<li id="mcwko"></li> NEC 32位MCU參考手冊
上傳時間： 2013-11-11
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NEC 16位MCU參考手冊 The 78K0R/IC3 is a 16-bit single-chip microcontroller that uses a 78K0R CPU core and incorporates peripheral functions, such as ROM/RAM, a multi-function timer, a multi-function serial interface, an A/D converter, a programmable gain amplifier (PGA), a comparator, a real-time counter, and a watchdog timer.
上傳時間： 2013-11-02
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NEC 8位MCU參考手冊
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：swz13842860183
NEC 32位MCU V850系列產(chǎn)品簡介及應用 最高可達到：200Mhz工作頻率432MIPS與8/16位MCU相比,NEC 32位MCU在相同頻率下,可以提供至少快10 倍的指令執(zhí)行速度 對于完成相同的應用,使用32位MCU可以比8/16位MCU的速度慢2/3或1/2,降低系統(tǒng)功耗 V850,V850ES,V850E1,V850E2 CPU的目標代碼向前兼容
標簽： V850 NEC MCU 產(chǎn)品簡介
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：gxm2052
作為一種新的、最有潛力的光源，LED照明以其節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)勢越來越受到人們重視。加上國家和地方政府的政策鼓勵，我國的LED照明產(chǎn)業(yè)進入了加速發(fā)展階段，運用市場迅速增長。在室內(nèi)照明方面，用LED燈替代傳統(tǒng)的可調(diào)光白熾燈或者鹵素燈也將是大勢所趨。由于傳統(tǒng)的白熾燈調(diào)光器采用可控硅調(diào)光器，用LED燈替代白熾燈時，要求不能改變原有線路，還要能適應現(xiàn)有的可控硅調(diào)光器。針對這一目標市場，目前很多大的半導體廠商（包括國際知名半導體廠商）都已經(jīng)推出了自己的LED調(diào)光ASIC，但由于LED固有的發(fā)光原理，目前市面上的LED ASIC調(diào)光案都還不是很成熟，都有其固有的問題，本文就將針對目前的調(diào)光方案做一個詳細的分析，并介紹我們基于MCU的調(diào)光方案。
標簽： ASIC MCU LED 可控硅調(diào)光
上傳時間： 2013-11-21
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我公司生產(chǎn)的 USBkey 產(chǎn)品所使用的MCU 電路，自2007 年9 月初USBkey 產(chǎn)品開始量產(chǎn)化后，我們對其部分產(chǎn)品做了電老化試驗，發(fā)現(xiàn)該款電路早期失效問題達不到我們要求，上電以后一段時間內(nèi)失效率為千分之一點五左右。為此，我們從去年10 月到今年2 月對所生產(chǎn)的產(chǎn)品（已發(fā)出的除外）全部進行了電老化篩選，通過這項工作發(fā)現(xiàn)了一些規(guī)律性的東西，對提高電子產(chǎn)品的安全可靠性有一定指導意義。2 試驗條件的設定造成電路早期失效的原因很多，從 IC 設計到半導體生產(chǎn)工藝、電路封裝、焊接裝配等生產(chǎn)工序和生產(chǎn)設備、生產(chǎn)材料、生產(chǎn)環(huán)境及人為的因素都有可能是成因，作為電路的使用方不可能都顧及到，也不可控。通過分析，我們認為還是著眼于該款電路在完成半導體生產(chǎn)工藝后，在后部加工中所產(chǎn)生的早期失效問題更有針對性。，因此決定從電路的后部加工工序即封裝、COS 軟件以及產(chǎn)品SMT 加工工藝等方面入手，安排幾種比對試驗并取得試驗數(shù)據(jù)，以期找出失效原因。
上傳時間： 2014-12-28
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當今集成電路設計已經(jīng)進入 SOC 時代，于是各公司針對自己的設計需求挑選一款性價比較高的處理器作為內(nèi)核是一件非常重要的事情。下面將介紹一款集成了DSP 和MCU 功能的處理器ZSP neo 。ZSP neo 是一類新型的處理器，它在一個的內(nèi)核中集成了DSP 和MCU 的功能。對于那些需要比現(xiàn)有8 位微控制器更高的控制處理性能，而又無需32 位微控制器的對成本敏感的應用來說，ZSP neo 是一個理想的選擇。ZSP neo 針對其性能要求采用了相應的架構(gòu)：·采用基于 RISC 的架構(gòu)：處理器具有靜態(tài)分支預測功能；所以程序員設計程序時無需考慮跳轉(zhuǎn)延時。·采用了 Load-Store 架構(gòu)：處理器對存儲器的操作使用 load 和store 指令；操作不直接發(fā)生在存儲器中。所有其他指令均為寄存器-寄存器操作；使用寄存器節(jié)省了存儲器帶寬。采用多種load/store 指令，這樣優(yōu)化了存儲器操作；同時支持32 位和16 位的數(shù)據(jù)操作。處理器允許前推的靈活架構(gòu)；功能單元的結(jié)果能夠在下個周期無條件地被其他功能單元使用。
