Proteus6.7是目前最好的模擬單片機外圍器件的工具，真的很不錯。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外圍電路（如LCD，RAM，ROM，鍵盤，馬達，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其實proteus與multisim比較類似，只不過它可以仿真MCU！
上傳時間： 2013-09-29
上傳用戶：swz13842860183
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點接觸器件（QPC）內的電勢分布和二維電子氣層的電子密度分布的準三維模型及模擬方法,并將模擬結果與傳統的Buttiker鞍型電勢分布進行比較。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：ZOULIN58
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對整機應用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電，以保護CMOS器件不受損傷。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：yupw24
模擬轉換器性能不只依賴分辨率規格 大量的模數轉換器(ADC)使人們難以選擇最適合某種特定應用的ADC器件。工程師們選擇ADC時，通常只注重位數、信噪比(SNR)、諧波性能，但是其它規格也同樣重要。本文將介紹ADC器件最易受到忽視的九項規格，并說明它們是如何影響ADC性能的。 1. SNR比分辨率更為重要。 ADC規格中最常見的是所提供的分辨率，其實該規格并不能表明ADC器件的任何能力。但可以用位數n來計算ADC的理論SNR： 不 過工程師也許并不知道，熱噪聲、時鐘抖動、差分非線性(DNL)誤差以及其它參數異常都會限制ADC器件的SNR。對于高性能高分辨率轉換器尤其如此。一 些數據表提供有效位數(ENOB)規格，它描述了ADC器件所能提供的有效位數。為了計算ADC的ENOB值，應把測量的SNR值放入上述公式，并求解 n。
上傳時間： 2014-12-22
上傳用戶：z240529971
緒論 3線性及邏輯器件新產品優先性計算領域4PCI Express®多路復用技術USB、局域網、視頻多路復用技術I2C I/O擴展及LED驅動器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護服務器/存儲10GTL/GTL+至LVTTL轉換PCI Express信號開關多路復用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護消費醫療16電源管理信號調節I2C總線輸入/輸出擴展電平轉換靜電放電保護 手持設備22電平轉換音頻信號路由I2C基帶輸入/輸出擴展可配置小邏輯器件靜電放電保護鍵區控制娛樂燈光顯示USB接口工業自動化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機控制保持及控制：I2C I/O擴展信號調節便攜式工業（掌上電腦/掃描儀） 36多路復用USB外設卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護 對于任意外部接口連接器的端口來說，靜電放電的沖擊一直是對器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統級的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級的人體模型(HBM)靜電放電保護，但無法應付系統級的靜電放電。一個卓越的靜電放電解決方案應該是一個節省空間且經濟高效的解決方案，可保護系統的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：mikesering
