設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運(yùn)放。設(shè)計(jì)基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環(huán)境下對(duì)電路進(jìn)行Spectre仿真。仿真結(jié)果表明，在2.5 V單電源電壓下驅(qū)動(dòng)2 pF負(fù)載時(shí)，運(yùn)放的直流增益可達(dá)到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉(zhuǎn)換速率高達(dá)885 V/μs，達(dá)到0.1%的穩(wěn)定精度的建立時(shí)間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
標(biāo)簽： CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：jiiszha
功能簡(jiǎn)介 虛儀聲卡萬(wàn)用儀是一個(gè)功能強(qiáng)大的基于個(gè)人電腦的虛擬儀器。它由聲卡實(shí)時(shí)雙蹤示波器、聲卡實(shí)時(shí)雙蹤頻譜分析儀和聲卡雙蹤信號(hào)發(fā)生器組成，這三種儀器可同時(shí)使用。本儀器內(nèi)含一個(gè)獨(dú)特設(shè)計(jì)的專門適用于聲卡信號(hào)采集的算法，它能連續(xù)監(jiān)視輸入信號(hào)，只有當(dāng)輸入信號(hào)滿足觸發(fā)條件時(shí)，才采集一幀數(shù)據(jù)，即先觸發(fā)后采集，因而不會(huì)錯(cuò)過(guò)任何觸發(fā)事件。這與同類儀器中常用的先采集一長(zhǎng)段數(shù)據(jù)，然后再在其中尋找觸發(fā)點(diǎn)的方式，即先采集后觸發(fā)，截然不同。因此本儀器能達(dá)到每秒50幀的快速屏幕刷新率，從而實(shí)現(xiàn)了真正的實(shí)時(shí)信號(hào)采集、分析和顯示。本儀器還支持各種復(fù)雜的觸發(fā)方式包括超前觸發(fā)和延遲觸發(fā)。 虛儀聲卡萬(wàn)用儀發(fā)揮了以電腦屏幕作為顯示的虛擬儀器的優(yōu)點(diǎn)，支持圖形顯示的放大和滾動(dòng)，并將屏幕的絕大部分面積用于數(shù)據(jù)顯示，使您能夠深入研究被測(cè)信號(hào)的任何細(xì)節(jié)。而市面上有些同類儀器則在人機(jī)界面上過(guò)分追求“形”似，將傳統(tǒng)儀器的面板簡(jiǎn)單地模擬到電腦屏幕上，占用了大量寶貴的屏幕資源，僅留下較小面積供數(shù)據(jù)顯示用。 虛儀聲卡萬(wàn)用儀提供了一套完整的信號(hào)測(cè)試與分析功能，包括：雙蹤波形、波形相加、波形相減、李莎如圖、電壓表、瞬態(tài)信號(hào)捕捉、RMS絕對(duì)幅度譜、相對(duì)幅度譜、八度分析（1/1、1/3、1/6、1/12、1/24）、THD、THD+N、SNR、SINAD、頻率響應(yīng)、阻抗測(cè)試、相位譜、自相關(guān)函數(shù)、互相關(guān)函數(shù)、函數(shù)發(fā)生器、任意波形發(fā)生器、白噪聲發(fā)生器、粉紅噪聲發(fā)生器、多音合成發(fā)生器和掃頻信號(hào)發(fā)生器等。 虛儀聲卡萬(wàn)用儀將采集到的數(shù)據(jù)和分析后的數(shù)據(jù)保存為標(biāo)準(zhǔn)的WAV波形文件或TXT文本文件。它也支持WAV波形文件的輸入和BMP圖像文件的輸出和打印。支持24比特采樣分辨率。支持WAV波形文件的合并和數(shù)據(jù)抽取。
上傳時(shí)間： 2013-10-25
上傳用戶：silenthink
Many 8-bit and 16-bit microcontrollers feature 10-bitinternal ADCs. A few include 12-bit ADCs, but these oftenhave poor or nonexistent AC specifi cations, and certainlylack the performance to meet the needs of an increasingnumber of applications. The LTC®2366 and its slowerspeed versions offer a high performance alternative, asshown in the AC specifi cations in Table 1. Compare theseguaranteed specifi cations with the ADC built into yourcurrent microcontroller.
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：jackandlee
The STM32F10xxx microcontroller family embeds up to three advanced 12-bit ADCs (depending on the device) with a conversion time down to 1 μs. A self-calibration feature is provided to enhance ADC accuracy versus environmental condition changes.
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：eastimage
This application note features 8-, 10-, and 12-bit dataacquisition components in various circuit configurations.The circuits include battery monitoring, temperature sensing,isolated serial interfaces, and microprocessor andmicrocontroller serial and parallel interfaces. Also includedare voltage reference circuits (Application Note 42contains more voltage reference circuits).
標(biāo)簽： 數(shù)據(jù)采集 電路分析
上傳時(shí)間： 2014-01-15
上傳用戶：zq70996813
A tutorial on SAR type A/D converters, this note contains detailed information on several 12-bit circuits. Comparator, clocking, and preamplifier designs are discussed. A final circuit gives a 12-bit conversion in 1.8µs. Appended sections explain the basic SAR technique and explore D/A considerations.
