引導(dǎo)裝載程序(boot loader)控制復(fù)位后的初始化操作,并提供對Flash存儲器進(jìn)行編程的方法。這可以對空片進(jìn)行初始編程、對事先已編程的芯片進(jìn)行擦除和再編程或者是在系統(tǒng)運行時通過系統(tǒng)中的應(yīng)用程序?qū)lash存儲器進(jìn)行編程。19.3特性在系統(tǒng)編程:在系統(tǒng)編程(ISP)是通過使用引導(dǎo)裝載程序軟件和UART0串口對片內(nèi)Falsh存儲器進(jìn)行編程/再編程的方法。這種方法也可以在芯片位于終端用戶板時使用;在應(yīng)用編程:在應(yīng)用編程(IAP)是通過終端用戶的應(yīng)用代碼對片內(nèi)Flash存儲器進(jìn)行擦除/寫操作的方法;只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持從USB端口引導(dǎo),通過將其枚舉為大容量存儲器等級(MSC)設(shè)備來連接到USB主機(jī)接口(僅適用于Windows操作系統(tǒng));Flash訪問時間可通過flash控制器模塊中的寄存器來配置;每個扇區(qū)的擦除時間為100ms±5%;而每個256字節(jié)的模塊,其編程時間為1ms±5%。
上傳時間: 2013-11-04
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GM6256 是一款集指紋快速匹配、低功耗以及安全功能的高性能 MCU((Microcontroller Unit),提升了產(chǎn)品的綜合用戶體驗及安全級別。GM6256 具有豐富的片上外設(shè),支持 2 個 QSPI Master(其中一個為 Flash 控制器),1 個SPI Master,1 個 SPI Slave 以及 1 個 I2C Master,最多 3 個 UART。GM6256 最高工作主頻達(dá)到 144MHz,在低功耗模式下工作頻率可降低到 32kHz 以減少工作電流。極低的待機(jī)功耗也是GM6256 的主要特點,Deepsleep 模式電流可以達(dá)到 3uA,最多支持三個管腳喚醒和實時時鐘定時喚醒。GM6256 采用 QFN60 封裝,主要面向智能門鎖市場。GM6256 安全芯片通過了 ISCCC 中國信息安全認(rèn)證中心 EAL4+安全認(rèn)證,內(nèi)嵌了對稱加密 AES、HMAC-SHA256 和非對稱 ECC/RSA 算法,真隨機(jī)數(shù)模塊,密鑰管理,訪問控制和電壓、溫度、光安全傳感器。采用模數(shù)混合技術(shù)設(shè)計,內(nèi)部集成多種功能的模擬模塊,減少外圍電路設(shè)計,有效降低板級系統(tǒng)的成本。
上傳時間: 2022-07-09
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瑞芯Rknano主要技術(shù)參數(shù) ARM + Hardware Accelerator ,最大主頻120M 支持8/16位LCD,支持MCU屏,最大分辨率160x128 支持SD、I2S、I2C接口,內(nèi)置PWM控制器 8bit ECC NAND flash控制器,支持4片選,SLC/MCL
標(biāo)簽: Rknano 瑞芯 技術(shù)參數(shù)
上傳時間: 2013-04-24
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bch encoder+decoder 源代碼,flash控制器,通訊都需要用到哦
標(biāo)簽: encoder decoder bch 源代碼
上傳時間: 2014-01-23
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三星S3C2410X ARM芯片手冊,其中包括:存儲器控制器、 Nand flash控制器、DMA控制器、LCD控制器、S3C2410 的ADC 和觸摸屏接口等幾個主要章節(jié)。
標(biāo)簽: S3C2410X ARM 三星 芯片手冊
上傳時間: 2015-12-14
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用Altera CPLD做為控制器從Flash上讀取image文件對Altera FPGA編程
標(biāo)簽: Altera Flash image CPLD
上傳時間: 2013-08-13
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LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
上傳時間: 2014-12-27
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LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用 在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始的位置,一般其起始地址從零開始。
上傳時間: 2013-10-09
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flash接口控制器的VHDL以及verilog源代碼和Testbench程序
標(biāo)簽: Testbench verilog flash VHDL
上傳時間: 2013-12-26
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W78E51B 規(guī)格書 W78E51B 是寬頻率范圍、低功耗的8 位微控制器。它的指令集同標(biāo)準(zhǔn)8051 指令集完全兼容。W78E51B 包含4K 字節(jié)的Flash EPROM;128 字節(jié)的RAM;4 個8 位雙向、可位尋址的I/O 口;一個附加的4 位 I/O 口P4;2 個16 位定時/計數(shù)器;一個硬件Watchdog 定時器及一個串行口。這些外圍設(shè)備都由有7 個中斷源和2 級中斷能力的中斷系統(tǒng)支持。為了方便用戶進(jìn)行編程和驗證,W78E51B 內(nèi)含的Flash EPROM 允許電編程和電讀寫。一旦代碼確定后,用戶就可以對代碼進(jìn)行保護(hù)。 W78E51B 有2 種節(jié)電模式,空閑模式和掉電模式,2 種模式均可由軟件來控制選擇??臻e模式下,處理 器時鐘被關(guān)閉,但外設(shè)仍繼續(xù)工作。在掉電模式下晶體振蕩器停止工作,以將功耗降至最低。外部時鐘 可以在任何時間及狀態(tài)下被關(guān)閉,而不影響處理器運行。
標(biāo)簽: W78E51B Flash EPROM 8051
上傳時間: 2014-11-29
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