通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大,作速度越低。管子的開關(guān)時間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”,做為器件性能的一個重要指標,其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
上傳時間: 2013-11-22
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本應用指南介紹了Pierce振蕩器的基本知識,并提供一些指導作法來幫助用戶如何規(guī)劃一個好的振蕩器設計,如何確定不同的外部器件的具體參數(shù)以及如何為振蕩器設計一個良好的印刷電路板。
上傳時間: 2013-11-06
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本文的目的在于,介紹如何計算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機中的繞組感應。我們僅處理理想化的氣隙磁場,不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動勢(MMF)的空間諧頻。 在圖1中,給出了12槽定子的軸截面示意圖。實際上,所顯示的是薄鋼片的形狀,或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成,以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變,在60Hz的電機中(大體積電機,工業(yè)用)層片的厚度典型為.014”(.355毫米)。它們堆疊在一起,以構(gòu)成具有恰當長度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中,給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽,在大部分長度方向上具有近乎均勻的截面,靠近氣隙處較寬。齒端與相對狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起,通過改善氣隙場的均勻性、增加氣隙磁導、將繞組保持在槽中,有助于控制很多電機轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請注意,對于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機,它具有直邊矩形槽,以及非均勻截面齒。下面的介紹針對兩類電機。
上傳時間: 2013-10-13
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實驗八 集成運算放大器一、實驗目的1.學習集成運算放大器的使用方法。2.掌握集成運算放大器的幾種基本運算方法。二、預習內(nèi)容及要求集成運算放大器是具有高開環(huán)放大倍數(shù)的多級直接耦合放大電路。在它外部接上負反饋支路和一定的外圍元件便可組成不同運算形式的電路。本實驗只對反相比例、同相比例、反相加法和積分運算進行應用研究。1.圖1是反相比例運算原理圖。反相比例運算輸出電壓 和輸入電壓 的關(guān)系為:
標簽: 集成運算放大器
上傳時間: 2013-11-10
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緒論 3線性及邏輯器件新產(chǎn)品優(yōu)先性計算領(lǐng)域4PCI Express®多路復用技術(shù)USB、局域網(wǎng)、視頻多路復用技術(shù)I2C I/O擴展及LED驅(qū)動器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護服務器/存儲10GTL/GTL+至LVTTL轉(zhuǎn)換PCI Express信號開關(guān)多路復用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護消費醫(yī)療16電源管理信號調(diào)節(jié)I2C總線輸入/輸出擴展電平轉(zhuǎn)換靜電放電保護 手持設備22電平轉(zhuǎn)換音頻信號路由I2C基帶輸入/輸出擴展可配置小邏輯器件靜電放電保護鍵區(qū)控制娛樂燈光顯示USB接口工業(yè)自動化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機控制保持及控制:I2C I/O擴展信號調(diào)節(jié)便攜式工業(yè)(掌上電腦/掃描儀) 36多路復用USB外設卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護 對于任意外部接口連接器的端口來說,靜電放電的沖擊一直是對器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統(tǒng)級的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級的人體模型(HBM)靜電放電保護,但無法應付系統(tǒng)級的靜電放電。一個卓越的靜電放電解決方案應該是一個節(jié)省空間且經(jīng)濟高效的解決方案,可保護系統(tǒng)的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。
上傳時間: 2013-10-18
