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填空題

  • sql經典試卷及答案

    sql經典試卷及答案,需要的朋友請下載,包括(選擇,填空。。。。)

    標簽: sql 試卷

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:hgy9473

  • 完整的敘述如何開發即時中文辨識軟體

    完整的敘述如何開發即時中文辨識軟體,此為大學專題報告

    標簽:

    上傳時間: 2017-06-16

    上傳用戶:頂得柱

  • vbsql學習源碼

    vbsql學習源碼,適合一般初學者,如有問題,麻煩請指教一下

    標簽: vbsql

    上傳時間: 2017-07-04

    上傳用戶:himbly

  • 這是個prolog程式

    這是個prolog程式,能解決4x4的數獨問題 例: ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]

    標簽: prolog 程式

    上傳時間: 2017-07-21

    上傳用戶:rocwangdp

  • C程式語pdf檔案

    1 C 語語語言言言 簡簡簡介介介 5 1.1 C 語言 歷史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2 程 式 語言 分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 1.3 程 式 撰 寫步 驟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2 vi 編編編 輯輯輯 器器器 9 2.1 vi 與 vim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.2 vi 的使用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.3 vim 的額外功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 2.4 vi 實 機練習 題 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 3 程程程 式式式開開開發發發環環環 境境境 23 3.1 編譯器 gcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 3.2 撰 寫第一 支程 式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

    標簽: C程式語 pdf

    上傳時間: 2015-03-16

    上傳用戶:十字騎士

  • 計算方法試題及答案

    學校考試用的那種,需要下載吧,考試填空題有很多一樣的

    標簽: 計算方法 試題

    上傳時間: 2016-12-28

    上傳用戶:dayatu

  • 數字電子技術期中測試

    數字電子電路的期中測試題,word文檔,填空、單選、化簡和設計題。

    標簽: 數字電子技術 測試

    上傳時間: 2018-10-13

    上傳用戶:leeh

  • 《Java 基礎入門》課后習題答案

    《Java 基礎入門》課后習題答案 第 1 章 Java 開發入門 一、填空題 1、 Java EE、Java SE、Java ME 2、 JRE 3、 javac 4、 bin 5、 path、classpath

    標簽: Java

    上傳時間: 2019-05-20

    上傳用戶:123456yzj

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • ESD_Technology

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程 的演進,元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些 可靠度的問題。

    標簽: ESD_Technology

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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