P C B 可測性設計布線規則之建議― ― 從源頭改善可測率PCB 設計除需考慮功能性與安全性等要求外，亦需考慮可生產與可測試。這里提供可測性設計建議供設計布線工程師參考。1. 每一個銅箔電路支點，至少需要一個可測試點。如無對應的測試點，將可導致與之相關的開短路不可檢出，并且與之相連的零件會因無測試點而不可測。2. 雙面治具會增加制作成本，且上針板的測試針定位準確度差。所以Layout 時應通過Via Hole 盡可能將測試點放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測試選點優先級：A.測墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對于零件腳，應以AI 零件腳及其它較細較短腳為優先，較粗或較長的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm)，厚度少于此值之PCB 容易板彎變形，影響測點精準度，制作治具需特殊處理。5. 避免將測點置于SMT 之PAD 上，因SMT 零件會偏移，故不可靠，且易傷及零件。6. 避免使用過長零件腳(>170mil(4.3mm))或過大的孔(直徑>1.5mm)為測點。7. 對于電池(Battery)最好預留Jumper，在ICT 測試時能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求：(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個定位孔和一個防呆孔(也可說成定位孔,用以預防將PCB反放而導致機器壓破板)，且孔內不能沾錫。(c) 選擇以對角線，距離最遠之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應設計成中心對稱,即PCB 旋轉180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業員易于反放而致機器壓破板)9. 測試點要求：(e) 兩測點或測點與預鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm)，否則有一測點無法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳，其次是75mil(1.905mm)。(f) 測點應離其附近零件(位于同一面者)至少100mil，如為高于3mm 零件，則應至少間距120mil，方便治具制作。(g) 測點應平均分布于PCB 表面，避免局部密度過高，影響治具測試時測試針壓力平衡。(h) 測點直徑最好能不小于35mil(0.9mm)，如在上針板，則最好不小于40mil(1.00mm)，圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測點需額外加工，以導正目標。(i) 測點的Pad 及Via 不應有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測點應離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點被實踐證實是最好的測試探針接觸點。因為錫的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點作測試點，因接觸不良導致誤判的機會極少且可延長探針使用壽命。錫點尤其以PCB 光板制作時的噴錫點最佳。PCB 裸銅測點，高溫后已氧化，且其硬度高，所以探針接觸電阻變化而致測試誤判率很高。如果裸銅測點在SMT 時加上錫膏再經回流焊固化為錫點，雖可大幅改善，但因助焊劑或吃錫不完全的緣故，仍會出現較多的接觸誤判。
上傳時間： 2014-01-14
上傳用戶：cylnpy
TKS仿真器B系列快速入門
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：aix008
1.增加的設備支持： Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的頭文件庫 3.增加了ST-LINK II的調試支持 4.增加了對Cortex-M3 內核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2對Cortex-M3的SWV功能的調試 7.增強了使用GNU在MDK下調試M1,M3,ARM7,ARM9的調試功能（ Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.） 8.增加了大量經典開發板例程 Boards目錄列表： ├─Embest 深圳市英蓓特公司開發板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半導體的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半導體的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的開發板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半導體公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半導體公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半導體公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半導體公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半導體公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半導體公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半導體公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：zhangliming420
當你認為你已經掌握了PCB 走線的特征阻抗Z0，緊接著一份數據手冊告訴你去設計一個特定的差分阻抗。令事情變得更困難的是，它說：“……因為兩根走線之間的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的設計規則來得到一個大約80Ω的差分阻抗！”這的確讓人感到困惑！這篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，還討論了為什么是這樣，并且向你展示如何正確地計算它。 單線：圖1(a)演示了一個典型的單根走線。其特征阻抗是Z0，其上流經的電流為i。沿線任意一點的電壓為V=Z0*i（ 根據歐姆定律）。一般情況，線對：圖1(b)演示了一對走線。線1 具有特征阻抗Z11，與上文中Z0 一致，電流i1。線2具有類似的定義。當我們將線2 向線1 靠近時，線2 上的電流開始以比例常數k 耦合到線1 上。類似地，線1 的電流i1 開始以同樣的比例常數耦合到線2 上。每根走線上任意一點的電壓，還是根據歐姆定律，
標簽： 差分阻抗
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：KSLYZ
一個簡單好用的B+樹算法實現
上傳時間： 2015-01-04
上傳用戶：縹緲
一個用Basic實現的B-Tree算法
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：ccclll
一個用Java applet實現的B-Tree算法
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：qiao8960
用C++實現的B-Tree算法
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：jiahao131
用Borland C寫的B-Tree算法
上傳時間： 2014-12-05
上傳用戶：xzt
java 版B+樹程序
上傳時間： 2015-01-06
上傳用戶：chenjjer
