一、IGBT 驅動1 驅動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。典型的驅動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅動電路示意圖Q1,Q2 為驅動功率推挽放大,通過光耦隔離后的信號需通過Q1,Q2 推挽放大。選擇Q1,Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅動電路時,需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大,因此IGBT 關斷時,最好加一個負偏電壓,且負偏電壓比MOSFET 大, IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內;開通時,驅動電壓最佳值為15V 10% ,15V 的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和,這時通態壓降也比較低,同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V ,則IGBT 通態損耗較大, IGBT 處于欠壓驅動狀態;若 VGE >20V ,則難以實現電流的過流、短路保護,影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅動功率的計算由于IGBT 是電壓驅動型器件,需要的驅動功率值比較小,一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT ,或要求并聯運行的IGBT 則需要考慮驅動功率。IGBT 柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE( ON )和關斷 VGE( off ) 電壓,柵極總電荷 QG 和開關 f 的影響。柵極驅動電源的平均功率 PAV 計算公式為:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,則 PAV 簡化為: PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關頻率。柵極峰值電流 I GP 為:
標簽:
電子元器件
igbt
上傳時間:
2022-06-21
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