上傳時間： 2013-10-19
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32位MCU(單片機)開發(fā)全攻略:本文因為內(nèi)容很多，分為上下冊，上冊為基礎知識篇，從第一章到第五章，下冊為開發(fā)技巧篇，為第六章以后內(nèi)容。本書可以作為MCU應用工程師、大中專學生或MCU愛好者學習32位MCU開發(fā)的參考教材。 1、匯集32位MCU基礎知識與開發(fā)工具應用知識，一書在手迅速掌握32位MCU開發(fā)！2、首次獨家披露LPC1700系列MCU權(quán)威中文開發(fā)信息！ 3、問答實例結(jié)合讓你的開發(fā)難題迎刃而解！ 隨著節(jié)能、高效、綠色理念的深入，32位MCU的應用已呈燎原之勢，有數(shù)據(jù)顯示僅在過去一年，基于ARM Cortex-M3的MCU的出貨量增長率就達到200％！這些高性能、低功耗的32位MCU廣泛應用于汽車電子、工業(yè)應用、醫(yī)療電子等領域，而據(jù)研究機構(gòu)預測，中國MCU的可用市場總量（TAM）將從2009年的20億美元增長到2013年的30億美元以上，其增幅為全球水平的兩倍！面對如此誘人的前景，立即學習掌握32位MCU開發(fā)基本技巧并將其用于個人設計中已經(jīng)成為本土工程師的當務之急。 但是，一個有趣的現(xiàn)象是目前有關MCU的圖書中大部分還以8位單片機為主要例舉對象，很多圖書傳授的還是51單片機開發(fā)知識，可見在知識需求和供給之間出現(xiàn)了巨大的落差，這也是電子創(chuàng)新網(wǎng)推出《32位MCU開發(fā)全攻略》電子書的初衷之一。 基于上述原因，本電子書主要講述32位MCU應用開發(fā)知識，對于8位單片機的開發(fā)，因為已經(jīng)有大量書籍，這里不再贅述。本書的第一章主要介紹了嵌入式系統(tǒng)的背景知識、基本概念和目前發(fā)展狀況，讓大家對嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展有大致的了解。第二章主要介紹了微控制器的基本原理、結(jié)構(gòu)和32位ARM MCU供應商的信息。第三章主要介紹了ARM內(nèi)核的一些特點及ARM指令集。第四章以恩智浦公司的MCU為例詳細介紹了32位ARM MCU的具體結(jié)構(gòu)、功能和特點。第五章是本書的重點內(nèi)容，以恩智浦的LPC17xx系列MCU為例，分模塊詳細介紹了MCU的應用開發(fā)，這些介紹把軟硬件結(jié)合在一起，這是本書和其他類似書籍的區(qū)別之一。第六章介紹了MCU開發(fā)工具及開發(fā)流程。第七章我們搜集了多個MCU開發(fā)應用實例，通過這些實例，進一步強化MCU開發(fā)技巧和系統(tǒng)設計方法。第八章我們以問答的形式介紹MCU開發(fā)的技巧，這些問答具有一定的基礎性和代表性，可以幫助工程師解決MCU應用開發(fā)中遇到的難題。第九章我們羅列了一些MCU開發(fā)資源信息，工程師朋友可以通過鏈接獲得所需的知識。第十章是有關本書的編委信息。第十一章是本書的版權(quán)聲明，我們授權(quán)工程師朋友和媒體免費下載此書并進行推廣，但是不得以本書切割或進行商業(yè)活動。《32位MCU開發(fā)全攻略》電子書主編張國斌。
標簽： MCU
上傳時間： 2013-12-18
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MCU(單片機)對可控硅的控制:交流市電控制――ＭＣＵ對可控硅的控制 郭江辛 07-23-03在用可控硅對交流市電控制中，主要注意以下幾個方面：一， 同步信號 （弄不好都會產(chǎn)生不均勻的斬波，控制白熾燈表現(xiàn)為燈閃）1) 清楚同步信號在交流周期中的位置,最好在交流零點選取.在一些阻容降壓對MCU 供電電路中,最好直接在交流電源兩端取同步信號（過零點）,以避免計算阻容產(chǎn)生的象移(PHASE SHIFT)2) 同步信號要穩(wěn)定二， 控制信號 （弄不好則可控硅不能通，或一直通）1） 可控硅斷路時，可控硅控制極（GATE）最好是開路，沒有開極的MCU可加如下電路：
上傳時間： 2014-05-05
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微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節(jié)版 前言2/71 摘要5/71 除外責任5/71 第一章 簡介 6/71 第二章 背景知識 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲器的種類14/71 2.3 安全保護的類型 15/71 第三章 破解技術 18/71 3.1 簡介 18/71 3.1.1 保護等級18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數(shù)據(jù)保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數(shù)據(jù)保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲器的數(shù)據(jù)保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學圖像來重建版圖41/71
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：ikemada
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