本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產品的可靠性，實現了大規模量產。
流程（一）介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司（ASMC）
開發的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應力工藝，通過機械應力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監控，大幅度提高了產品良率，本論文的研究課題來源于企業的大規模生產實踐，對于同類的低壓低導通電阻VDMOS產品有實用的參考意義。
流程（二）討論了在半導體器件中應用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創的刻蝕-淀積-合金以及應力控制同時完成的方案。通過這種技術，使得金硅合金質量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業獲得了很好的效益。
資源簡介：本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產品的可靠性，實現了大規模量產。流程（一）介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司（ASMC）...
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