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大數據分析軟件

  • 超聲波電機之設計及分析

    1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz,超音波(Ultrasonic wave)即爲頻率超過20KHz以上的音波或機械振動,因此超音波馬達就是利用超音波的彈性振動頻率所構成的制動力。超音波馬達的內部主要是以壓電陶瓷材料作爲激發(fā)源,其成份是由鉛(Pb)、結(Zr)及鈦(Ti)的氧化物皓鈦酸鉛(Lead zirconate titanate,PZT)製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體,如銅或不銹鋼,並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲驅動源,以激振彈性體,稱此結構爲定子(Stator),將其用彈簧與轉子Rotor)接觸,將所産生摩擦力來驅使轉子轉動,由於壓電材料的驅動能量很大,並足以抗衡轉子與定子間的正向力,雖然伸縮振幅大小僅有數徵米(um)的程度,但因每秒之伸縮達數十萬次,所以相較於同型的電磁式馬達的驅動能量要大的許多。超音波馬達的優(yōu)點爲:1,轉子慣性小、響應時間短、速度範圍大。2,低轉速可產生高轉矩及高轉換效率。3,不受磁場作用的影響。4,構造簡單,體積大小可控制。5,不須經過齒輸作減速機構,故較爲安靜。實際應用上,超音波馬達具有不同於傳統電磁式馬達的特性,因此在不適合應用傳統馬達的場合,例如:間歇性運動的裝置、空間或形狀受到限制的場所;另外包括一些高磁場的場合,如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動化設備、視聽音響、照相機及光學儀器等皆可應用超音波馬達來取代。

    標簽: 超聲波電機

    上傳時間: 2022-06-17

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  • 基于SDN和NFV的5G移動通信網絡架構分析

    前言AB Research 等調研機構報告顯示,關于第五代移動通信網絡預計在2017年開始確定相關標準,并在2020年時開始正式進行商業(yè)使用,就移動網絡發(fā)展情況來看,隨著網絡速度的不斷提升,網絡流量壓力越顯突出,這樣一來,針對于5G移動通信網絡架構設計問題,成為運營商考慮的重點問題之一,移動通信企業(yè)如何對下一代移動通信系統進行戰(zhàn)昭選擇,對5G概念進行合理有效布局,使5G移動通信網絡架構能夠更加符合市場發(fā)展實際需要,對于移動通信企業(yè)占據市場有利競爭地位來說,具有十分重要的意義。本文關于5G移動通信網絡架構的分析,主費以SDN和NFV技術為主,闡述了SDN和NFV技術在5G移動通信網絡構架中的巨大作用。一、基于SDN和NFV的5G移動通信網絡構架的優(yōu)勢SDN(軟件定義網絡)和NFV(網絡功能虛擬化)是5G移動通信網絡構架的重要組成部分,在實際應用過程中,二者有著各自獨特的優(yōu)勢,這對于促進5G移動通信網絡發(fā)展來說,具有重要的推動作用。SDN是一種網絡創(chuàng)新結構,與5G移動通信網絡進行有機結合,可以更好地發(fā)揮自身優(yōu)勢,并對5G移動通信網絡構建來說,具有一定的指導性意義"。SDN具有以下優(yōu)點:一是能夠控制與轉發(fā)進行分離;二是具有較強的集中化控制能力:三是軟件接口較為廣泛。SDN應用于5G移動通信網絡結構中,可以使網絡設備控制面與數據面進行分離,保留網絡硬件的轉發(fā)功能的同時,上層可進行集中控制,使網絡應用和功能可編程化。5G移動通信運營商在利用SDN時,能夠利用軟件定義網絡替代昂貴的專業(yè)設備,使技術成本大幅度降低,為企業(yè)帶來較大的經濟回報。同時,SON和NFV的特點,使網絡更加開放,更具編程能力,為運營商進行網絡和應用革新打下了堅實的技術星礎。SDN在5G移動通信網絡中應用,使移動網絡功能更加合理和高效,能夠滿足日后不斷增加的接入速率,更好地滿足用戶的上網高要四。