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DAC34H84 是一款由德州儀器(TI)推出的四通道、16 比特、采樣1.25GSPS、功耗1.4W 高性能的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。支持625MSPS 的數(shù)據(jù)率,可用于寬帶與多通道系統(tǒng)的基站收發(fā)信機。由于無線通信技術(shù)的高速發(fā)展與各設備商基站射頻拉遠單元(RRU/RRH)多種制式平臺化的要求,目前收發(fā)信機單板支持的發(fā)射信號頻譜越來越寬,而中頻頻率一般沒有相應提高,所以中頻發(fā)射DAC 發(fā)出中頻(IF)信號的二次諧波(HD2)或中頻與采樣頻率Fs 混疊產(chǎn)生的信號(Fs-2*IF)離主信號也越來越近,因此這些非線性雜散越來越難被外部模擬濾波器濾除。這些子進行pcb設計布局,能取得較好的信號完整性效果,可以在pcb打樣后,更放心。這些雜散信號會降低發(fā)射機的SFDR 性能,優(yōu)化DAC 輸出的二次諧波性能也就變得越來越重要。
上傳時間: 2013-10-23
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Altium Designer 6 三維元件庫建模教程 文檔名稱:AD系列軟件三維元件庫建模教程 文檔描述:介紹在 AltiumDesigner集成開發(fā)平臺下三維模型建立和使用方法 文檔版本:V1.0 作 者:林加添(lineay) 編寫時間:2009 年1 月 QQ:181346072 第一章:介紹 在傳統(tǒng)的電子整機設計過程中,電路設計部門和結(jié)構(gòu)設計部門(或者由外部設計工作室設計)往往是被分為 兩個完全獨立的部門,因此在新產(chǎn)品開發(fā)過程中,都是結(jié)構(gòu)設計好了,然后出內(nèi)部 PCB 位置圖給 PCB 工程師, 而結(jié)構(gòu)工程師并不了解電路設計過程中一些要點。對 PCB布局一些高度較高元器件位置很多并不符合 PCB 工程 師電路設計的要求。以至 PCB 工程師不得不將就結(jié)構(gòu)工程師所設計的元件布局。最后產(chǎn)品出來時,因為 PCB 布 局不合理等各種因素,問題百出。這不僅影響產(chǎn)品開發(fā)速度。也會導致企業(yè)兩部門之間發(fā)生沖突。 然而目前國內(nèi)大多的電子企業(yè)都是停留于這種狀態(tài),關(guān)鍵原因目前電路部門和結(jié)構(gòu)部門沒有一個有效、快捷 的軟件協(xié)作接口來幫助兩個部分之間更好協(xié)調(diào)工作、來有效提高工作效率。而面對競爭日益激烈的市場。時間就 是金錢,產(chǎn)品開發(fā)周期加長而導致開發(fā)成本加劇,也延誤了產(chǎn)品上市的時間。這不僅降低了企業(yè)在市場的競爭力 也加速了企業(yè)倒退的步伐。對于企業(yè)來說,都希望有一個有效的協(xié)調(diào)接口來加速整機的開發(fā)速度,從而提高產(chǎn)品
上傳時間: 2013-10-22
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文章針對基板材料的介電常數(shù)與介電損耗的關(guān)系加以論述,并對它們與外部環(huán)境的關(guān)系做出相應的闡述,使得在PCB的制造中對各種基板材料進行合理正確的評估和使用。
上傳時間: 2013-11-04
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集成電路封裝不僅起到集成電路芯片內(nèi)鍵合點與外部進行電氣連接的作用,也為集成電路芯片提供了一個穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境,對集成電路芯片起到機械或環(huán)境保護的作用,從而集成電路芯片能夠發(fā)揮正常的功能,并保證其具有高穩(wěn)定性和可靠性。總之,集成電路封裝質(zhì)量的好壞,對集成電路總體的性能優(yōu)劣關(guān)系很大。因此,封裝應具有較強的機械性能、良好的電氣性能、散熱性能和化學穩(wěn)定性。
上傳時間: 2013-11-30
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數(shù)字地模擬地的布線規(guī)則,如何降低數(shù)字信號和模擬信號間的相互干擾呢?在設計之前必須了解電磁兼容(EMC)的兩個基本原則:第一個原則是盡可能減小電流環(huán)路的面積;第二個原則是系統(tǒng)只采用一個參考面。相反,如果系統(tǒng)存在兩個參考面,就可能形成一個偶極天線(注:小型偶極天線的輻射大小與線的長度、流過的電流大小以及頻率成正比);而如果信號不能通過盡可能小的環(huán)路返回,就可能形成一個大的環(huán)狀天線(注:小型環(huán)狀天線的輻射大小與環(huán)路面積、流過環(huán)路的電流大小以及頻率的平方成正比)。在設計中要盡可能避免這兩種情況。 有人建議將混合信號電路板上的數(shù)字地和模擬地分割開,這樣能實現(xiàn)數(shù)字地和模擬地之間的隔離。盡管這種方法可行,但是存在很多潛在的問題,在復雜的大型系統(tǒng)中問題尤其突出。最關(guān)鍵的問題是不能跨越分割間隙布線,一旦跨越了分割間隙布線,電磁輻射和信號串擾都會急劇增加。在PCB設計中最常見的問題就是信號線跨越分割地或電源而產(chǎn)生EMI問題。 如圖1所示,我們采用上述分割方法,而且信號線跨越了兩個地之間的間隙,信號電流的返回路徑是什么呢?假定被分割的兩個地在某處連接在一起(通常情況下是在某個位置單點連接),在這種情況下,地電流將會形成一個大的環(huán)路。流經(jīng)大環(huán)路的高頻電流會產(chǎn)生輻射和很高的地電感,如果流過大環(huán)路的是低電平模擬電流,該電流很容易受到外部信號干擾。最糟糕的是當把分割地在電源處連接在一起時,將形成一個非常大的電流環(huán)路。另外,模擬地和數(shù)字地通過一個長導線連接在一起會構(gòu)成偶極天線。
上傳時間: 2013-10-23
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