<li id="uqkkc"></li> <li id="uqkkc"></li> sony CMOS傳感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) CMOS active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
標簽： CMOS傳感器 IMX178LQJ-C
上傳時間： 2022-06-18
上傳用戶：
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
摘要：本文在分析1GBT的動態開關特性和過流狀態下的電氣特性的基礎上，通過對常規的IGBT推挽驅動電路進行改進，得到了具有良好過流保護特性的IGBT驅動電路。該電路簡單，可靠，易用，配合DSP等控制芯片能達到很好的驅動效果Abstract：Based on the studies on the dynamic switching and over-current characteristics of IGBT，this paper makes some improvments to the original push-pull driving circuit，obtains a new IGBT driving circuit which has a good over-current protection function.The circuit is simple，reliable and easy to use.Combined with controlling chips such as DSP it will do a great job in driving applications.關鍵詞：IBGT：開關特性；驅動；過流保護；Key Words:IGBT；switching characteristics；driving:over-current protection
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：
本文以感應加熱電源為研究對象，闡述了感應加熱電源的基本原理及其發展趨勢。對感應加熱電源常用的兩種拓撲結構-電流型逆變器和電壓型逆變器做了比較分析，并分析了感應加熱電源的各種調功方式。在對比幾種功率調節方式的基礎上，得出在整流側調功有利于高頻感應加熱電源頻率和功率的提高的結論，選擇了不控整流加軟斬波器調功的感應加熱電源作為研究對象，針對傳統硬斬波調功式感應加熱電源功率損耗大的缺點，采用軟斬波調功方式，設計了一種零電流開關準諾振變換器ZCS-QRCs（Zero-current-switching-Quasi-resonant）倍頻式串聯 振高頻感應加熱電源。介紹了該軟斬波調功器的組成結構及其工作原理，通過仿真和實驗的方法研究了該軟斬波器的性能，從而得出該軟斬波器非常適合大功率高頻感應加熱電源應用場合的結論。同時設計了功率閉環控制系統和PI功率調節器，將感應加熱電源的功率控制問題轉化為Buck斬波器的電壓控制問題。針對目前IGBT器件頻率較低的實際情況，本文提出了一種新的逆變拓撲-通過IGBT的并聯來實現倍頻，從而在保證感應加熱電源大功率的前提下提高了其工作頻率，并在分析其工作原理的基礎上進行了仿真，驗證了理論分析的正確性，達到了預期的效果。另外，本文還設計了數字鎖相環（DPLL），使逆變器始終保持在功率因數近似為1的狀態下工作，實現電源的高效運行。最后，分析并設計了1GBT的緩沖吸收電路。本文第五章設計了一臺150kHz，10KW的倍頻式感應加熱電源實驗樣機，其中斬波器頻率為20kHz，逆變器工作頻率為150kHz（每個IGBT工作頻率為75kHz），控制孩心采用TI公司的TMS320F2812 DSP控制芯片，簡化了系統結構。實驗結果表明，該倍頻式感應加熱電源實現了斬波器和逆變器功率器件的軟開關，有效的減小了開關損耗，并實現了數字化，提高了整機效率。文章給出了整機的結構設計，直流斬波部分控制框圖，逆變控制框圖，驅動電路的設計和保護電路的設計。同時，給出了關鍵電路的仿真和實驗波形。
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：
