功能：用斐波那契法求f(x)在區間[a,b]上的近似極小值。當且僅當f(x)在[a,b]上為單峰時次方法適用
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上傳時間： 2013-12-24
上傳用戶：csgcd001
黃金分割法求極小值 功能：用黃金分割法求f(x)在區間[a,b]上的近似極小值。當且僅當f(x)在[a,b]上為單峰時次方法適用
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上傳時間： 2016-12-18
上傳用戶：小鵬
/* * EULER S ALGORITHM 5.1 * * TO APPROXIMATE THE SOLUTION OF THE INITIAL VALUE PROBLEM: * Y = F(T,Y), A<=T<=B, Y(A) = ALPHA, * AT N+1 EQUALLY SPACED POINTS IN THE INTERVAL [A,B]. * * INPUT: ENDPOINTS A,B INITIAL CONDITION ALPHA INTEGER N. * * OUTPUT: APPROXIMATION W TO Y AT THE (N+1) VALUES OF T. */
標簽： APPROXIMATE ALGORITHM THE SOLUTION
上傳時間： 2015-08-20
上傳用戶：zhangliming420
【歐拉算法】 微分方程的本質特征是方程中含有導數項,數值解法的第一步就是...歐拉(Euler)算法是數值求解中最基本、最簡單的方法,但其求解精度較低,一般不在...對于常微分方程: dy/dx=f(x,y),x∈[a,b] y(a)=y0 可以將區
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：www240697738
learningMatlab PhÇ n 1 c¬ së Mat lab Ch ¬ ng 1: Cµ i ® Æ t matlab 1.1.Cµ i ® Æ t ch ¬ ng tr×nh: Qui tr×nh cµ i ® Æ t Matlab còng t ¬ ng tù nh viÖ c cµ i ® Æ t c¸ c ch ¬ ng tr×nh phÇ n mÒ m kh¸ c, chØ cÇ n theo c¸ c h íng dÉ n vµ bæ xung thª m c¸ c th« ng sè cho phï hî p. 1.1.1 Khë i ® éng windows. 1.1.2 Do ch ¬ ng tr×nh ® î c cÊ u h×nh theo Autorun nª n khi g¾ n dÜ a CD vµ o æ ® Ü a th× ch ¬ ng tr×nh tù ho¹ t ® éng, cö a sæ
標簽： learningMatlab 172 199 173
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：lanwei
·作 者： 袁任光 I S B N： 7111144716 頁 數： 676 開 本： 32開 重 量： 460克 封面形式： 簡裝本 出 版 社： 機械工業出版社 本社特價書 出版日期： 2004-7-1 定 價： 30元
上傳時間： 2013-07-05
上傳用戶：LouieWu
計算這個智力題： 在這個乘法算式里，每一個字母代表著0-9中的一個數，不同字母代表不同數。 A B C D E F G H * A J --------------------- E J A H F D G K C B D F H A J E C --------------------- C C C C C C C C C 請問，C 代表哪個數字？
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：stampede
找一個最小的自然數，使它等于不同的兩組三個自然數的三次冪之和，即找最小的x，使得：x=a*a*a+b*b*b+c*c*c = d*d*d+e*e*e+f*f*f 其中，a,b,c,d,e,f都是自然數,a<=b<=c, d<=e<=f [a,b,c]!=[d,e,f] 進一步，是否還存在另外一個自然數滿足上述條件，可能的話請輸出其結果
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上傳時間： 2017-05-16
上傳用戶：vodssv
工業領域串口通信速度慢是個比較突出的問題， 而 F T 2 4 5 B M 能夠進行 US B和并行 I ／ O口之間的 協議轉換， 在一些條件下能夠取代串口． 介紹 F T 2 4 5 B M 芯片的工作原理和功能， 并給出基于 F T2 4 5 B M 的 US B接口電路的應用設計和基于 8 9 c 5 2的匯編及 c 5 1 單片機源程序．
上傳時間： 2017-05-27
上傳用戶：kytqcool
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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