純硬件加速電路應(yīng)用，有效節(jié)省單機(jī)片成本，高效可靠
上傳時(shí)間： 2021-10-28
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電路主要包括以下七個(gè)單元電路：正弦波產(chǎn)生電路、正弦波放大及電平變換電路、峰值檢測電路、增益控制電路、三角波產(chǎn)生電路、比較電路、低通濾波電路。正弦波產(chǎn)生電路采用文氏橋正弦波振蕩電路，由放大電路、反饋電路（正反饋）、選頻網(wǎng)絡(luò)（和反饋電路一起）、穩(wěn)幅電路構(gòu)成，它的振蕩頻率為：f=1/(2Π*RC)，由R4和C1構(gòu)成RC并聯(lián)振蕩，產(chǎn)生正弦波，與R5和C2構(gòu)成選頻網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)R5和C2又構(gòu)成該電路的正反饋；穩(wěn)幅電路是由該電路的負(fù)反饋構(gòu)成，當(dāng)振幅過大時(shí)，二極管導(dǎo)通，R3短路，Av=1+（R2+R3）/R1減小，振幅減小，反之Av=1+（R2+R3）/R1增大，振幅增大，達(dá)到穩(wěn)幅效果，從而保證正弦波的正常產(chǎn)生。正弦波放大及電平變換電路由R10，R7分別與R15滑動(dòng)電阻部分相連，通過滑動(dòng)R15來分VCC和VEE的電壓，通過放大器正相來抬高或降低正弦波來達(dá)到特定范圍內(nèi)的幅值，滑動(dòng)電阻R6與地相連，又與放大器反相端相連，滑動(dòng)R6分壓來改變振幅，后又由R9和R8構(gòu)成反饋來達(dá)到放大的效果，從而達(dá)到正弦波放大及電平變化的目的。峰值檢測電路是由正弦波放大及電平變換電路產(chǎn)生的正弦波送入電壓跟隨器的正相端，通過兩個(gè)反向二極管后再連電容，快速充放電達(dá)到峰值，然后再送回正弦波放大及電平變換電路的反相端，構(gòu)成負(fù)反饋，達(dá)到增益穩(wěn)幅控制效果三角波產(chǎn)生電路主要由兩個(gè)NPN型三極管Q3Q4，一個(gè)PNP型三極管Q2，兩個(gè)電容C3C4，兩個(gè)非門，一個(gè)滑動(dòng)電阻R16組成，通過充放電后經(jīng)過非門產(chǎn)生三角波。比較電路產(chǎn)生的正弦波送入放大器的正相端，產(chǎn)生的三角波送入放大器的反相端，通過作差比較產(chǎn)SPWM波，后又經(jīng)過由R22和C8組成的低通濾波電路，還原正弦波。
上傳時(shí)間： 2021-10-30
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AC220V轉(zhuǎn)DC(12V15W )電源板AD設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，2層板設(shè)計(jì)，大小為100*55mm, ALTIUM設(shè)計(jì)的原理圖+PCB文件，可以做為你的學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)參考。主要器件型號(hào)如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上傳時(shí)間： 2021-11-21
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STM32H750VBT6核心板 ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設(shè)計(jì)參考，PCB 2層板設(shè)計(jì)，大小85MM*56MM, 帶SD，DCMI,QSPI,外擴(kuò)flash，以太網(wǎng)，RS485，CAN總線, 主要器件信號(hào)列表如下：Library Component Count : 29Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------AMS1117 三端穩(wěn)壓芯片BAT54C 表貼肖特基二極管C 無極性貼片電容CRYSTAL_32K CrystalCap CapacitorFPC0.5-24P 貼片F(xiàn)U 貼片保險(xiǎn)絲HR911105Header 2 Header, 2-PinLLAN8720 ETH PHYLED Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDMAX3485PNP PNP三極管Pin HDR2X20 R 貼片電阻Res ResisterSN65HVD230D STM32H750VBT6 Socket SocketTCAP 鉭電容TEST-POINT 測試點(diǎn)TSW 輕觸開關(guān)USB type C W25Qxx 外置FlashXC6206-3.3 SOT-23,XC6206P332MR,MAX8V,100mAXTAL-4P 4腳無源晶振XTAL_3225 Crystal OscillatormicroSD
上傳時(shí)間： 2021-11-24
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STM32F407單片機(jī)開發(fā)板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術(shù)手冊(cè)資料:AD集成封裝庫列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 數(shù)字溫濕度傳感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9軸運(yùn)動(dòng)處理傳感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 測試點(diǎn)TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