    標簽: sdn nfv 5g 移動通信

    上傳時間: 2022-06-18

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  • LDO環(huán)路分析及補償

    低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Voltage Regulator,LDO)屬于線性穩(wěn)壓器的一種,但由于其壓差較低,相對于一般線性穩(wěn)壓器而言具有較高的轉換效率。但在電路穩(wěn)定性上有所下降,而且LDO有著較高的輸出電阻,使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環(huán)路穩(wěn)定性要求。內容安排上第一節(jié)首先簡單介紹各種線性穩(wěn)壓源的區(qū)別:第二節(jié)介紹LDO中的主要參數及設計中需要考慮折中的一些問題;第三節(jié)對LDO開環(huán)電路的三個模塊,運放模塊,PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析,得出其傳輸函數并判斷其零極點:第四節(jié)針對前面分析的三個LDO環(huán)路模塊分別進行補償考慮,并結合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準電路以及相關啟動電路,保護電路(OTP,OCP等),誤差放大器,調整管(Pass Element)和電阻反饋網絡。在電路上,通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣,誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準電壓(Bandgap Reference),誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等,因此,可以通過控制調整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩(wěn)定。電路所采用的調整管不同,其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩(wěn)壓源的調整管,常見的有NPN穩(wěn)壓源,PNP穩(wěn)壓源(LDO),準LDO穩(wěn)壓源,其調整管如圖2所示,其Dorpout電壓分別是:VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩(wěn)壓源VoRоP =VsurPNP穩(wěn)壓源(LDO)VDRoP=VE + Vsur-準LDO穩(wěn)壓源

    標簽: ldo 環(huán)路分析

    上傳時間: 2022-06-19

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  • PWM整流電路的原理分析

    無論是不控整流電路,還是相控整流電路,功率因數低都是難以克服的缺點.PWM整流電路是采用PWM控制方式和全控型器件組成的整流電路,本文以《電力電子技術 教材為基礎,詳細分析了單相電壓型橋式PWM整流電路的工作原理和四種工作模式.通過對PWM整流電路進行控制,選擇適當的工作模式和工作時間間隔,交流側的電流可以按規(guī)定目標變化,使得能量在交流側和直流側實現雙向流動,且交流側電流非常接近正弦波,和交流側電壓同相位,可使變流裝墨獲得較高的功率因數.:PWM整流電路:功率因數:交流側:直流側傳統的整流電路中,晶閘管相控整流電路的輸入電流滯后于電壓,其滯后角隨著觸發(fā)角的增大而增大,位移因數也隨之降低。同時輸入中諧波分量也相當大、因此功率因數很低。而二極管不控整流電路雖然位移因數接近于1,但輸入電流中諧波分量很大,功率因數也較低。PWM整流電路是采用PWM控制方式和全控型器件組成的整流電路,它能在不同程度上解決傳統整流電路存在的問題。把逆變電路中的SPWM控制技術用于整流電路,就形成了PWM整流電路。通過對PWM整流電路進行控制,使其輸入電流非常接近正弦波,且和輸入電壓同相位,則功率因數近似為1。因此,PWM整流電路也稱單位功率因數變流器。

    標簽: pwm 整流電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅動電路的分析.

    摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數和內部功能方框圖,還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項,對每種驅動芯片進行了IGBT的驅動實驗,通過有關的波形驗證了它們的特點,最后得出結論:IGBT驅動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護、驅動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護1前言電力電子變換技術的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀80年代,為了給高電壓應用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機調速系統的設計中,它是日前最為常見的一種器件。

    標簽: 三相逆變器 igbt 驅動電路

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

  • 大功率器件IGBT散熱分析

    0引言任何器件在工作時都有一定的損耗,大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中,大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗,這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作,必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w,室溫25℃時),必須保證1GBT的結溫T,不超過其最大值Timar 50 ℃),因此必須采用適當的散熱裝置,將熱量傳導到外部環(huán)境。如果散熱裝置設計或選用不當,這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器,確保器件安全、可靠地工作,我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環(huán)境溫度T,求出器件允許的總熱阻R,f-a);:再根據Raf-a)求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-):最后根據Rbf-a)選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊,主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成,它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此,加上1GBT的基極驅動功耗,即構成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外,發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下:

