EMC定義電磁兼容性EMC(ElectroMagneTIcCompaTIbility),在國際電工委員會標準IEC對電磁兼容的定義為:系統(tǒng)或設(shè)備在所處的電磁環(huán)境中能正常工作,同時不會對其他系統(tǒng)和設(shè)備造成干擾。EMC:(ElectromagneTIccompaTIbility)電磁兼容性EMI:(Electromagneticinterference)電磁干擾EMI(ElectroMagneticInterference):指設(shè)備在正常運行過程中對所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過一定的限值;EMS:(Electromagneticsusceptibility)電磁敏感度EMS(ElectroMagneticSusceptibility):指器具對所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度,即電磁敏感性。RE:(Radiatedemission)輻射騷擾(EMI)輻射騷擾:主要是指能量以電磁波的形式由源發(fā)射到空間,或能量以電磁波形式在空間傳播的現(xiàn)象CE:(Conductedemission)傳導騷擾(EMI)傳導騷擾:傳導干擾是指通過導電介質(zhì)把一個電網(wǎng)絡(luò)上的信號耦合(諧波干擾)到另一個電網(wǎng)絡(luò)CS:(Conductedsusceptibility)傳導騷擾抗擾度(EMS)傳導騷擾抗擾度:指抵抗導電介質(zhì)上干擾的一種能力RS:(Radiatedsusceptibility)射頻電磁場輻射抗擾度(EMS)射頻電磁場輻射抗擾度:指各種裝置、設(shè)備或系統(tǒng),在存在輻射的情況下,抵抗輻射的一種能力ESD:(Electrostaticdischarge)靜電放電(EMS)靜電放電:指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移EFT/B:(Electricalfasttransientburst)電快速瞬變脈沖群(EMS)電快速瞬變脈沖群:指數(shù)量有限且清晰可辨的脈沖序列或持續(xù)時間有限的振蕩,脈沖群中的單個脈沖有特定的重復周期、電壓幅值,上升時間,脈寬。
上傳時間: 2021-11-07
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This Getting Started Guide is written for Maxwell beginners and experienced users who would like to quickly re familiarize themselves with the capabilities of MaxwelL.This guide leads you step-by-step through solving and analyzing the results of a rotational actuator magnetostatic problem with motion By following the steps in this guide, you will learn how to perform the following tasks Modify a models design parameters y Assign variables to a model's design parameters.Specify solution settings for a design Validate a designs setupRun a maxwell simulation v Plot the magnetic flux density vecto v Include motion in the simulation本《入門指南》是為希望快速重新熟悉MaxwelL功能的Maxwell初學者和有經(jīng)驗的用戶編寫的。本指南將引導您逐步解決和分析旋轉(zhuǎn)致動器靜運動問題的結(jié)果。按照本指南中的步驟,您將學習如何執(zhí)行以下任務(wù)。修改模型設(shè)計參數(shù)y將變量分配給模型的設(shè)計參數(shù)。指定設(shè)計的解決方案設(shè)置驗證設(shè)計設(shè)置運行maxwell模擬v繪制磁通密度vecto v在模擬中包含運動
上傳時間: 2022-03-10
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基于PSIM仿真軟件,分析了Boost電路拓撲結(jié)構(gòu),設(shè)定了參數(shù)要求進行電路仿真設(shè)計,通過電路仿真軟件PSIM對Boost電路工作在CCM模式下,合理設(shè)置占空比參數(shù)。實驗結(jié)果表明理論分析與仿真的一致性和參數(shù)設(shè)計的正確性,輸出電壓和電流參數(shù)穩(wěn)定,Boost電路輸出效率高。This design is based on PSIM simulation software,analyzes the topology of Boost circuit,sets the parameter re- quirements for circuit simulation design,and reasonably sets the duty cycle parameters for Boost circuit working in CCM mode through PSIM simulation software.The experimental results show that the theoretical analysis and simulation are consis- tent and the parameter design is correct,the output voltage and current parameters are stable.
