為了系統(tǒng)深入地研究moS2的電子能帶結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)，基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方
法，計算和分析了材料moS2的電子結(jié)構(gòu)及其光學性質(zhì)，給出了moS2 的能帶結(jié)構(gòu)、光吸收譜、電子態(tài)密度、能
量損失譜、反射譜、介電函數(shù)譜等光學性質(zhì)。計算結(jié)果表明：體材料moS2的電子躍遷形式是非垂直躍遷，具有
間接帶隙的半導體材料，帶隙寬為1.126 eV；價帶和導帶的形成是由Mo和S 的價電子起作用產(chǎn)生的。通過分析
其光學性質(zhì)，發(fā)現(xiàn)moS2的介電函數(shù)的實部和虛部的峰值都出現(xiàn)在低能區(qū)，當光子能量的升高，介電函數(shù)值會緩
慢降低；材料moS2對可見紫外區(qū)域的光子具有很強的吸收，最大吸收系數(shù)為3.17×105cm-1；moS2在能量為18.33eV
位置出現(xiàn)了共振現(xiàn)象，其它區(qū)域內(nèi)能量的損失值都趨于為0，說明電子之間共振非常微弱。這些光學性質(zhì)奠定了
該材料在制作微電子和光電子器件方面的作用，尤其是在紫外探測器應用方面有著潛在的應用前景，為未來對
moS2材料的進一步研究提供理論參考。
標簽：
moS2
電子結(jié)構(gòu)
光學
上傳時間：
2020-11-08
上傳用戶：
