低壓差線性穩(wěn)壓器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）屬于線性穩(wěn)壓器的一種，但由于其壓差較低，相對于一般線性穩(wěn)壓器而言具有較高的轉(zhuǎn)換效率。但在電路穩(wěn)定性上有所下降，而且LDO有著較高的輸出電阻，使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關(guān)系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環(huán)路穩(wěn)定性要求。內(nèi)容安排上第一節(jié)首先簡單介紹各種線性穩(wěn)壓源的區(qū)別：第二節(jié)介紹LDO中的主要參數(shù)及設(shè)計中需要考慮折中的一些問題；第三節(jié)對LDO開環(huán)電路的三個模塊，運放模塊，PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析，得出其傳輸函數(shù)并判斷其零極點：第四節(jié)針對前面分析的三個LDO環(huán)路模塊分別進行補償考慮，并結(jié)合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準(zhǔn)電路以及相關(guān)啟動電路，保護電路（OTP，OCP等），誤差放大器，調(diào)整管（Pass Element）和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)。在電路上，通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣，誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準(zhǔn)電壓（Bandgap Reference），誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等，因此，可以通過控制調(diào)整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩(wěn)定。電路所采用的調(diào)整管不同，其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩(wěn)壓源的調(diào)整管，常見的有NPN穩(wěn)壓源，PNP穩(wěn)壓源（LDO），準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源，其調(diào)整管如圖2所示，其Dorpout電壓分別是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩(wěn)壓源VoRоP =VsurPNP穩(wěn)壓源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源
標(biāo)簽： ldo 環(huán)路分析
上傳時間： 2022-06-19
上傳用戶：
無論是不控整流電路，還是相控整流電路，功率因數(shù)低都是難以克服的缺點.PWM整流電路是采用PWM控制方式和全控型器件組成的整流電路，本文以《電力電子技術(shù) 教材為基礎(chǔ)，詳細分析了單相電壓型橋式PWM整流電路的工作原理和四種工作模式.通過對PWM整流電路進行控制，選擇適當(dāng)?shù)墓ぷ髂Ｊ胶凸ぷ鲿r間間隔，交流側(cè)的電流可以按規(guī)定目標(biāo)變化，使得能量在交流側(cè)和直流側(cè)實現(xiàn)雙向流動，且交流側(cè)電流非常接近正弦波，和交流側(cè)電壓同相位，可使變流裝墨獲得較高的功率因數(shù).：PWM整流電路：功率因數(shù)：交流側(cè)：直流側(cè)傳統(tǒng)的整流電路中，晶閘管相控整流電路的輸入電流滯后于電壓，其滯后角隨著觸發(fā)角的增大而增大，位移因數(shù)也隨之降低。同時輸入中諧波分量也相當(dāng)大、因此功率因數(shù)很低。而二極管不控整流電路雖然位移因數(shù)接近于1，但輸入電流中諧波分量很大，功率因數(shù)也較低。PWM整流電路是采用PWM控制方式和全控型器件組成的整流電路，它能在不同程度上解決傳統(tǒng)整流電路存在的問題。把逆變電路中的SPWM控制技術(shù)用于整流電路，就形成了PWM整流電路。通過對PWM整流電路進行控制，使其輸入電流非常接近正弦波，且和輸入電壓同相位，則功率因數(shù)近似為1。因此，PWM整流電路也稱單位功率因數(shù)變流器。
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：
