字 IC 集成的進(jìn)步造就了新一代的高密度安裝、高性能繫統(tǒng)。
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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在越來越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間： 2014-01-08
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射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)采用輻射和反射 RF 功率來識(shí)別和跟蹤各種目標(biāo)。典型的 RFID 繫統(tǒng)由一個(gè)閱讀器和一個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)器 (或標(biāo)簽) 組成。
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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