為了推進光伏發電技術應用到居民家居生活中，提出了一套適用于家用小功率電器工作的光伏逆變系統。系統采用意法半導體公司的STM32F103VC作為控制系統的核心，運用軟件方式產生SPWM波。逆變主拓撲回路采用兩級全橋變換器，中間環節配合高頻變壓器升壓。與傳統的逆變器設計思路不同，前級全橋變換器采用SPWM波控制實現逆變取代以往恒定脈寬PWM控制，后級變換器作為頻率50 Hz翻轉開關來重構正弦波。該系統可將太陽能電池板輸出的12 V電壓轉換為適用于家用電器工作的220 V/50 Hz交流電。
上傳時間： 2013-11-17
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電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
上傳時間： 2014-12-24
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IR2110是IR公司的橋式驅動集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉換技術，大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求，同時提高了驅動電路的可靠性[1]。對于我設計的含有ZCS環節的單相光伏逆變電路中有6個IGBT，只需要3片芯片即可驅動，通過dsp2812控制實現軟開關和逆變的功能，同時只需要提供3.3 V，12 V的基準電壓即可工作，在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數目，降低了產品成本，提高了系統可靠性。
上傳時間： 2014-01-05
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
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為降低大功率開關電源設計時功率器件的選擇、開關頻率和功率密度的提高所面臨的困難，改善單電源供電的可靠性，設計并制作程控開關電源并聯供電系統。系統由2個額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構成的程控開關電源并聯供電系統。以STM32F103微控制器為核心芯片，通過程序控制內部DAC調節PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓，使DC/DC模塊輸出電壓產生微小變動，進而可調整DC/DC模塊的輸出電流并實時分配各DC/DC模塊的輸出電流，軟件采用PI算法。試驗表明，系統滿載效率高于80.23%，電流分配誤差最大為1.54%；電源輸出在1 s內快速達到穩態；系統以4.5 A為閾值實現過流保護和自恢復功能。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：王慶才
利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。
上傳時間： 2013-12-20
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為了提高現有路燈的供電效率，開發設計了單燈恒流的供電模式，在每個路燈上安裝一個體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實現了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開關MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯起來作為負載，效率達到了91%以上。
上傳時間： 2013-11-08
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AD7280A菊花鏈從它監控的電池單元獲得電源。ADuM5401集成一個DC/DC轉換器，用于向ADuM1201的高壓端供電，向AD7280A SPI接口提供VDRIVE電源，以及向AD7280A菊花鏈電路提供關斷信號。如果BMS低壓端的+5 V電源被拉低，則隔離器和AD7280A菊花鏈關斷。同樣，如果來自BMC的PD信號變為低電平，通過ADG849開關路由的ADuM5401低壓電源將被拉低，這也會使隔離器和AD7280A菊花鏈發生硬件關斷。
上傳時間： 2013-12-14
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基于1 μm 40V BCD 工藝，使用Cadence軟件對原邊反饋AC/DC控制器進行仿真和分析。線補償技術可以使原邊反饋AC/DC電路獲得很好的負載調整率，抵消電感上所消耗的電壓和整流二極管上的壓降，使輸出達到的最佳值。在輸入加220 V交流電壓時，輸出結果最大值為5.09 V，最小值為5 V，最大負載調整率為9.609%。
上傳時間： 2013-10-20
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
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