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S-handbook_v

  • 基于2ED300C17-S的IGBT驅(qū)動(dòng)電路研究

    在大功率弧焊電源設(shè)計(jì)中,IGBT 已成為主流的可控功率開(kāi)關(guān)器件。IGBT 驅(qū)動(dòng)電路作為功率電路和控制電路之間的接口,應(yīng)具備驅(qū)動(dòng)延遲小、安全隔離、IGBT 過(guò)電流/過(guò)電壓保護(hù)準(zhǔn)確等功能。針對(duì)新型高壓大功率IGBT 驅(qū)動(dòng)模塊2ED300C17-S 的過(guò)電流檢測(cè)及保護(hù)功能進(jìn)行了研究,提出了與過(guò)電流保護(hù)功能相關(guān)的參數(shù)選擇原則,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

    標(biāo)簽: IGBT 300 ED 17

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶(hù):kaje

  • 基于ARM926EJ-S內(nèi)核的低功耗ARM

    TI半導(dǎo)體針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出了基于ARM926EJ-S內(nèi)核的低功耗ARM9處理器AM17xx和AM18xx。其中,AM17xx 和OMAPL137在軟件和引腳上兼容;AM18xx 和OMAPL138在軟件和引腳上兼容。基于本系列處理器,用戶(hù)可快速開(kāi)發(fā)出具有強(qiáng)壯可靠操作系統(tǒng)、豐富用戶(hù)接口、高性能的處理能力的設(shè)備。

    標(biāo)簽: ARM EJ-S 926 內(nèi)核

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶(hù):9牛10

  • S波段矢量陣列天線(xiàn)單元的設(shè)計(jì)

    設(shè)計(jì)了一個(gè)工作在S波段矢量陣列的天線(xiàn)單元,利用HFSS軟件進(jìn)行優(yōu)化和仿真。實(shí)測(cè)結(jié)果表明,該天線(xiàn)在E面和H面的交叉極化電平分別小于-26 dB和-23 dB,兩個(gè)端口之間的隔離度大于32 dB。該數(shù)據(jù)滿(mǎn)足組成矢量陣列的要求。

    標(biāo)簽: S波段 矢量陣列天線(xiàn)

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶(hù):朗朗乾坤

  • 基于T-S模糊模型的電液比例位置控制系統(tǒng)研究

    針對(duì)電液比例位置控制系統(tǒng)由于非線(xiàn)性和死區(qū)特性在實(shí)際控制中難以得到滿(mǎn)意的控制效果的現(xiàn)狀,本研究采用T-S模糊控制理論的原理設(shè)計(jì)了T-S模糊控制器對(duì)電液比例位置控制系統(tǒng)進(jìn)行控制。并以Matlab為平臺(tái)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。仿真結(jié)果表明采用T-S模糊控制的電液比例位置控制系統(tǒng)具有較好的控制效果

    標(biāo)簽: T-S 模糊模型 位置控制 電液比例

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶(hù):daoxiang126

  • 中文版《天線(xiàn)理論與設(shè)計(jì)》R.S.Elliott 著 王茂光等譯

    中文版《天線(xiàn)理論與設(shè)計(jì)》R.S.Elliott 著 王茂光等譯

    標(biāo)簽: Elliott 天線(xiàn)

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶(hù):zwei41

  • 差分電路中單端及混合模式S-參數(shù)的使用

    Single-Ended and Differential S-Parameters Differential circuits have been important incommunication systems for many years. In the past,differential communication circuits operated at lowfrequencies, where they could be designed andanalyzed using lumped-element models andtechniques. With the frequency of operationincreasing beyond 1GHz, and above 1Gbps fordigital communications, this lumped-elementapproach is no longer valid, because the physicalsize of the circuit approaches the size of awavelength.Distributed models and analysis techniques are nowused instead of lumped-element techniques.Scattering parameters, or S-parameters, have beendeveloped for this purpose [1]. These S-parametersare defined for single-ended networks. S-parameterscan be used to describe differential networks, but astrict definition was not developed until Bockelmanand others addressed this issue [2]. Bockelman’swork also included a study on how to adapt single-ended S-parameters for use with differential circuits[2]. This adaptation, called “mixed-mode S-parameters,” addresses differential and common-mode operation, as well as the conversion betweenthe two modes of operation.This application note will explain the use of single-ended and mixed-mode S-parameters, and the basicconcepts of microwave measurement calibration.

