電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT，只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng)，通過(guò)dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)和逆變的功能，同時(shí)只需要提供3.3 V，12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作，在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本，提高了系統(tǒng)可靠性。
標(biāo)簽： 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：tom_man2008
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
為降低大功率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開(kāi)關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難，改善單電源供電的可靠性，設(shè)計(jì)并制作程控開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片，通過(guò)程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓，使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng)，進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流，軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明，系統(tǒng)滿載效率高于80.23%，電流分配誤差最大為1.54%；電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài)；系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)和自恢復(fù)功能。
標(biāo)簽： 程控開(kāi)關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：王慶才
利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過(guò)程中，系統(tǒng)的功耗并沒(méi)有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來(lái)的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：niumeng16
為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率，開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)了單燈恒流的供電模式，在每個(gè)路燈上安裝一個(gè)體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實(shí)現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開(kāi)關(guān)MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯(lián)起來(lái)作為負(fù)載，效率達(dá)到了91%以上。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：yczrl
AD7280A菊花鏈從它監(jiān)控的電池單元獲得電源。ADuM5401集成一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器，用于向ADuM1201的高壓端供電，向AD7280A SPI接口提供VDRIVE電源，以及向AD7280A菊花鏈電路提供關(guān)斷信號(hào)。如果BMS低壓端的+5 V電源被拉低，則隔離器和AD7280A菊花鏈關(guān)斷。同樣，如果來(lái)自BMC的PD信號(hào)變?yōu)榈碗娖剑ㄟ^(guò)ADG849開(kāi)關(guān)路由的ADuM5401低壓電源將被拉低，這也會(huì)使隔離器和AD7280A菊花鏈發(fā)生硬件關(guān)斷。
標(biāo)簽： 集成信號(hào) 電源隔離 鋰離子電池組 監(jiān)控器
上傳時(shí)間： 2013-12-14
上傳用戶：D&L37
基于1 μm 40V BCD 工藝，使用Cadence軟件對(duì)原邊反饋AC/DC控制器進(jìn)行仿真和分析。線補(bǔ)償技術(shù)可以使原邊反饋AC/DC電路獲得很好的負(fù)載調(diào)整率，抵消電感上所消耗的電壓和整流二極管上的壓降，使輸出達(dá)到的最佳值。在輸入加220 V交流電壓時(shí)，輸出結(jié)果最大值為5.09 V，最小值為5 V，最大負(fù)載調(diào)整率為9.609%。
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：sglccwk
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
基于輸入28.5 VDC，輸出總功率180 W的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的設(shè)計(jì)，為滿足“GJB181飛機(jī)供電特性”中對(duì)飛機(jī)用電設(shè)備輸入28.5 VDC時(shí)過(guò)壓浪涌80 V/50ms的要求，采用檢測(cè)輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法，通過(guò)對(duì)該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)做比較，模擬了80 V/50 ms過(guò)壓浪涌的試驗(yàn)，并用示波器記錄了測(cè)試波形，得出該設(shè)計(jì)電路在輸入28.5 VDC時(shí)，可以完全滿足GJB181飛機(jī)供電特性過(guò)壓浪涌要求的結(jié)論。并通過(guò)擴(kuò)展應(yīng)用介紹了在其他輸入電壓類(lèi)型時(shí)過(guò)壓浪涌保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：cuibaigao
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