這是最新版本修正過(guò)後的8051,經(jīng)過(guò)debug並有實(shí)現(xiàn)在某家公司的silicon上ㄛ
標(biāo)簽： silicon debug 8051 版本
上傳時(shí)間： 2014-01-27
上傳用戶：woshiayin
共享記憶體是指同一塊記憶體區(qū)段被一個(gè)以上的行程所分享。這是我們所知速度最快的行程間通訊方式。使用共享記憶體在使用多CPU的機(jī)器上，會(huì)使機(jī)器發(fā)揮較佳的效能。
標(biāo)簽： 記憶體 CPU 分 方式
上傳時(shí)間： 2013-12-30
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數(shù)字電路故障分析之D算法C++實(shí)現(xiàn)。按照教科書(shū)編寫，可能比較古板。
標(biāo)簽： 數(shù)字電路 故障分析 算法 編寫
上傳時(shí)間： 2014-01-08
上傳用戶：784533221
單片機(jī)子程序 對(duì)初學(xué)者的課程設(shè)計(jì)應(yīng)該會(huì)有些幫助^o^
標(biāo)簽： 單片機(jī) 初學(xué)者 程序
上傳時(shí)間： 2015-03-29
上傳用戶：hphh
最佳適應(yīng)算法是動(dòng)態(tài)內(nèi)存分區(qū)分配算法的一種。所謂“最佳”是指每次為作業(yè)分配內(nèi)存時(shí)，總是把能滿足要求、又是最小的空閑分區(qū)分配給作業(yè)，避免“大材小用”。為了加速尋找，該算法要求將所有的空閑分區(qū)按其內(nèi)容以從小到大的順序形成一空閑分區(qū)鏈。這樣，第一次找到的能滿足要求的空閑區(qū)，必然是最佳的。
標(biāo)簽： 算法 動(dòng)態(tài)內(nèi)存 分區(qū) 內(nèi)存
上傳時(shí)間： 2015-03-30
上傳用戶：dancnc
本程序用于測(cè)試實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊SD2000的SRAM存儲(chǔ)器D/E系列， 程序功能如下： 1. 關(guān)閉/INT1及/INT2的中斷輸出 2. 初始化時(shí)間(寫時(shí)間數(shù)據(jù)) 3. 在BREAKPOINT1設(shè)斷點(diǎn)時(shí),依次讀時(shí)間-寫SRAM數(shù)據(jù)-讀SRAM數(shù)據(jù)循環(huán) 4. 全速執(zhí)行時(shí),LED四位分別顯示小時(shí)和分鐘的值
標(biāo)簽： 2000 SRAM SD 程序
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶：ukuk
臺(tái)灣工業(yè)局半導(dǎo)體學(xué)院人才培訓(xùn)課程 嵌入式系統(tǒng)軟體的教學(xué)文檔，內(nèi)容豐富，有251頁(yè)，若能全部看完的人，必能成為強(qiáng)人。
標(biāo)簽： 嵌入式 系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2014-01-01
上傳用戶：epson850
基於S3C44B0X上的各種範(fàn)例，可以實(shí)驗(yàn)IDE,PWM,USB,LED...etc。對(duì)於初學(xué)嵌入式系統(tǒng)者有很大助益。
標(biāo)簽： S3C44B0X
上傳時(shí)間： 2014-01-19
上傳用戶：sy_jiadeyi
三點(diǎn)式振蕩器是指LC回路的三個(gè)端點(diǎn)與晶體管的三個(gè)電極分別連接而成的電路，如圖4-1（a）所示。圖中三個(gè)電抗元件X1、X2、X3構(gòu)成了決定振蕩頻率的并聯(lián)諧振回路，同時(shí)也構(gòu)成了正反饋所需的反饋網(wǎng)絡(luò)。從相位條件看，要構(gòu)成振蕩器，必須滿足： (1)極相連的兩個(gè)電抗X1、X2性質(zhì)相同。 (2)X1與X2、X3的電抗性質(zhì)相反。
標(biāo)簽： 三點(diǎn)式振蕩 回路 分 晶體管
上傳時(shí)間： 2013-12-05
上傳用戶：米卡
大學(xué)計(jì)算機(jī)數(shù)字邏輯實(shí)驗(yàn)作業(yè) 用Multisim仿真軟件編寫 計(jì)數(shù)器 用雙D觸發(fā)器74Ls74構(gòu)成四位二進(jìn)制串行計(jì)數(shù)器 二分頻計(jì)數(shù)原理
標(biāo)簽： Multisim 74 計(jì)數(shù)器 Ls
上傳時(shí)間： 2014-01-21
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