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te

teConnectivityLtd(紐交所代碼:teL)是一家全球化的公司，2018財(cái)年銷售額達(dá)140億美元[1]。曾用名TycoElectronics，因此譯作：泰科電子有限公司。公司總部位于瑞士[2]。

  • 二維高斯制式的te波基于FDFT方法的Matlab仿真程序！

    二維高斯制式的te波基于FDFT方法的Matlab仿真程序！

    標(biāo)簽： Matlab FDFT 二維 高斯

    上傳時(shí)間： 2014-01-19

    上傳用戶：ruan2570406

  • 本程序講述了如何在FDTD中利用te波的反射系數(shù)等值

    本程序講述了如何在FDTD中利用te波的反射系數(shù)等值

    標(biāo)簽： FDTD 程序 反射系數(shù)

    上傳時(shí)間： 2014-01-23

    上傳用戶：Divine

  • 利用攝動(dòng)方法計(jì)算高斯粗糙表面的te、tm反射率

    利用攝動(dòng)方法計(jì)算高斯粗糙表面的te、tm反射率

    標(biāo)簽： 計(jì)算 表面 反射 高斯

    上傳時(shí)間： 2014-01-27

    上傳用戶：wweqas

  • te最新提出的適用于上行傳輸?shù)囊环N新方案。相對(duì)于OFDMA（主要用于下行）

    te最新提出的適用于上行傳輸?shù)囊环N新方案。相對(duì)于OFDMA（主要用于下行），其最大的優(yōu)勢(shì)在于低峰值平均功率比（即PAPR）

    標(biāo)簽： OFDMA 上行 傳輸 方案

    上傳時(shí)間： 2017-08-13

    上傳用戶：qiaoyue

  • Quectel Wireless Solutions BC20-te-B 原理圖 V1.2

    BC20-te-B NB-Iot 評(píng)估板評(píng)估板原廠原理圖V1.2。完整對(duì)應(yīng)實(shí)物裝置。

    標(biāo)簽： BC20 NB-Iot Quectel

    上傳時(shí)間： 2022-06-17

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  • 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件新型封裝技術(shù)及材料的研究.rar

    有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。

    標(biāo)簽： 機(jī)電 發(fā)光 顯示器件

    上傳時(shí)間： 2013-07-11

    上傳用戶：liuwei6419

  • te-MB5F，MB6F，MB8F，MB10F規(guī)格書

    整流橋堆MBF系列規(guī)格書：MB5F，MB6F，MB8F，MB10F。

    標(biāo)簽： te-MB MB6F MB8F 10F

    上傳時(shí)間： 2013-10-12

    上傳用戶：cursor

  • te-MB5M，MB6M，MB8M，MB10M規(guī)格書

    整流橋堆MBM系列規(guī)格書：MB5F，MB6F，MB8F，MB10F。

    標(biāo)簽： te-MB MB6M MB8M 10M

    上傳時(shí)間： 2013-10-20

    上傳用戶：sglccwk

  • PT2262/PT2272編解碼集成電路介紹

    名稱 管腳 說(shuō) 明 A0-A11 1-8、10-13 地址管腳,用于進(jìn)行地址編碼,可置為“0”,“1”,“f”(懸空), D0-D5 7-8、10-13 數(shù)據(jù)輸入端，有一個(gè)為“1”即有編碼發(fā)出，內(nèi)部下拉 Vcc 18 電源正端（＋） Vss 9 電源負(fù)端（－） te 14 編碼啟動(dòng)端，用于多數(shù)據(jù)的編碼發(fā)射，低電平有效； OSC1 16 振蕩電阻輸入端，與OSC2所接電阻決定振蕩頻率； OSC2 15 振蕩電阻振蕩器輸出端； Dout 17 編碼輸出端（正常時(shí)為低電平）

    標(biāo)簽： PT 2262 2272 編解碼

    上傳時(shí)間： 2013-11-24

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  • fdtd的2d算法

    fdtd的2d算法，pml邊界條件，二維te波

    標(biāo)簽： fdtd 算法

    上傳時(shí)間： 2013-12-05

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