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ProfiBus-dp

PROFIBUS–DP的DP即DecentralizedPeriphery,是一種計算機電子元件。它具有高速低成本,用于設(shè)備級控制系統(tǒng)與分散式I/O的通信。它與PROFIBUS-PA(ProcessAutomation)、PROFIBUS-FMS(FieldbusMessageSpecification)共同組成了PROFIBUS標(biāo)準(zhǔn)。
  • 基于DP-51PRO的單片機高級綜合實驗室

    在必要的基礎(chǔ)理論教學(xué)中,利用先進完備的綜合實驗室,使學(xué)生快速掌握各類嵌入式電子產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計原理、開發(fā)方式和開發(fā)過程。從而培養(yǎng)出具有較強的實際操作能力、開發(fā)設(shè)計能力和先進的開發(fā)手段能力,并在開發(fā)設(shè)計中能獨當(dāng)一面的開拓性電子應(yīng)用人才。

    標(biāo)簽: PRO DP 51 單片機

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:evil

  • 基于DP-51PROC的單片機高級綜合實驗室推薦方案

    在必要的基礎(chǔ)理論教學(xué)中,利用先進完備的綜合實驗室,使學(xué)生快速掌握各類嵌入式電子產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計原理、開發(fā)方式和開發(fā)過程。從而培養(yǎng)出具有較強的實際操作能力、開發(fā)設(shè)計能力和先進的開發(fā)手段能力,并在開發(fā)設(shè)計中能獨當(dāng)一面的開拓性電子應(yīng)用人才。

    標(biāo)簽: PROC DP 51 單片機

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:yangbo69

  • 80C51系列開發(fā)平臺產(chǎn)品選型指南

    80C51系列開發(fā)平臺產(chǎn)品選型指南 DP-51PRO單片機綜合仿真實驗儀是一款功能強大的綜合性單片機實際學(xué)習(xí)、調(diào)試、開發(fā)工具,為廣大初學(xué)者和工程師學(xué)習(xí)和提高技術(shù)水平提供了一條捷徑。

    標(biāo)簽: 80C51 開發(fā)平臺 產(chǎn)品選型

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:JasonC

  • PROFIBUS嵌入式模塊

    關(guān)鍵詞 DPM-S 配置升級摘 要 本文檔指導(dǎo)用戶如何配置 DPM-S 模塊及固件升級

    標(biāo)簽: PROFIBUS 嵌入式模塊

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:ghostparker

  • 實驗指導(dǎo)書 (TPC-H實驗臺C語言版)

    《現(xiàn)代微機原理與接口技術(shù)》實驗指導(dǎo)書 TPC-H實驗臺C語言版 1.實驗臺結(jié)構(gòu)1)I / O 地址譯碼電路如上圖1所示地址空間280H~2BFH共分8條譯碼輸出線:Y0~Y7 其地址分別是280H~287H、288H~28FH、290H~297H、298H~29FH、2A0H~2A7H、2A8H~2AFH、2B0H~2B7H、2B8H~2BFH,8根譯碼輸出線在實驗臺I/O地址處分別由自鎖緊插孔引出供實驗選用(見圖2)。 2) 總線插孔采用“自鎖緊”插座在標(biāo)有“總線”區(qū)引出數(shù)據(jù)總線D7~D0;地址總線A9~A0,讀、寫信號IOR、IOW;中斷請求信號IRQ ;DMA請求信號DRQ1;DMA響應(yīng)信號DACK1 及AEN信號,供學(xué)生搭試各種接口實驗電路使用。3) 時鐘電路如圖-3所示可以輸出1MHZ 2MHZ兩種信號供A/D轉(zhuǎn)換器定時器/計數(shù)器串行接口實驗使用。圖34) 邏輯電平開關(guān)電路如圖-4所示實驗臺右下方設(shè)有8個開關(guān)K7~K0,開關(guān)撥到“1”位置時開關(guān)斷開,輸出高電平。向下打到“0”位置時開關(guān)接通,輸出低電平。電路中串接了保護電阻使接口電路不直接同+5V 、GND相連,可有效地防止因誤操作誤編程損壞集成電路現(xiàn)象。圖 4 圖 55) L E D 顯示電路如圖-5所示實驗臺上設(shè)有8個發(fā)光二極管及相關(guān)驅(qū)動電路(輸入端L7~L0),當(dāng)輸入信號為“1” 時發(fā)光,為“0”時滅6) 七段數(shù)碼管顯示電路如圖-6所示實驗臺上設(shè)有兩個共陰極七段數(shù)碼管及驅(qū)動電路,段碼為同相驅(qū)動器,位碼為反相驅(qū)動器。從段碼與位碼的驅(qū)動器輸入端(段碼輸入端a、b、c、d、e、f、g、dp,位碼輸入端s1、 s2)輸入不同的代碼即可顯示不同數(shù)字或符號。