摘要：對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進行了詳細的分析，對TLP250，EXB系列和M579系列進行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點及注意事項，對每種驅(qū)動芯片進行了IGBT的驅(qū)動實驗，通過有關(guān)的波形驗證了它們的特點，最后得出結(jié)論：IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計中，它是日前最為常見的一種器件。
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：
1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應(yīng)該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負荷分配不均造成，應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：
自然語言處理：顛覆傳統(tǒng)自然語言處理模式，突破自然語言處理前沿難關(guān)視覺內(nèi)容理解：將視覺對象和自然語言相結(jié)合，打造可用的視覺內(nèi)容理解產(chǎn)品語音識別：語音識別率大幅上升，入選MIT科技評論2016年十大突破技術(shù)
標(biāo)簽： 大數(shù)據(jù) 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：
摘要：為提高CCD攝像機的成像質(zhì)量，同時使鏡頭結(jié)構(gòu)緊湊、小型化，在大視場光學(xué)鏡頭的設(shè)計中，引入標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和偶次非球面。根據(jù)初級像差理論，分析了非球面的位置、初始結(jié)構(gòu)參數(shù)的求解規(guī)律。通過理論計算和ZEMAX光學(xué)設(shè)計軟件的優(yōu)化，給出工作波長為Q~Q7m、全視場角為80，相對孔徑為1：15的鏡頭設(shè)計實例。該鏡頭由7塊鏡片組成，包括一個標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和兩個8次方非球面；在40p/mm空間頻率處的MTF值超過Q85，全視場畸變小于3%，像質(zhì)優(yōu)良。關(guān)鍵詞：CCD攝像機；大視場；光學(xué)鏡頭；非球面引言CCD攝像設(shè)備在圖像傳感領(lǐng)域的迅速發(fā)展，成為現(xiàn)代光電子學(xué)和測試技術(shù)中最為引人關(guān)注的研究熱點之一。在科研領(lǐng)域，由于CCD具有靈敏度高、噪聲低、成本低、小而輕等優(yōu)點，已成為研究宏觀（如天體）和微觀（如生物細胞）現(xiàn)象不可缺少的工具。在國防軍事領(lǐng)域，CCD成像技術(shù)在微光、夜視及遙感應(yīng)用中發(fā)揮著巨大的作用。總之，在各類光電成像領(lǐng)域中，它已逐步取代了真空攝像管的成像系統(tǒng)。
上傳時間： 2022-06-23
上傳用戶：
數(shù)學(xué)分析對于數(shù)學(xué)專業(yè)的學(xué)生是邁進大學(xué)大門后，需要修的第一門課，也是最基礎(chǔ)最重要的一門課程。但對于非數(shù)學(xué)專業(yè)的朋友們是個陌生的概念，如果身邊有人問我數(shù)學(xué)分析學(xué)什么？我會毫不猶豫地告訴他們就是微積分，那么似乎所有人都會接著提一個問題：那和我們學(xué)的微積分有什么差異？為什么我們學(xué)一學(xué)期你們要學(xué)一年半到兩年啊？囧……這個問題就不容易回答了，于是我只能應(yīng)付說學(xué)得細了，但其實并非僅僅如此。對這個問題我在學(xué)習(xí)數(shù)學(xué)分析的過程中是不能說清楚的，正因為如此，起先學(xué)分析完全是亂學(xué)，沒有重點沒有次序的模仿，其結(jié)果就是感覺自己學(xué)到的東西好比是一條細線拴著好多個大秤癥，只要有一點斷開，整個知識系統(tǒng)頓時傾覆。我也一直在思考這個問題，但直到在北師大跟著王昆揚老師學(xué)了一學(xué)期實變函數(shù)論之后，我才意識到數(shù)分與高數(shù)真正的區(qū)別在于何處。先從微積分說起，在國內(nèi)微積分這門課程大致是供文科、經(jīng)濟類學(xué)生選修的，其知識結(jié)構(gòu)非常清晰，主要內(nèi)容就是要說清兩件事：第一件介紹兩種運算，求導(dǎo)與求不定積分，并且說明它們互為逆運算。第二件介紹基礎(chǔ)的微分學(xué)和積分學(xué)，并且給出它們之間的聯(lián)系—Newton-Leibniz公式。