用verilog設計密勒解碼器 一、題目： 設計一個密勒解碼器電路 二、輸入信號： 1． DIN：輸入數據 2． CLK：頻率為2MHz的方波，占空比為50％ 3． RESET：復位信號，低有效 三、輸入信號說明： 輸入數據為串行改進密勒碼，每個碼元持續時間為8μs，即16個CLK時鐘；數據流是由A、B、C三種信號組成； A：前8個時鐘保持“1”，接著5個時鐘變為“0”，最后3個時鐘為“1”。 B：在整個碼元持續時間內都沒有出現“0”，即連續16個時鐘保持“1”。 C：前5個時鐘保持“0”，后面11個時鐘保持“1”。 改進密勒碼編碼規則如下： 如果碼元為邏輯“1”，用A信號表示。 如果碼元為邏輯“0”，用B信號表示，但以下兩種特例除外：如果出現兩個以上連“0”，則從第二個“0”起用C信號表示；如果在“通信起始位”之后第一位就是“0”，則用C信號表示，以下類推； “通信起始位”，用C信號表示； “通信結束位”，用“0”及緊隨其后的B信號表示。 “無數據”，用連續的B信號表示。
上傳時間： 2013-12-02
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利用動態密勒補償電路解決LDO的穩定性問題:針對LDO穩壓器的穩定性問題，設計了一種新穎的動態密勒補償電路8與傳統方法相比，該電路具有恒定的帶寬，大大提高了系統的瞬態響應性能，同時將開環增益提高了，左右使6LDO穩壓器具有較高的電壓調整率和負載調整率。通過具體投片，驗證了該方法的正確性和可行性。關鍵詞：低壓降穩壓器，動態密勒補償，穩定性，P型場效應管電容器
上傳時間： 2013-10-24
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密勒碼最初用于氣象衛星和磁記錄，現在也用于低速基帶數傳機。本文件是密勒碼解碼源碼。
上傳時間： 2014-01-27
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A. 產生一個長為1000的二進制隨機序列，“0”的概率為0.8，”1”的概率為0.2；B. 對上述數據進行歸零AMI編碼，脈沖寬度為符號寬度的50%，波形采樣率為符號率的8倍，畫出前20個符號對應的波形（同時給出前20位信源序列）；C. 改用HDB3碼，畫出前20個符號對應的波形；D. 改用密勒碼，畫出前20個符號對應的波形；E. 分別對上述1000個符號的波形進行功率譜估計，畫出功率譜；F. 改變信源“0”的概率，觀察AMI碼的功率譜變化情況；
上傳時間： 2015-03-16
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近年來，以電池作為電源的微電子產品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設計技術正成為微電子行業研究的熱點之一。 在模擬集成電路中，運算放大器是最基本的電路，所以設計低電壓、低功耗的運算放大器非常必要。在實現低電壓、低功耗設計的過程中，必須考慮電路的主要性能指標。由于電源電壓的降低會影響電路的性能，所以只實現低壓、低功耗的目標而不實現優良的性能(如高速)是不大妥當的。 論文對國內外的低電壓、低功耗模擬電路的設計方法做了廣泛的調查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優缺點，在吸收這些成果的基礎上設計了一個3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運算放大器。在設計輸入級時，選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結構；為穩定運放輸出共模電壓，設計了共模負反饋電路，并進行了共模回路補償；在偏置電路設計中，電流鏡負載并不采用傳統的標準共源-共柵結構，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結構；為了提高效率，在設計時采用了推挽共源極放大器作為輸出級，輸出電壓擺幅基本上達到了軌對軌；并采用帶有調零電阻的密勒補償技術對運放進行頻率補償。 采用標準的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數，對整個運放電路進行了設計，并通過了HSPICE軟件進行了仿真。結果表明，當接有5 pF負載電容和20 kΩ負載電阻時，所設計的CMOS運放的靜態功耗只有9.6 mW，時延為16.8ns，開環增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設計的BiCMOS運放的靜態功耗達到10.2 mW，時延為12.7 ns，開環增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項技術指標都達到了設計要求。
標簽： CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時間： 2013-06-29
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給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進行比較,結果驗證了共源共柵密勒補償技術相對于直接密勒補償技術的優越性.