標(biāo)簽： 逐次逼近 AD轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：釣鰲牧馬
電子學(xué)名詞1、 電阻率---又叫電阻系數(shù)或叫比電阻。是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數(shù)值上等于用那種物質(zhì)做的長(zhǎng)1米截面積為1平方毫米的導(dǎo)線，在溫度20C時(shí)的電阻值，電阻率越大，導(dǎo)電性能越低。則物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加與原來(lái)的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數(shù)----表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加量與原來(lái)的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導(dǎo)----物體傳導(dǎo)電流的本領(lǐng)叫做電導(dǎo)。在直流電路里，電導(dǎo)的數(shù)值就是電阻值的倒數(shù)，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導(dǎo)率----又叫電導(dǎo)系數(shù)，也是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量。大小在數(shù)值上是電阻率的倒數(shù)，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動(dòng)勢(shì)----電路中因其他形式的能量轉(zhuǎn)換為電能所引起的電位差，叫做電動(dòng)勢(shì)或者簡(jiǎn)稱電勢(shì)。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時(shí)，則由這電流所產(chǎn)生的穿過(guò)回路本身磁通也發(fā)生變化，因此在回路中也將感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這現(xiàn)象稱為自感現(xiàn)象，這種感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)叫自感電動(dòng)勢(shì)。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與第二只線圈相環(huán)鏈。當(dāng)?shù)谝痪€圈中電流發(fā)生變化時(shí)，則其與第二只線圈環(huán)鏈的磁通也發(fā)生變化，在第二只線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。這種現(xiàn)象叫做互感現(xiàn)象。8、 電感----自感與互感的統(tǒng)稱。9、 感抗----交流電流過(guò)具有電感的電路時(shí)，電感有阻礙交流電流過(guò)的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過(guò)具有電容的電路時(shí)，電容有阻礙交流電流過(guò)的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動(dòng)電流----大小隨時(shí)間變化而方向不變的電流，叫做脈動(dòng)電流。12、振幅----交變電流在一個(gè)周期內(nèi)出現(xiàn)的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時(shí)間內(nèi)流過(guò)電路的總電荷與該段時(shí)間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內(nèi)的平均值，它與振幅值的關(guān)系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個(gè)相同的電阻器件中，分別通過(guò)直流電和交流電，如果經(jīng)過(guò)同一時(shí)間，它們發(fā)出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時(shí)功率不是一個(gè)恒定值，功率在一個(gè)周期內(nèi)的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內(nèi)，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來(lái)表示，單位為瓦特。17、無(wú)功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲(chǔ)能元件在半周期的時(shí)間里把電源能量變成磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）的能量存起來(lái)，在另半周期的時(shí)間里對(duì)已存的磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）能量送還給電源。它們只是與電源進(jìn)行能量交換，并沒(méi)有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無(wú)功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標(biāo)簽： 電子學(xué)
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：zhoujunzhen
本文的目的在于，介紹如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場(chǎng)，不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動(dòng)勢(shì)（MMF）的空間諧頻。 在圖1中，給出了12槽定子的軸截面示意圖。實(shí)際上，所顯示的是薄鋼片的形狀，或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成，以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變，在60Hz的電機(jī)中（大體積電機(jī)，工業(yè)用）層片的厚度典型為.014”（.355毫米）。它們堆疊在一起，以構(gòu)成具有恰當(dāng)長(zhǎng)度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中，給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽，在大部分長(zhǎng)度方向上具有近乎均勻的截面，靠近氣隙處較寬。齒端與相對(duì)狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起，通過(guò)改善氣隙場(chǎng)的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中，有助于控制很多電機(jī)轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請(qǐng)注意，對(duì)于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機(jī)，它具有直邊矩形槽，以及非均勻截面齒。下面的介紹針對(duì)兩類電機(jī)。
標(biāo)簽： 如何計(jì)算 轉(zhuǎn)子 電機(jī) 繞組
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：我干你啊
模擬集成電路的設(shè)計(jì)與其說(shuō)是一門技術(shù)，還不如說(shuō)是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺(jué)。嚴(yán)謹(jǐn)堅(jiān)實(shí)的理論無(wú)疑是嚴(yán)格分析能力的基石，而設(shè)計(jì)者的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)無(wú)疑是誕生豐富直覺(jué)的源泉。這也正足初學(xué)者對(duì)學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計(jì)感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國(guó)加州大學(xué)洛杉機(jī)分校(UCLA)Razavi教授憑借著他在美國(guó)多所著名大學(xué)執(zhí)教多年的豐富教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和在世界知名頂級(jí)公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究經(jīng)歷為我們提供了這本優(yōu)秀的教材。本書自2000午出版以來(lái)得到了國(guó)內(nèi)外讀者的好評(píng)和青睞，被許多國(guó)際知名大學(xué)選為教科書。同時(shí)，由于原著者在世界知名頂級(jí)公司的豐富研究經(jīng)歷，使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書。... 本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問(wèn)題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書由淺入深，理論與實(shí)際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開(kāi)關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和鎖相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging
標(biāo)簽： analog design cmos of
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：杜瑩12345
12位ADTLC1543程序，很有用
標(biāo)簽： 2543 TLC AD轉(zhuǎn)換 程序
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：nem567397
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