這里需要強調(diào)的是，求不定積分作為求導(dǎo)數(shù)的逆運算屬于微分學(xué)而不屬于積分學(xué)，真正屬于積分學(xué)的是Riemann定積分。不定積分與定積分雖然在字面上只差一字，但從數(shù)學(xué)定義來看卻有本質(zhì)的區(qū)別，不定積分是找一個函數(shù)的原函數(shù)，而Riemann定積分則是求Riemann和的極限，事實上它們之間毫無關(guān)系，既存在著沒有原函數(shù)但Riemann可積的函數(shù)，也存在著有原函數(shù)但Riemann不可積的函數(shù)。但無論如何Newton-Leibniz 公式好比一座橋梁溝通了不定積分（微分學(xué)）和定積分（積分學(xué)），這也是Newton-Leibniz公式被稱為微積分基本定理的原因。因此我們可以看出，微積分的核心內(nèi)容就是學(xué)習(xí)兩種新運算，了解兩樣新概念，熟悉一條基本定理而已。
標(biāo)簽： 微積分 高等數(shù)學(xué)
上傳時間： 2022-06-24
上傳用戶：xsr1983
圖1是最經(jīng)典的電路，優(yōu)點是可以在電阻R5上并聯(lián)濾波電容.電阻匹配關(guān)系為R1=R2，R4=R5=2R3；可以通過更改R5來調(diào)節(jié)增益當(dāng)Ui>O時，分析各點電壓正負關(guān)系可知D1截止，D2導(dǎo)通，R1，R2和A1構(gòu)成了反向比例運算器，增益為-1，R4，R3，R5和A2構(gòu)成了反向求和電路，通過R4的支路的增益為-1，通過R3支路的增益為2，等效框圖如下：當(dāng)Ui<0時，分析各點電壓的正負關(guān)系可知，D1導(dǎo)通，D2截止，A1的作用導(dǎo)致R2左端電壓鉗位在0V，A2的反饋導(dǎo)致R3右端電壓鉗位在0V，所以R2、R3支路兩端電位相等，無電流通過，R4，R5和A2構(gòu)成反向比例運算器，增益為-1，輸入阻抗仍為R1R4。因此，此電路的輸出等于輸入的絕對值。此電路的優(yōu)點：輸入阻抗恒等于R1IR4，輸入阻抗低，調(diào)節(jié)R5可調(diào)節(jié)此電路的增益大小，在R5上并聯(lián)電容可實現(xiàn)濾波功能。此電路適用低頻電路，當(dāng)頻率大時，輸出電壓產(chǎn)生偏移，且輸入電壓接近0V時，輸出電壓失真，二極管的選型也非常重要，需選導(dǎo)通壓降大些的。輸入信號小時，也會影響最終輸出。
標(biāo)簽： 精密整流電路
上傳時間： 2022-06-25
上傳用戶：qdxqdxqdxqdx
從典型的表面貼裝工廠的實踐來看，半導(dǎo)體失效原因主要分為與材料有關(guān)的失效、與工藝有關(guān)的失效，以及電學(xué)失效。通常與材料和工藝有關(guān)的失效發(fā)生的較為頻繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有經(jīng)驗的工藝工程師和失效分析工程師可以通過 射線焊點檢測儀、掃描電子顯微鏡、能量分散譜、于同批產(chǎn)品交叉試驗就可以確定失效與否，從而找到真正的原因。本文基于摩托羅拉汽車電子廠的實踐簡要介紹前兩種失效形式，著重研究電學(xué)失效的特點和形式，前兩種失效形式往往需要靠經(jīng)驗來判斷，而電學(xué)失效更需要一定的理論知識給與指導(dǎo)分析。電學(xué)失效中，首先介紹芯片失效分析手段、分析程序，以及國內(nèi)外失效分析實驗室設(shè)備情況，在電學(xué)失效分析中所面臨的最大挑戰(zhàn)是失效點的定位和物理分析，在摩托羅拉汽車電子廠實踐中發(fā)現(xiàn)，對產(chǎn)品質(zhì)量影響最主要的是接孔（Via）失效，它是汽車整車裝配廠客戶的主要抱怨以及影響產(chǎn)品可靠性導(dǎo)致整車召回的主要原因之一。本文基于接孔失效實際案例中的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，討論了接孔失效的失效分布狀態(tài)函數(shù)，回歸了威布爾曲線，計算出分布參數(shù)m和c：在阿列里烏斯（Arhenius）失效模型的基礎(chǔ)上建立了接孔失效模型，并計算模型參數(shù)溫度壽命加速因子，從而估算出受器件影響的產(chǎn)品的壽命。本文目的旨在基于表面貼裝工廠的具體芯片失效統(tǒng)計數(shù)據(jù)，進行實際工程的失效分析，探索企業(yè)建立失效分析以控制產(chǎn)品質(zhì)量、提高產(chǎn)品可靠性的機制
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體芯片
上傳時間： 2022-06-26
上傳用戶：
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
