設計了一個工作在S波段矢量陣列的天線單元，利用HFSS軟件進行優化和仿真。實測結果表明，該天線在E面和H面的交叉極化電平分別小于-26 dB和-23 dB，兩個端口之間的隔離度大于32 dB。該數據滿足組成矢量陣列的要求。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：朗朗乾坤
針對電液比例位置控制系統由于非線性和死區特性在實際控制中難以得到滿意的控制效果的現狀，本研究采用T-S模糊控制理論的原理設計了T-S模糊控制器對電液比例位置控制系統進行控制。并以Matlab為平臺進行了仿真實驗。仿真結果表明采用T-S模糊控制的電液比例位置控制系統具有較好的控制效果
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：daoxiang126
TKS仿真器B系列快速入門
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：aix008
智能手機以及新一代移動通信技術的迅速崛起，使得人們的日常生活變得更加便利和豐富多彩。在此同時，旅游行業對于智能導游的服務也變得越來越重視，游客的需求也越來越強烈！在此背景下，對智能導游服務進行了深入的了解和研究，并結合先進的“云計算”技術和B/S架構模式，提出了一套基于Android平臺的智能云導游系統，內容新穎，實用可靠，有一定的推廣和應用價值。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：xcsx1945
1.增加的設備支持： Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的頭文件庫 3.增加了ST-LINK II的調試支持 4.增加了對Cortex-M3 內核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2對Cortex-M3的SWV功能的調試 7.增強了使用GNU在MDK下調試M1,M3,ARM7,ARM9的調試功能（ Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.） 8.增加了大量經典開發板例程 Boards目錄列表： ├─Embest 深圳市英蓓特公司開發板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半導體的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半導體的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的開發板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半導體公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半導體公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半導體公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半導體公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半導體公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半導體公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半導體公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：zhangliming420
中文版《天線理論與設計》R.S.Elliott 著 王茂光等譯
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：zwei41
Single-Ended and Differential S-Parameters Differential circuits have been important incommunication systems for many years. In the past,differential communication circuits operated at lowfrequencies, where they could be designed andanalyzed using lumped-element models andtechniques. With the frequency of operationincreasing beyond 1GHz, and above 1Gbps fordigital communications, this lumped-elementapproach is no longer valid, because the physicalsize of the circuit approaches the size of awavelength.Distributed models and analysis techniques are nowused instead of lumped-element techniques.Scattering parameters, or S-parameters, have beendeveloped for this purpose [1]. These S-parametersare defined for single-ended networks. S-parameterscan be used to describe differential networks, but astrict definition was not developed until Bockelmanand others addressed this issue [2]. Bockelman’swork also included a study on how to adapt single-ended S-parameters for use with differential circuits[2]. This adaptation, called “mixed-mode S-parameters,” addresses differential and common-mode operation, as well as the conversion betweenthe two modes of operation.This application note will explain the use of single-ended and mixed-mode S-parameters, and the basicconcepts of microwave measurement calibration.
上傳時間： 2014-03-25
上傳用戶：yyyyyyyyyy
用二端口S-參數來表征差分電路的特性■ Sam Belkin差分電路結構因其更好的增益，二階線性度，突出的抗雜散響應以及抗躁聲性能而越來越多地被人們采用。這種電路結構通常需要一個與單端電路相連接的界面，而這個界面常常是采用“巴倫”器件（Balun），這種巴倫器件提供了平衡結構-到-不平衡結構的轉換功能。要通過直接測量的方式來表征平衡電路特性的話，通常需要使用昂貴的四端口矢量網絡分析儀。射頻應用工程師還需要確定幅值和相位的不平衡是如何影響差分電路性能的。遺憾的是，在射頻技術文獻中，很難找到一種能表征電路特性以及衡量不平衡結構所產生影響的好的評估方法。這篇文章的目的就是要幫助射頻應用工程師們通過使用常規的單端二端口矢量網絡分析儀來準確可靠地解決作為他們日常工作的差分電路特性的測量問題。本文介紹了一些用來表征差分電路特性的實用和有效的方法， 特別是差分電壓，共模抑制（CMRR），插入損耗以及基于二端口S-參數的差分阻抗。差分和共模信號在差分電路中有兩種主要的信號類型：差分模式或差分電壓Vdiff 和共模電壓Vcm（見圖2）。它們各自的定義如下[1]：• 差分信號是施加在平衡的3 端子系統中未接地的兩個端子之上的• 共模信號是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：葉山豪
Agilent AN 154 S-Parameter Design Application Note S參數的設計與應用 The need for new high-frequency, solid-state circuitdesign techniques has been recognized both by microwaveengineers and circuit designers. These engineersare being asked to design solid state circuitsthat will operate at higher and higher frequencies.The development of microwave transistors andAgilent Technologies’ network analysis instrumentationsystems that permit complete network characterizationin the microwave frequency rangehave greatly assisted these engineers in their work.The Agilent Microwave Division’s lab staff hasdeveloped a high frequency circuit design seminarto assist their counterparts in R&D labs throughoutthe world. This seminar has been presentedin a number of locations in the United States andEurope.From the experience gained in presenting this originalseminar, we have developed a four-part videotape, S-Parameter Design Seminar. While the technologyof high frequency circuit design is everchanging, the concepts upon which this technologyhas been built are relatively invariant.The content of the S-Parameter Design Seminar isas follows:
標簽： S參數
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：aa54
s參數計算器,S11,S12,S22,S21的參數，一算變知，非常方便。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：432234
