高速電路信號完整性分析之應(yīng)用篇
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：小寶愛考拉
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
隨著數(shù)字儀控系統(tǒng)在工業(yè)行業(yè)應(yīng)用的日益廣泛，效率及可靠性更高的開關(guān)電源在數(shù)字儀控系統(tǒng)設(shè)計中的應(yīng)用也越來越多。針對數(shù)字儀控系統(tǒng)工程中開關(guān)電源的典型應(yīng)用配電回路，在電源擴容、電源冗余可靠性設(shè)計方面進行分析描述，同時結(jié)合試驗分析由此設(shè)計而產(chǎn)生的電源模塊均流問題對配電回路可靠性的影響。
標(biāo)簽： 冗余 開關(guān)電源 均流 分
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：huyiming139
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計參數(shù)方程，并通過HFSS進行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達(dá)到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
A3機芯開關(guān)電源電路分析與檢修
標(biāo)簽： A3機芯 開關(guān)電源 電路分析 檢修
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：yimoney
在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術(shù)指標(biāo)，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數(shù)的大小有關(guān)，在電路的線性工作范圍內(nèi)，起振時電壓放大倍數(shù)比3大得越多，最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構(gòu)成及電路元件參數(shù)的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：潛水的三貢
配電網(wǎng)架空線路是城郊及農(nóng)村最常用線路敷設(shè)方式，對供電距離較長的架空線路，電壓壓降問題尤其值得重視。以實際工程施工線路電壓壓降問題為例，針對線路電壓壓降和無功補償配置問題，給出了分析方法和計算過程，通過方案比對，得出最優(yōu)供電方案。
標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 架空線路 壓降分析 電壓
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：wangcehnglin
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