上傳時間： 2013-10-14
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加密的步驟 1) 計算N的有效位數tn（以字節數計），將最高位的零忽略掉，令tn1＝tn－1。比如N＝0x012A05，其有效位數tn＝5，tn1＝4。 2) 將明文數據A分割成tn1位（以字節數計）的塊，每塊看成一個大數，塊數記為bn。從而，保證了每塊都小于N。 3) 對A的每一塊Ai進行Bi＝Ai^E MOD N運算。Bi就是密文數據的一塊，將所有密文塊合并起來，就得到了密文數據B。
上傳時間： 2014-12-05
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part1也已上傳：https://dl.21ic.com/download/part1-385449.html 本書系統介紹電容器的基礎知識及在各種實際應用電路中的工作原理，包括 RC 積分、 RC 微分、濾波電容、旁路電容、去耦電容、耦合電容、諧振電容、自舉電容、 PN 結電容、加速電容、密勒電容、安規電容等。本書強調工程應用，包含大量實際工作中的應用電路案例講解，涉及高速 PCB、高頻電子、運算放大器、功率放大、開關電源等多個領域，內容豐富實用，敘述條理清晰，對工程師系統掌握電容器的實際應用有很大的幫助，可作為初學者的輔助學習教材，也可作為工程師進行電路設計、制作與調試的參考書。第 1 章 電容器基礎知識第 2 章 電容器標稱容值為什么這么怪第 3 章 電容器為什么能夠儲能第 4 章 介電常數是如何提升電容量的第 5 章 介質材料是如何損耗能量的第 6 章 絕緣電阻與介電常數的關系第 7 章 電容器的失效模式第 8 章 RC 積分電路的復位應用第 9 章 門電路組成的積分型單穩態觸發器第 10 章 555 定時芯片應用：單穩態負邊沿觸發器第 11 章 RC 多諧振蕩器電路工作原理第 12 章 這個微分電路是冒牌的嗎第 13 章 門電路組成的微分型單穩態觸發器第 14 章 555 定時器芯片應用：單穩態正邊沿觸發器第 15 章 電容器的放電特性及其應用第 16 章 施密特觸發器構成的多諧振蕩器第 17 章 電容器的串聯及其應用第 18 章 電容器的并聯及其應用第 19 章 電源濾波電路基本原理第 20 章 從低通濾波器認識電源濾波電路第 21 章 從電容充放電認識低通濾波器第 22 章 降壓式開關電源中的電容器第 23 章 電源濾波電容的容量越大越好嗎第 24 章 電源濾波電容的容量多大才合適第 25 章 RC 滯后型移相式振蕩電路第 26 章 電源濾波電容中的戰斗機：鋁電解電容第 27 章 旁路電容工作原理(數字電路)第 28 章 旁路電容 0.1μF 的由來(1)第 29 章 旁路電容 0 1μF 的由來(2)第 30 章 旁路電容的 PCB 布局布線第 31 章 PCB 平面層電容可以做旁路電容嗎第 32 章 旁路電容工作原理(模擬電路)第 33 章 旁路電容與去耦電容的聯系與區別第 34 章 旁路電容中的戰斗機：陶瓷電容第 35 章 交流信號是如何通過耦合電容的第 36 章 為什么使用電容進行信號的耦合第 37 章 耦合電容的容量多大才合適
標簽： 電容
上傳時間： 2022-05-07
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part2也已上傳：https://dl.21ic.com/download/part2-385450.html 本書系統介紹電容器的基礎知識及在各種實際應用電路中的工作原理，包括 RC 積分、 RC 微分、濾波電容、旁路電容、去耦電容、耦合電容、諧振電容、自舉電容、 PN 結電容、加速電容、密勒電容、安規電容等。本書強調工程應用，包含大量實際工作中的應用電路案例講解，涉及高速 PCB、高頻電子、運算放大器、功率放大、開關電源等多個領域，內容豐富實用，敘述條理清晰，對工程師系統掌握電容器的實際應用有很大的幫助，可作為初學者的輔助學習教材，也可作為工程師進行電路設計、制作與調試的參考書。第 1 章 電容器基礎知識第 2 章 電容器標稱容值為什么這么怪第 3 章 電容器為什么能夠儲能第 4 章 介電常數是如何提升電容量的第 5 章 介質材料是如何損耗能量的第 6 章 絕緣電阻與介電常數的關系第 7 章 電容器的失效模式第 8 章 RC 積分電路的復位應用第 9 章 門電路組成的積分型單穩態觸發器第 10 章 555 定時芯片應用：單穩態負邊沿觸發器第 11 章 RC 多諧振蕩器電路工作原理第 12 章 這個微分電路是冒牌的嗎第 13 章 門電路組成的微分型單穩態觸發器第 14 章 555 定時器芯片應用：單穩態正邊沿觸發器第 15 章 電容器的放電特性及其應用第 16 章 施密特觸發器構成的多諧振蕩器第 17 章 電容器的串聯及其應用第 18 章 電容器的并聯及其應用第 19 章 電源濾波電路基本原理第 20 章 從低通濾波器認識電源濾波電路第 21 章 從電容充放電認識低通濾波器第 22 章 降壓式開關電源中的電容器第 23 章 電源濾波電容的容量越大越好嗎第 24 章 電源濾波電容的容量多大才合適第 25 章 RC 滯后型移相式振蕩電路第 26 章 電源濾波電容中的戰斗機：鋁電解電容第 27 章 旁路電容工作原理(數字電路)第 28 章 旁路電容 0.1μF 的由來(1)第 29 章 旁路電容 0 1μF 的由來(2)第 30 章 旁路電容的 PCB 布局布線第 31 章 PCB 平面層電容可以做旁路電容嗎第 32 章 旁路電容工作原理(模擬電路)第 33 章 旁路電容與去耦電容的聯系與區別第 34 章 旁路電容中的戰斗機：陶瓷電容第 35 章 交流信號是如何通過耦合電容的第 36 章 為什么使用電容進行信號的耦合第 37 章 耦合電容的容量多大才合
標簽： 電容
上傳時間： 2022-05-07
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復旦大學《模擬集成電路設計》課程基本運放設計與仿真技術資料1、0.35um工藝庫2、HSPICE 簡明教程3、基本運放設計與仿真4、二級密勒補償運算放大器設計教程
標簽： 模擬集成電路
上傳時間： 2022-05-23
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