闡述了接地故障的判別方法及對策,并在此基礎上研究了小電流接地系統單相接地的選線方案。實驗證明,該系統可準確地對單項接地故障進行確認并報警。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：alan-ee
本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
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1、殘壓低：在8/20US波形、3KA沖擊電流測試，殘壓低于700v。2、全保護模式，具有相對中、相對地、中對地全方位保護。3、設計壽命長，可達20年，高級的失效前告警，環境溫度范圍寬，具有正常才華故障顯示，適合各種環境使用，便于維護。4、工作電壓寬，最高可達562V，特別適合電網不穩定的現狀。5、創造性的Sovtrip多重熱切除技術，預見到了未來行業標準的要求，使有缺陷或異常的電源安全斷開。
上傳時間： 2013-10-14
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n保護電器在低壓配電系統中占有重要地位 n配電線路發生故障保護主要器件——低壓熔斷器和低壓斷路器 n正確選擇和整定電器參數 * 國家標準—《低壓配電設計規范》(GB 50054-95); * 按照配電系統的狀況和計算的故障電流值 (短路電流和接地故障電流等) * 正確整定保護電器的參數 * 有選擇地切斷故障，即只切斷發生故障的一段電路，而不切斷上級配電線路。
上傳時間： 2013-10-26
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隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
上傳時間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
適用于51單片機的串口發n
上傳時間： 2014-12-25
上傳用戶：qingzhuhu
89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽： 矩陣鍵盤
上傳時間： 2014-12-26
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為提高太陽能的利用率，以ATmega8單片機為控制核心，設計了一套光電跟蹤與視日運動軌跡跟蹤互補控制的雙軸太陽跟蹤器。該跟蹤器在晴天時，利用光敏電阻采集光強判斷太陽位置,控制步進電機實現光電跟蹤；在陰天時，采集時鐘器件PCF8583的時間信息,計算當前太陽位置來實現視日運動軌跡跟蹤。實驗表明：該太陽跟蹤器能在不同天氣狀況下對太陽進行較準確地跟蹤，能量接收效率提高了30%，達到充分利用太陽能的目的。 Abstract: To improve the utilization rate of solar energy，a kind of solar tracking controller which effectively combined the sun angle tracking and photo electric tracking based on ATmega8is designed.In the sunny days，the solar tracking con-troller determines the sun's position by using photosensitive resistances to collect light intensity and control stepper motors to achieve photo electric tracking，n cloudy days，it collects clock chip PCF8583time information to calculate the current position of the sun and achieve the sun angle tracking.Experimental results show the solar tracking controller accurately tracks the sun in different weather conditions，improves received energy efficiency by30%and reaches the purpose of full use of solar energy.
上傳時間： 2013-10-15
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8051單片機系統擴展與接口技術:第一節 8051 單片機系統擴展概述第二節 單片機外部存儲器擴展第三節 單片機輸入輸出（I/O）口擴展及應用第四節 LED顯示器接口電路及顯示程序第五節 單片機鍵盤接口技術第六節 單片機與數模（D／A）及模數（A／D）轉換1、地址總線（Address Bus，簡寫為AB）地址總線可傳送單片機送出的地址信號，用于訪問外部存儲器單元或I/O端口。A 地址總線是單向的，地址信號只是由單片機向外發出。B 地址總線的數目決定了可直接訪問的存儲器單元的數目。例如N位地址，可以產生2N個連續地址編碼，因此可訪問2N個存儲單元，即通常所說的尋址范圍為 2N個地址單元。MCS—51單片機有十六位地址線，因此存儲器展范圍可達216 = 64KB地址單元。C 掛在總線上的器件，只有地址被選中的單元才能與CPU交換數據，其余的都暫時不能操作，否則會引起數據沖突。2、數據總線（Data Bus，簡寫為DB）數據總線用于在單片機與存儲器之間或單片機與I/O端口之間傳送數據。A 單片機系統數據總線的位數與單片機處理數據的字長一致。例如MCS—51單片機是8位字長，所以數據總線的位數也是8位。B 數據總線是雙向的，即可以進行兩個方向的數據傳送。3、控制總線（Control Bus，簡寫為CB）控制總線實際上就是一組控制信號線，包括單片機發出的，以及從其它部件送給單片機的各種控制或聯絡信號。對于一條控制信號線來說，其傳送方向是單向的，但是由不同方向的控制信號線組合的控制總線則表示為雙向的。總線結構形式大大減少了單片機系統中連接線的數目，提高了系統的可靠性，增加了系統的靈活性。此外，總線結構也使擴展易于實現，各功能部件只要符合總線規范，就可以很方便地接入系統，實現單片機擴展。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：assef
地彈的形成：芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。 簡單的構造如上圖的一個小“場景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感LG，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值，不過，通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。（很老的一個軟件，很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。）因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。（實際200M以上芯片IO電壓會比較低，多采用1.5－2.5V。）
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上傳時間： 2013-10-17
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