用51寫的一個(gè)萬(wàn)年歷程序，51單片機(jī)DS3231+oled顯示萬(wàn)年歷設(shè)計(jì)，包含了DS1302，oled，紅外遙控原理圖源碼
標(biāo)簽： 51單片機(jī) ds3231 oled 萬(wàn)年歷
上傳時(shí)間： 2022-07-17
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基于IAP15W4K58S4最小系統(tǒng)板，OLED顯示模塊和差分ADC模塊-CS1237的電子秤制作之稱重傳感器模塊
標(biāo)簽： 最小系統(tǒng) oled adc 電子秤 傳感器
上傳時(shí)間： 2022-07-19
上傳用戶：XuVshu
ESP8266 ESP-12板和SSD1306 OLED顯示屏的Web時(shí)鐘教程原理圖+源碼
標(biāo)簽： esp8266 esp ssd1306 oled 顯示屏
上傳時(shí)間： 2022-07-23
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一款基于STM32的寢室指紋門鎖，用戶可藍(lán)牙控制開鎖，OLED實(shí)時(shí)顯示時(shí)間，和開鎖狀態(tài)，寢室內(nèi)自動(dòng)開鎖PCB
標(biāo)簽： stm32 指紋門鎖 藍(lán)牙 oled
上傳時(shí)間： 2022-07-24
上傳用戶：XuVshu
STM32Mini開發(fā)板原理圖+PCB包括時(shí)鐘PCF8563，DS18B20溫度傳感器和OLED
標(biāo)簽： stm32 開發(fā)板 原理圖 pcb 溫度傳感器 oled
上傳時(shí)間： 2022-07-24
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0.96寸OLED-SPI資料，內(nèi)涵各類MCU驅(qū)動(dòng)源碼，用戶手冊(cè)，使用指南和原理圖
標(biāo)簽： oled
上傳時(shí)間： 2022-07-25
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Arduino字時(shí)鐘，OLED顯示屏實(shí)時(shí)顯示（源碼+電路圖）
標(biāo)簽： arduino 時(shí)鐘 oled顯示屏 電路圖
上傳時(shí)間： 2022-07-26
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正點(diǎn)原子開發(fā)板戰(zhàn)艦V3的OLED屏幕顯示驅(qū)動(dòng)程序。可移植到任何STM32單片機(jī)上面
上傳時(shí)間： 2022-07-28
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0.96寸OLED顯示屏模塊程序例程
上傳時(shí)間： 2022-08-10
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近年來(lái)，以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來(lái)降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點(diǎn)之一。 在模擬集成電路中，運(yùn)算放大器是最基本的電路，所以設(shè)計(jì)低電壓、低功耗的運(yùn)算放大器非常必要。在實(shí)現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計(jì)的過程中，必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會(huì)影響電路的性能，所以只實(shí)現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對(duì)國(guó)內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn)，在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)3.3 V低功耗、高速、軌對(duì)軌的CMOS/BiCMOS運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí)，選擇了兩級(jí)直接共源一共柵輸入級(jí)結(jié)構(gòu)；為穩(wěn)定運(yùn)放輸出共模電壓，設(shè)計(jì)了共模負(fù)反饋電路，并進(jìn)行了共模回路補(bǔ)償；在偏置電路設(shè)計(jì)中，電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu)，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu)；為了提高效率，在設(shè)計(jì)時(shí)采用了推挽共源極放大器作為輸出級(jí)，輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了軌對(duì)軌；并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補(bǔ)償技術(shù)對(duì)運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù)，對(duì)整個(gè)運(yùn)放電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)，并通過了HSPICE軟件進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明，當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時(shí)，所設(shè)計(jì)的CMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW，時(shí)延為16.8ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達(dá)到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設(shè)計(jì)的BiCMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗達(dá)到10.2 mW，時(shí)延為12.7 ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時(shí)間： 2013-06-29
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