Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書
上傳時間: 2014-12-24
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該文提出一種新顆的三電平LLc串聯(lián)電流諧振型Dc,Dc變換器。每個主開關(guān)電壓應(yīng)力是輸入電壓的一半,并且全范圍實現(xiàn)zvs而不用附加任何電路。整流二極管工作在zcs狀態(tài)。該變換器通過_次諧振的手段使得以較小的頻率變化范圍就可以實現(xiàn)較大的輸入輸出調(diào)節(jié)范圍。整個變換器只需一顆磁元件。
標(biāo)簽: DC_DC 三電平 軟開關(guān) 諧振
上傳時間: 2013-10-16
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采用滯環(huán)電流控制方式,以TMS320F2812為控制器組建了電壓型PWM整流器雙閉環(huán)自動控制系統(tǒng)。實驗結(jié)果表明,該系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)、動態(tài)性能。為設(shè)計PWM整流器提供了一定的理論依據(jù)。
上傳時間: 2013-10-30
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現(xiàn)階段對電流型二線制光照強度變送器的研究還相對較少,設(shè)計的光照強度變送器普遍存在精度不高,線性度不好,性能不夠穩(wěn)定,不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號的問題。介紹了一種電流型二線制光照強度變送器的設(shè)計,其結(jié)構(gòu)由光照強度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實驗結(jié)果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低,能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點。
上傳時間: 2013-11-08
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電壓驅(qū)動型脈寬調(diào)制器TL494
上傳時間: 2013-10-28
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符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) : UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間: 2014-04-17
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AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1
上傳時間: 2014-04-15
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本文針對6KV中壓電網(wǎng)三相平衡負(fù)載的無功功率補償,結(jié)合二極管箝位多電平逆變器和H橋級聯(lián)多電平逆變器的特點,提出了一種能夠直接并入電網(wǎng)的新型主從式的逆變器結(jié)構(gòu):主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器,從逆變器采用三個H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級聯(lián)的形式連接,最后構(gòu)成一個五電平的混聯(lián)逆變器。從逆變器負(fù)責(zé)產(chǎn)生一個方波電壓,構(gòu)成輸?shù)A正弦電壓的基本成分:主逆變器產(chǎn)生輸出電壓的補償部分以及負(fù)責(zé)消除低次諧波。對于主逆變器直流側(cè)電容電壓的平衡問題,本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法,從而降低了PWM調(diào)制時控制方法的復(fù)雜性。因為集成門極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關(guān)頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優(yōu)點,主電路選用IGCT作為開關(guān)器件。本文詳細(xì)分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結(jié)構(gòu),同時給出了電路參數(shù)的確定方法,并對STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進(jìn)行了理論分析。根據(jù)本文提出的主從型逆交器結(jié)構(gòu)特點,建立了基于瞬時無功理論的STATCOM系統(tǒng)動態(tài)控制模型,并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結(jié)果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結(jié)構(gòu)在消除諧波方面的優(yōu)越性。
標(biāo)簽: STATCOM IGCT 逆變器 中的應(yīng)用
上傳時間: 2013-10-31
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采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時間: 2013-11-21
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了解高壓變頻系統(tǒng)共模電壓及其特點,對整個變頻系統(tǒng)的設(shè)計具有重要意義。文中較詳細(xì)地分析了級聯(lián)型多電平高壓變頻系統(tǒng)共模電壓的產(chǎn)生機理,對兩種電壓胞脈寬調(diào)制(PWM) 方法引起的共模電壓進(jìn)行了比較,提出了采用電壓胞異相調(diào)制和3 次諧波注入法減小變頻系統(tǒng)共模電壓的策略。仿真計算表明,該方法既能減小變頻系統(tǒng)輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。
標(biāo)簽: 級聯(lián)型 共模電壓 分 高壓變頻
上傳時間: 2013-11-23
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