文章首先闡述了整個方案的工作原理，給出LDO設計的指標要求；其次，依據系統方案的指標要求和制造1藝約束，實現包含誤差放大器、基準源和保護電路等了模塊在內的電壓調整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅動100pF數量級的大電容負載"的問題；最后，給出整個模塊總體電路的仿真驗證結果。LDO的架構分析和設計以及基準源的設計是本文的核心內容。在LDO架構設計部分，文章基于對三種不同LDO拓撲的分析，選擇并實現了含緩沖器級的LDO./設計中通過改進反饋網絡，采用反饋電容，實現對LDO的環路補償。同時，為提高誤差放大器驅動功率管的能力、適應LDO低功耗發展的需求，文章探討了如何使用放大器驅動大負載電容的問題，基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）結構，實踐了兩級放大器驅動大負載電容的方案，并把MPC補償技術推廣到三級放大器的設計中。文章設計的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）電流基準是基于對傳統自啟動基準電流源的改進實現的。CRF基準電流源架構中存在一條阻性的電流道路，確保其在加載電源電壓的過程中能夠實現快速啟動，響應速度達到1ps：而傳統自啟動基準電流源在相同的設計參數下，響應速度長達120us.CRF基準電流源突破了響應速度對其應用的限制。
上傳時間： 2022-06-23
上傳用戶：
開關升壓型鋰電池充電管理芯片FLD5302/3概述 為開關型兩節或三節鋰離子/鋰 聚合物電池充電管理芯片，非常適合于便攜 式設備的充電管理應用。 集電壓和電 流調節器、預充、充電狀態指示和充電截止 適配器自適應等功能于一體，采用 SOP-8 封裝。 對電池充電分為三個階段：預 充（ Pre-charge ）、恒流（CC/Constant Current）、恒壓（CV/Constant Voltage）過程。 集成過壓及過流保護，確保電芯的 安全。
上傳時間： 2022-06-25
上傳用戶：
SSD1306 是一個單片 CMOS OLED/PLED 驅動芯片可以驅動有機/聚合發光二極管點陣圖形顯示系統。由 128 segments 和 64 Commons 組成。該芯片專為共陰極 OLED 面板設計。SSD1306 中嵌入了對比度控制器、顯示 RAM 和晶振，并因此減少了外部器件和功耗。有 256級亮度控制。數據/命令的發送有三種接口可選擇： 6800/8000 串口， I2C 接口或 SPI 接口。適用于多數簡介的應用，注入移動電話的屏顯， MP3 播放器和計算器等。
上傳時間： 2022-06-27
上傳用戶：bluedrops
本應用筆記介紹一種采用dsPIC數字信號控制器（Digital Signal Controller，DSC）或PIC24單片機來實現無刷直流（Brushless Direct Current，BLDC）電機無傳感器控制的算法。該算法利用對反電動勢（Back-Electromotive Force，BEMF）進行數字濾波的擇多函數來實現。通過對電機的每一相進行濾波來確定電機驅動電壓換相的時刻。這一控制技術省卻了分立的低通濾波硬件和片外比較器。需指出，這里論述的所有內容及應用軟件，都是假定使用三相電機。該電機控制算法包括四個主要部分：·利用DSC或單片機的模數轉換器（Analog-to-Digital Converter，ADC）來采樣梯形波BEMF信號·PWM導通側ADC采樣，以降低噪聲并解決低電感問題·將梯形波BEMF信號與VBUS/2進行比較，以檢測過零點·用擇多函數濾波器對比較結果信號進行濾波·以三種不同模式對電機驅動電壓進行換相：-傳統開環控制器·傳統閉環控制器比例-積分（Proportional-Integral，Pl）閉環控制器
標簽： BLDC
上傳時間： 2022-07-01
上傳用戶：
Single-Channel, Serial Input, 4 mA to20 mA, Current Source DAC, HART Connectivity
上傳時間： 2022-07-24
上傳用戶：
STM32F驅動L6470 ■ Operating voltage: 8 - 45 V■ 7.0 A out peak current (3.0 A r.m.s.)■ Low RDS(on) Power MOSFETs■ Programmable speed profile and positioning■ Programmable power MOS slew rate■ Up to 1/128 microstepping■ Sensorless stall detection■ SPI interface■ Low quiescent and standby currents■ Programmable non-dissipative overcurrentprotection on high and low-side■ Two levels of overtemperature protection
標簽： l6470
上傳時間： 2022-07-25
上傳用戶：kingwide
<rt id="oaqyc"></rt>