中國(guó)移動(dòng)的sp短信接入文檔，是某公司用的效果不錯(cuò)，希望大家喜歡，謝謝
標(biāo)簽： 文檔
上傳時(shí)間： 2020-11-25
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MSP430F5529 eZ-FET Lite USB仿真器（原理圖、PCB源文件、BOM、量產(chǎn)工具等）.
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶(hù)：20125101110
系統(tǒng)采用ATME189S52 為微控制器(MCE)核心，實(shí)現(xiàn)了可控的恒定直流電流源設(shè)計(jì)。核心恒流模塊采用自反饋電路連接大功率場(chǎng)效應(yīng)管IRFZ44NL，使得電流輸出范圍達(dá)到20~2000
標(biāo)簽： FET 大功率 數(shù)控直流 電流源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-07-05
上傳用戶(hù)：cy_ewhat
C51與標(biāo)準(zhǔn)SP/2鍵盤(pán) 1602顯示 KEIL環(huán)境下編譯 是從網(wǎng)絡(luò)上轉(zhuǎn)載的
上傳時(shí)間： 2013-06-14
上傳用戶(hù)：1054154823
非常經(jīng)典的保護(hù)電路設(shè)計(jì)，關(guān)于IBGT MOS FET過(guò)壓過(guò)流的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 保護(hù) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-06-25
上傳用戶(hù)：wxhwjf
圖解晶體管電路 192頁(yè) 4.8M本書(shū)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。 本書(shū)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，抓住晶體管、FET的工作圖像，以達(dá)到靈活運(yùn)用這些器件設(shè)計(jì)應(yīng)用電路的目的。
上傳時(shí)間： 2013-05-16
上傳用戶(hù)：lw4463301
ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過(guò)動(dòng)態(tài)控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓，精確限制該電源產(chǎn)生的電流。內(nèi)部檢測(cè)放大器可以檢測(cè)連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測(cè)電阻上的電壓。該電平體現(xiàn)了負(fù)載電流水平。檢測(cè)放大器具有100 mV (±3%)的預(yù)設(shè)控制環(huán)路閾值。這意味著當(dāng)檢測(cè)電阻上檢測(cè)到100 mV的電壓時(shí)，電流控制環(huán)路就會(huì)調(diào)節(jié)負(fù)載電流。這樣檢測(cè)電阻值可以設(shè)置促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時(shí)檢測(cè)電阻會(huì)促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶(hù)：packlj
為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設(shè)計(jì)方法.分析了單項(xiàng)參數(shù)的變化規(guī)律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結(jié)構(gòu).對(duì)射頻放大器SP模型和封裝模型進(jìn)行仿真.仿真結(jié)果表明,輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)對(duì)放大器的性能有影響,所提出的設(shè)計(jì)方法能有效分配性能指標(biāo),為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑
標(biāo)簽： ISM 頻段 低噪聲放大器 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶(hù)：909000580
如今的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和電源越來(lái)越緊湊，性能也日益強(qiáng)大，而越來(lái)越高的開(kāi)關(guān)頻率是設(shè)計(jì)人員面臨的主要問(wèn)題之一，正是它使得PCB的設(shè)計(jì)越來(lái)越困難。事實(shí)上，PCB版圖已經(jīng)成為區(qū)分好與差的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的分水嶺。本文針對(duì)如何一次性創(chuàng)建優(yōu)秀PCB版圖提出一些建議。考慮一個(gè)將24V降為3.3V的3A開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。設(shè)計(jì)這樣一個(gè)10W穩(wěn)壓器初看起來(lái)不會(huì)太困難，設(shè)計(jì)人員可能很快就可以進(jìn)入實(shí)現(xiàn)階段。不過(guò)，讓我們看看在采用Webench等設(shè)計(jì)軟件后，實(shí)際會(huì)遇到哪些問(wèn)題。如果我們輸入上述要求，Webench會(huì)從若干IC中選出“Simpler Switcher”系列中的LM25576(一款包括3A FET的42V輸入器件)。該芯片采用帶散熱墊的TSSOP-20封裝。Webench菜單中包括了對(duì)體積或效率的設(shè)計(jì)優(yōu)化。設(shè)計(jì)需要大容量的電感和電容，從而需要占用較大的PCB空間。Webench提供如表1的選擇。
標(biāo)簽： PCB 開(kāi)關(guān)電源 版圖設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶(hù)：邶刖
本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線(xiàn)設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線(xiàn)設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話(huà)，會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號(hào)的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問(wèn)題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無(wú)full ground設(shè)計(jì)，如果有外部噪訊干擾之虞時(shí)，接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測(cè)試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：hebanlian
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