    標(biāo)簽: TPC-H 實驗指導(dǎo)書 C語言 實驗臺

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:sssnaxie

  • 如何快速實現(xiàn)CANopen從站轉(zhuǎn)Modbus網(wǎng)關(guān)

    從繼電器控制柜到現(xiàn)在的現(xiàn)場總線控制系統(tǒng)(FCS)的變遷,標(biāo)志著工業(yè)通信及控制技術(shù)的飛速發(fā)展。現(xiàn)場總線控制系統(tǒng)作為當(dāng)今最為主流的工業(yè)通信技術(shù),在工業(yè)生產(chǎn)活動中起著重要的作用,其中現(xiàn)場總線協(xié)議在現(xiàn)場總線控制系統(tǒng)中具有相當(dāng)重要的作用。當(dāng)前現(xiàn)場總線協(xié)議主要有Modbus、MVB、Profibus、LonWorks以及基于CAN總線的CANopen、DeviceNet、J1939等協(xié)議。在國內(nèi),Modbus由于其布線以及協(xié)議相對簡單依然占有絕大部分的市場份額。基于CAN總線的CANopen協(xié)議正在歐洲等國興起,由于其在容錯、可靠性以及傳輸速率上有了長足的進步,從而引領(lǐng)了工業(yè)現(xiàn)場總線協(xié)議的發(fā)展潮流。

    標(biāo)簽: CANopen Modbus 快速實現(xiàn) 網(wǎng)關(guān)

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:xieguodong1234

  • 現(xiàn)場總線網(wǎng)_楊衛(wèi)華

    本書旨在介紹現(xiàn)場總線及其應(yīng)用。全書以計算機網(wǎng)絡(luò)知識為基礎(chǔ),以基金會現(xiàn)場總線、PROFIBUS 總線、LonWorks 總線為代表,較全面地介紹了目前最具影響力的現(xiàn)場總線類型及其技術(shù)特點、選用原則、系統(tǒng)設(shè)計、工程實施、設(shè)備組態(tài)和安裝維護等應(yīng)用。

    標(biāo)簽: 現(xiàn)場總線

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:haohaoxuexi

  • MENTOR在SmartPro的組態(tài)方法(圖解)

    MENTOR II  的通信參數(shù)配置: #14.01:DP通訊地址       #07.11~#07.15:設(shè)置為0        #08.12~#08.20:設(shè)置為0,#08.21設(shè)置為1        #11.01  設(shè)置為1941,狀態(tài)字        #11.02  設(shè)置為3.02,速度反饋        #11.03 設(shè)置為5.01,電流反饋        #11.04設(shè)置為1940,控制字        #11.05設(shè)置為1.18,速度給定        #11.06設(shè)置為4.08,轉(zhuǎn)矩給定       TB4-31和 TB4-40短接

    標(biāo)簽: SmartPro MENTOR 組態(tài) 圖解

    上傳時間: 2013-12-22

    上傳用戶:lizhen9880

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2013-12-15

    上傳用戶:天空說我在

  • PROFIBUS開發(fā)經(jīng)典

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    標(biāo)簽: PROFIBUS

    上傳時間: 2014-01-10

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