    標簽: 大功率器件 igbt 散熱

    上傳時間: 2022-06-21

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  • 大功率逆變電源IGBT關斷電壓尖峰抑制研究

    自20世紀80年代以來,以IGBT為代表的雙極型復合器件的迅速發(fā)展,使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發(fā)展,逆變技術日趨大容量化、高性能化,這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關件的船大功逆變電源設計中,由于 KBт開關頻率、開關速度的提高以及容量的提升(目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實際應用),流經KBT的電流迅速變化,主電路母線的分布電感產生的瞬時電壓尖峰會施加在KBT兩端,如果處理不當,會使KBT的開關工作軌跡超出器件的SOA(Safe Operation Area安全工作區(qū)域),從而對逆變電源的正常運行構成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關斷時產生電壓尖峰的機理進行了說明,并對影響關斷電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應用疊層復合母排降低了主電路母線的分布電感,通過設計合適的吸收電路改善了開關軌跡,從而抑制關斷電壓尖峰,使大功率逆變電源的開關器件運行在可靠的工作范圍內。

    標簽: 逆變電源 igbt

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:d1997wayne

  • 逆變器IGBT損壞原因分析及處理

    1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線式結構;冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動,每臺電機分別由獨立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來,冷床傳輸鏈運行較為穩(wěn)定,但2007年2月以后,冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)損壞現象,具體故障情況統計見表1由表1可知,冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象,故障代碼是F025和F0272原因分析1)IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看,檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題,并且更換新的IGBT后,系統可以立即正常運行,從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2)IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式,制動電阻直接掛接于直流母線上,當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時,制動單元動作,進行能耗制動;此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象,因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3)由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看,負荷分配相對較為均勻,相互差別僅為2%左右,應該不會造成IGBT損壞。此外,4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象,如果是由于負荷分配不均造成,應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞,因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4)逆變單元容量選擇不合適,裝置容量偏小造成長期過流運行,從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數:額定功率90kw,額定電流186A,負載電流169 A,短時電流254 A,中間同路額定電流221 A,電源電流205 A,電機功率110kw,電機額定電流205 A,電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。

    標簽: 逆變器 igbt

    上傳時間: 2022-06-22

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  • 大數據分析的深度神經網絡方法

    自然語言處理:顛覆傳統自然語言處理模式,突破自然語言處理前沿難關視覺內容理解:將視覺對象和自然語言相結合,打造可用的視覺內容理解產品語音識別:語音識別率大幅上升,入選MIT科技評論2016年十大突破技術

    標簽: 大數據 深度神經網絡

    上傳時間: 2022-06-22

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  • CCD攝像機大視場光學鏡頭的設計

    摘要:為提高CCD攝像機的成像質量,同時使鏡頭結構緊湊、小型化,在大視場光學鏡頭的設計中,引入標準二次曲面和偶次非球面。根據初級像差理論,分析了非球面的位置、初始結構參數的求解規(guī)律。通過理論計算和ZEMAX光學設計軟件的優(yōu)化,給出工作波長為Q~Q7m、全視場角為80,相對孔徑為1:15的鏡頭設計實例。該鏡頭由7塊鏡片組成,包括一個標準二次曲面和兩個8次方非球面;在40p/mm空間頻率處的MTF值超過Q85,全視場畸變小于3%,像質優(yōu)良。關鍵詞:CCD攝像機;大視場;光學鏡頭;非球面引言CCD攝像設備在圖像傳感領域的迅速發(fā)展,成為現代光電子學和測試技術中最為引人關注的研究熱點之一。在科研領域,由于CCD具有靈敏度高、噪聲低、成本低、小而輕等優(yōu)點,已成為研究宏觀(如天體)和微觀(如生物細胞)現象不可缺少的工具。在國防軍事領域,CCD成像技術在微光、夜視及遙感應用中發(fā)揮著巨大的作用??傊?,在各類光電成像領域中,它已逐步取代了真空攝像管的成像系統。

    標簽: ccd 攝像機

    上傳時間: 2022-06-23

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