標簽: psim 開關(guān)電源 boost
上傳時間: 2022-05-04
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文章首先闡述了整個方案的工作原理,給出LDO設(shè)計的指標要求;其次,依據(jù)系統(tǒng)方案的指標要求和制造1藝約束,實現(xiàn)包含誤差放大器、基準源和保護電路等了模塊在內(nèi)的電壓調(diào)整器:此外,文章還著重探討了“如何利用放大器驅(qū)動100pF數(shù)量級的大電容負載"的問題;最后,給出整個模塊總體電路的仿真驗證結(jié)果。LDO的架構(gòu)分析和設(shè)計以及基準源的設(shè)計是本文的核心內(nèi)容。在LDO架構(gòu)設(shè)計部分,文章基于對三種不同LDO拓撲的分析,選擇并實現(xiàn)了含緩沖器級的LDO./設(shè)計中通過改進反饋網(wǎng)絡(luò),采用反饋電容,實現(xiàn)對LDO的環(huán)路補償。同時,為提高誤差放大器驅(qū)動功率管的能力、適應LDO低功耗發(fā)展的需求,文章探討了如何使用放大器驅(qū)動大負載電容的問題,基于密勒定理和根軌跡原理,本文通過研究密勒電容的作用,采用MPC(Miller-Path-Compersation)結(jié)構(gòu),實踐了兩級放大器驅(qū)動大負載電容的方案,并把MPC補償技術(shù)推廣到三級放大器的設(shè)計中。文章設(shè)計的CRF(CRF:Current Re ference controlled by Feedback)電流基準是基于對傳統(tǒng)自啟動基準電流源的改進實現(xiàn)的。CRF基準電流源架構(gòu)中存在一條阻性的電流道路,確保其在加載電源電壓的過程中能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動,響應速度達到1ps:而傳統(tǒng)自啟動基準電流源在相同的設(shè)計參數(shù)下,響應速度長達120us.CRF基準電流源突破了響應速度對其應用的限制。
上傳時間: 2022-06-23
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GPIB為PC機與可編程儀器之間的連接系統(tǒng)定義了電氣、機械、功能和軟件特性。在自動測試領(lǐng)域中,GPIB通用接口是測試儀器常用的接口方式,具有一定的優(yōu)勢。通過GPIB組建自動測試系統(tǒng)方便且費用低廉。而GPIB控制芯片是自動測試系統(tǒng)中的關(guān)鍵芯片。目前,此類芯片只有國外少數(shù)公司生產(chǎn),不僅價格昂貴,而且購買不便。因此,GPIB接口芯片的國產(chǎn)化、自主化對我國的自動測試產(chǎn)業(yè)具有重大的意義。本文通過對IEEE-488協(xié)議的理解與裁減,定義了一款包含具有講者,聽者,控者三個功能的GPIB接口控制規(guī)范。采用標準數(shù)字IC設(shè)計流程,對協(xié)議狀態(tài)機化簡后,進行了RTL級的Verilog編碼設(shè)計,基于FPGA進行了原型驗證。根據(jù)需要,對芯片的內(nèi)部進行了時鐘門控處理來降低功耗。采用芯片引腳復用和JTAG測試原理,對芯片內(nèi)部增加了測試電路,方便了內(nèi)部狀態(tài)的測試,實現(xiàn)了可測試性設(shè)計。該芯片的工作時鐘頻率為8MHz,通過Synopsys的工具DC對源代碼進行了綜合;使用PT對設(shè)計進行了靜態(tài)時序分析;采用Cadence公司的Silicon Ensemble對綜合后的網(wǎng)表進行了版圖設(shè)計,對芯片內(nèi)部的電源網(wǎng)絡(luò)和時鐘樹做了特殊處理,在國外的某5V0.5/m標準數(shù)字單元庫下進行了mapping,芯片規(guī)模10萬門左右,裸片面積為1.5mm×1.7mm。
上傳時間: 2022-06-25
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1、汽車電子類EMC標準要求。全面說明了RE、CE方面的限值要求及測試方法。方便在項目開發(fā)前做好評估準備。2、最新版國標。文檔為最新版本說明。節(jié)約不必要的時間成本。3、高清PDF文檔。免去各種掃描版無法查找定位的問題。提高可閱讀性及可查找性。4、非加密文檔。非加密文件,可以放心打印。不用反復查找破解軟件,省心省力。5、本標準,對應CISPR:25-2016最新版本。6、下載要求不高。我只需要賺一點點積分,用于下載其他自己需求的標準資料。互通有無
標簽: 無線電
上傳時間: 2022-06-26
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一、簡介目前,涉及到EMI測試的相關(guān)標準,主要為:歐規(guī)(EN55022),美規(guī)(FCC)相關(guān)名詞:非故意輻射(Unintentional):產(chǎn)品產(chǎn)生不想要的電磁波輻射,造成干擾;如:電腦,LCD Monitor,DVD,電視,投影機等;故意輻射(intentional):使用無線電波進行通信;FCC只測試EMl:RE(輻射干擾):測試頻率范圍30MHZ~1GHZ;CE(電源干擾):測試頻率范圍150KHZ~30MHZ;主要的EMI測試參考標準:歐盟:EN55022(EMI參考測試標準);EN55024(EMS參考測試標準);美國:FCC Part 15B(EMI參考測試標準);臺灣:CNS13438(EMl參考測試標準)二、測試EMI 測試定義:測試待測物EUT產(chǎn)生的輻射干擾強度,分為RE測試和CE測試兩種。1)、RE測試:量測EUT產(chǎn)生的輻射干擾,其測試頻率范圍:30MHZ~1GHZ。測試方法:參考相關(guān)測試標準EN55022或者其他測試標準;測試距離及場合:10米量測,在開放式場合;測試方式:量測EUT產(chǎn)生的電磁波輻射(30MHZ~1GHZ).2)、CE測試:量測EUT產(chǎn)生的傳導輻射干擾,其測試頻率范圍:150K~30MHZ.測試方法:參考相關(guān)測試標準EN55022或者其他測試標準;
標簽: emi測試
上傳時間: 2022-07-24
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STM32F4XXX系列核心板資料: YD00-參考資料 YD01-ST32F401RBT6核心板資料 YD02-STM32F407ZGT6mini核心板資料 YD03-STM32F407VET6核心板資料 YD04-STM32F429核心板資料 配送資料 STM32F1XXX系列核心板資料: YD01-STM32F103C8T6核心板資料 YD010-STM32F103ZET6mini核心板資料 YD02-STM32F103RBT6核心板資料 YD03-STM32F103RB(RC)T6mini核心板資料 YD04-STM32F103RC(RE)T6核心板資料 YD05-STM32F103VE(VC)T6核心板資料 YD06-STM32F103VE(VC)T6mini核心板資料 YD07-STM32F103ZET6核心板資料 YD08-STM32F103ZE(ISP屏)核心板資料 入庫資料 配送資料 …………
上傳時間: 2013-07-15
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