    標(biāo)簽: 差分電路 單端 模式

    上傳時(shí)間: 2014-03-25

    上傳用戶(hù):yyyyyyyyyy

  • 用二端口S參數(shù)來(lái)表征差分電路的特性

    用二端口S-參數(shù)來(lái)表征差分電路的特性■ Sam Belkin差分電路結(jié)構(gòu)因其更好的增益,二階線(xiàn)性度,突出的抗雜散響應(yīng)以及抗躁聲性能而越來(lái)越多地被人們采用。這種電路結(jié)構(gòu)通常需要一個(gè)與單端電路相連接的界面,而這個(gè)界面常常是采用“巴倫”器件(Balun),這種巴倫器件提供了平衡結(jié)構(gòu)-到-不平衡結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換功能。要通過(guò)直接測(cè)量的方式來(lái)表征平衡電路特性的話(huà),通常需要使用昂貴的四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。射頻應(yīng)用工程師還需要確定幅值和相位的不平衡是如何影響差分電路性能的。遺憾的是,在射頻技術(shù)文獻(xiàn)中,很難找到一種能表征電路特性以及衡量不平衡結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生影響的好的評(píng)估方法。這篇文章的目的就是要幫助射頻應(yīng)用工程師們通過(guò)使用常規(guī)的單端二端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)準(zhǔn)確可靠地解決作為他們?nèi)粘9ぷ鞯牟罘蛛娐诽匦缘臏y(cè)量問(wèn)題。本文介紹了一些用來(lái)表征差分電路特性的實(shí)用和有效的方法, 特別是差分電壓,共模抑制(CMRR),插入損耗以及基于二端口S-參數(shù)的差分阻抗。差分和共模信號(hào)在差分電路中有兩種主要的信號(hào)類(lèi)型:差分模式或差分電壓Vdiff 和共模電壓Vcm(見(jiàn)圖2)。它們各自的定義如下[1]:• 差分信號(hào)是施加在平衡的3 端子系統(tǒng)中未接地的兩個(gè)端子之上的• 共模信號(hào)是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。

    標(biāo)簽: 二端口 S參數(shù) 差分電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶(hù):葉山豪

  • S參數(shù)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    Agilent AN 154 S-Parameter Design Application Note S參數(shù)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 The need for new high-frequency, solid-state circuitdesign techniques has been recognized both by microwaveengineers and circuit designers. These engineersare being asked to design solid state circuitsthat will operate at higher and higher frequencies.The development of microwave transistors andAgilent Technologies’ network analysis instrumentationsystems that permit complete network characterizationin the microwave frequency rangehave greatly assisted these engineers in their work.The Agilent Microwave Division’s lab staff hasdeveloped a high frequency circuit design seminarto assist their counterparts in R&D labs throughoutthe world. This seminar has been presentedin a number of locations in the United States andEurope.From the experience gained in presenting this originalseminar, we have developed a four-part videotape, S-Parameter Design Seminar. While the technologyof high frequency circuit design is everchanging, the concepts upon which this technologyhas been built are relatively invariant.The content of the S-Parameter Design Seminar isas follows:

    標(biāo)簽: S參數(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-12-19

    上傳用戶(hù):aa54

  • s參數(shù)計(jì)算/s參數(shù)計(jì)算器

    s參數(shù)計(jì)算器,S11,S12,S22,S21的參數(shù),一算變知,非常方便。

    標(biāo)簽: 參數(shù)計(jì)算 參數(shù) 計(jì)算器

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶(hù):432234

  • 基于LPCEB2000-S的SPI程序

    基于LPCEB2000-S的SPI程序

    標(biāo)簽: LPCEB 2000 SPI 程序

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶(hù):540750247

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