恒流源（vCCS）的研究歷經(jīng)數(shù)十年，從早期的晶體管恒流源到現(xiàn)在的集成電路恒流源恒定電流在各個領(lǐng)域的廣泛使用激發(fā)起人們對恒流源的研究不斷深入和多樣化。穩(wěn)恒電流在加速器中的使用是加速器結(jié)構(gòu)改善的一個標(biāo)志。從早期的單一依靠磁場線圈到加入勻場環(huán)，到校正線圈的使用，束流輸運系統(tǒng)的改進有效地提高了束流的品質(zhì)，校正線圈是光刻于印制電路板上的導(dǎo)線圈，將其按照方位角放置在加速腔內(nèi)，通電后，載流導(dǎo)線產(chǎn)生的橫向磁場就可以起到校正偏心束流的作用。顯然，穩(wěn)定可調(diào)的恒流源是校正線圈有效工作的必要條件。針對現(xiàn)在加速粒子能量的提高，對校正線圈提出了新的供電需求，本文就這一需求研究了基于功率運算放大器的兩種壓控恒流源，為工程應(yīng)用做技術(shù)儲備。1設(shè)計思路用于校正線圈的恒流源供聚焦和補償時使用輸出功率不大，但要求調(diào)節(jié)精度高，穩(wěn)定性好，紋波小。具體技術(shù)參數(shù)為：輸出電流0~5A調(diào)節(jié)范圍0.1~5.0A；調(diào)節(jié)精度5mA；負載電阻35；紋波穩(wěn)定度優(yōu)于1（相對5A）；基準(zhǔn)電壓模塊型號為REFo1而常用作恒流電源的電真空器件穩(wěn)定電流建立時間長，場效應(yīng)管夾斷電壓高、擊穿電壓低恒流區(qū)域窄，因此，我們選取了體積小效率高電流調(diào)節(jié)范圍寬的放大器恒流源作為研究方向?qū)嶒灮镜脑O(shè)計思路是通過電源板將市電降壓、整流、濾波后送入高精度電壓基準(zhǔn)源得到直流電壓，輸入功率運算放大器，在輸出端得到放大的電流輸出，如圖1所示。
標(biāo)簽： 運算放大器
上傳時間： 2022-04-24
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點eMMC目前是最當(dāng)紅的移動設(shè)備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設(shè)計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計，過去并沒有哪個技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機客戶也都要重新設(shè)計， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來。eMMC的設(shè)計概念，就是為了簡化手機內(nèi)存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優(yōu)點是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標(biāo)簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
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基于Proteus仿真前言：本文詳細介紹了DS18B20原理，并在后面舉例說明了其在單片機中的應(yīng)用，所舉例子包含Proteus仿真電路圖，源程序，程序注釋詳細清楚。1、DS18B20簡介：DS18B20溫度傳感器是DALLAS公司生產(chǎn)的1-wire式單總線器件，具有線路簡單，體積小的特點，用它組成的溫度測量系統(tǒng)線路非常簡單，只要求一個端口即可實現(xiàn)通信。溫度測量范圍在一55℃~+125℃之間，分辨率可以從9~12位選擇，內(nèi)部還有溫度上、下限報警設(shè)置。每個DS18B20芯片都有唯一的序列號，所以可以利用多個DS18B20同時連接在同一條總線上，組成多點測溫系統(tǒng)。但最多只能連接8個，如果數(shù)量過多，會使供電電源電壓過低，從而造成信號傳輸?shù)牟环€(wěn)定。2、DS18B20結(jié)構(gòu)：如右圖所示，DS18B20有三只引腳，VCC、DQ和GND。DQ為數(shù)字信號輸入/輸出端（DQ一般接控制器（單片機）的一個1/0口上，由于單總線為開漏所以需要外接一個4.7K的上拉電阻）；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地）。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開始8位是產(chǎn)品類型標(biāo)號，接著的48位是該DS1B20自身的序列號，最后8位是前面56位的CRC校驗碼（循環(huán)冗余校驗碼）。光刻ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現(xiàn)一根總線上掛接多個DS18B20的目的。溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉(zhuǎn)化為例，用16位符號擴展的二進制補碼讀數(shù)形式提供。
上傳時間： 2022-07-02
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本書是一部介紹半導(dǎo)體集成電路和器件技術(shù)的專業(yè)書籍。其英文版在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有很高的聲譽．被列為業(yè)界最暢銷的書籍之一，第五版的出版就是最好的證明。 本書的范圍包括半導(dǎo)體工藝的每個階段．從原材料制備到封裝、測試以及傳統(tǒng)和現(xiàn)代工藝。每章包含有習(xí)題和復(fù)習(xí)總結(jié)，并輔以豐富的術(shù)語表。本書主要特點是簡潔明了，避開了復(fù)雜的數(shù)學(xué)理論．非常便于讀者理解。本書與時俱進地加入了半導(dǎo)體業(yè)界的最新成果．可使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的最新趨勢。本書可作為離等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)和職業(yè)技術(shù)培訓(xùn)的教材，也可作為半導(dǎo)體專業(yè)人員的參考書。本版新增內(nèi)容? 納米技術(shù)? "綠色”工藝和器件? 300 mm 昆圖 工藝? 新的制造技術(shù)提升? 下一代光刻技術(shù)
標(biāo)簽： 芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程
上傳時間： 2022-07-16
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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集：300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學(xué)機械拋光技術(shù)的研究進展.pdf化學(xué)機械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf化學(xué)機械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學(xué)機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
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半導(dǎo)體切片 保存到我的百度網(wǎng)盤 下載 芯片封裝詳細圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機張刀對切片質(zhì)量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內(nèi)圓切片機設(shè)計.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導(dǎo)體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導(dǎo)體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導(dǎo)體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝技術(shù).ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工業(yè)簡介-簡體中文...ppt 半導(dǎo)體清洗 新型半導(dǎo)體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導(dǎo)體清洗技術(shù).pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術(shù)的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導(dǎo)體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體清洗技術(shù)面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓自動清洗設(shè)備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的污染雜質(zhì)及清洗技術(shù).pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體第五講硅片清洗(4課時).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).doc 半導(dǎo)體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術(shù)及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學(xué)機械拋光技術(shù)的研究進展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 半導(dǎo)體研磨 半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體硅材料研磨液研究進展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識.pdf
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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第四版）課件 康華光主編 PPT格式
標(biāo)簽： 模擬電子 技術(shù)基礎(chǔ)
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光測原理和技術(shù)
標(biāo)簽：
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東光元器件樣本
上傳時間： 2013-06-14
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上海巨馬電氣 光電,接近,光纖,光幕,冷熱金屬檢測 等傳感器樣本
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