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Silvaco

Silvaco的全稱是SilvacoInternational是世界領先的電子設計自動化(EDA)軟件供應商,公司創建于1984年,總部設于加利福尼亞州的圣塔克萊拉,在全世界設有12個分支機構。Silvaco公司擁有包括IDM、Foundry、Fabless、集成電路材料業者、液晶面板廠、太陽能電池廠、ASIC業者、大學、研究中心等在內的龐大的國內外客戶群。供應已經證明的產品用于TCAD工藝和器件仿真,Spice參數提取,電路仿真、全定制IC設計/驗證等。公司將這些最優產品與經驗豐富的技術支持和工程服務結合在一起,經驗豐富知識淵博的應用工程師提供一套完備技術。
  • Silvaco教程

    如題,Silvaco教程,但是繁體字的。。。

    標簽: Silvaco 教程

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:HGH77P99

  • tft仿真相關教程(Silvaco)

    Silvaco仿真相關 tft仿真教程 atlas 2D仿真器

    標簽: Silvaco

    上傳時間: 2015-05-07

    上傳用戶:sunrems

  • 半導體仿真工具Silvaco TCAD學習資料

    半導體仿真工具Silvaco TCAD學習資料,中文,第1章 仿真準備,第2章 二維工藝仿真,第3章 二維器件仿真,第4章 高級的特性,附錄A 材料系統,附錄B 物理

    標簽: 器件仿真

    上傳時間: 2016-03-24

    上傳用戶:蟲蟲網....

  • Silvaco中英文資料

    Silvaco中英文資料全集,主要是例子的詳細講解

    標簽: 器件仿真

    上傳時間: 2016-03-24

    上傳用戶:蟲蟲網....

  • Silvaco電子書

    Silvaco電子書中文版,現代電子工業飛速發展,極大地改善了人們的生產和生活。半導體器件的持續改進、完 善以及不斷涌現的新器件促使電子工業加速發展。但激烈的競爭也讓半導體行業倍感壓力。 由于技術更新快,設備和原材料的投入相當巨大,現在建立一條生產線動輒要數億美元。對 高技術人才的要求也是前所未有的。 

    標簽: Silvaco 電子書

    上傳時間: 2020-04-20

    上傳用戶:13667672065

  • 半導體仿真工具 Silvaco tcad 學習資料

    接觸Silvaco TCAD仿真軟件已經有很長時間了,這期間還熟悉了一下ISE TCAD。學習的過程中,老師、師兄姐和同學給了我極大的幫助。這本書的主旨就是希望提供一些對于Silvaco仿真的可資借鑒的經驗。學習和使用Silvaco的時候各人的視角會不一樣,雖然這本書只是介紹一些常用的仿真,例句也有限,但因為流程控制和語法都有相通的地方,完全可以參照本書和手冊的說明靈活地建立仿真以及仿真一些本書未提及的特性。寫本書的另一個動力是想體驗一下IAT在排版書籍上和word的不同。經過這次編排覺得各有優缺點。IZTX對排圖片和表格這些浮動元素很費力。我在排此書的時候經常遇到圖片和表格按照自動方式排的位置很差,和文字內容脫節很遠,為此不得不處理圖片,有時還將表格拆開等。如果各位遇到很脫節的地方還請見諒。LTX的使用需要有很強的耐心和探索精神,也可以說是犧牲精神。不管是MS Office還是ITEX,總的目的是想內容通順,閱讀起來舒服,用什么工具就是“八仙過海,各顯神通”了。

    標簽: 半導體仿真 Silvaco tcad

    上傳時間: 2021-11-27

    上傳用戶:qingfengchizhu

  • Silvaco版圖編輯器Expert

    該文檔為Silvaco版圖編輯器Expert總結文檔,是一份不錯的參考資料,感興趣的可以下載看看,,,,,,,,,,,,,,,,,

    標簽: Silvaco 版圖編輯器

    上傳時間: 2022-07-25

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  • 一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

    提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS,該結構改善了表面電場分布,從而提高了器件的擊穿電壓。通過Silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證,并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化,結果表明,在保證LDMOS器件參數不變的條件下,采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。

    標簽: LDMOS 射頻集成電路 擊穿

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:603100257

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 現代快恢復二極管設計方法的研究

    基于改善快恢復二極管的的動態特性,通過對二極管的橫、縱向參數來進行分析,理論上提出了快恢復二極管的設計方法,并且結合Silvaco-TCAD仿真軟件進行驗證;得出了現代快恢復二極管應降低陽極濃度、減小基區少子壽命,采用加緩沖層的結論;這種結構極大的改善了快恢復二極管的正向導通特性,達到了優化動態特性的目的。

    標簽: 恢復二極管 設計方法

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:xc216

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