標(biāo)簽： stm32f407 單片機(jī) 封裝
上傳時(shí)間： 2021-12-15
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黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA開發(fā)板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件工程（原理圖+PCB+AD集成封裝庫）,Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。集成封裝器件型號(hào)列表：Library Component Count : 50Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1117-3.3 24LC04B_0 4148 BAV99 CAP NP_Dup2CAP NP_Dup2_1 CAP NP_Dup2_2CP2102_0 C_Dup1 C_Dup1_1C_Dup2 C_Dup3 C_Dup4 C_Dup4_1 Circuit Breaker Circuit BreakerConnector 15 Receptacle Assembly, 15-Pin, Sim Line ConnectorDS1302_8SO EC EP4CE6F17C8 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeEP4CE6F17C8_1 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeFuse 2 FuseHEX6HY57651620/SO_0 Header 2 Header, 2-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowINDUCTOR JTAG-10_Dup1 KEYB LED LED_Dup1 M25P16-VMN3PB 16 Mb (x1) Automotive Serial NOR Flash Memory, 75 MHz, 2.7 to 3.6 V, 8-pin SO8 Narrow (MN), TubeMHDR2X20 Header, 20-Pin, Dual rowMiniUSBB OSCPNP R RESISTOR RN RN_Dup1 R_Dup1 R_Dup2 R_Dup3 R_Dup5R_Dup6 SD SPEAKERSRV05-4SW KEY-DPDT ZTAbattery
標(biāo)簽： 黑金 cyclone4 ep4ce6f17c8 fpga
上傳時(shí)間： 2021-12-22
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基于DSP設(shè)計(jì)的數(shù)字化大功率電源數(shù)字化全橋變換器電源ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個(gè)硬件，均為4層板設(shè)計(jì)，ALTIUM設(shè)計(jì)的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設(shè)計(jì)參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業(yè)B/消費(fèi)C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業(yè)A/消費(fèi)C/快恢復(fù)二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業(yè)A/消費(fèi)B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業(yè)B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標(biāo)簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時(shí)間： 2021-12-22
上傳用戶：aben
常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫CSV text has been written to file : 6.2 - 三極管.csvLibrary Component Count : 23Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11 互補(bǔ)功率-NPN型45H11 互補(bǔ)功率-PNP型8050-DIP 高頻放大-NPN型8050-SMD 高頻放大-NPN型8550-DIP 高頻放大-PNP型8550-SMD 高頻放大-PNP型9012-DIP 低頻放大-PNP型9012-SMD 低頻放大-PNP型9013-DIP 低頻放大-NPN型9013-SMD 低頻放大-NPN型9014-DIP 低噪放大-NPN型9014-SMD 低噪放大-NPN型9015-DIP 低噪放大-PNP型9015-SMD 低噪放大-PNP型B772-DIP 音頻功放-PNP型B772-SMD 音頻功放-PNP型BCXH6(BH) NPN型三極管D882-DIP 音頻功放-NPN型D882-SMD 音頻功放-NPN型MMBTA42 高壓-NPN型MMBTA92 高壓-PNP型TIP41C 互補(bǔ)功率-NPN型TIP42C 互補(bǔ)功率-PNP型
標(biāo)簽： 三極管 Altium Designer
上傳時(shí)間： 2022-03-13
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低壓差線性穩(wěn)壓器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）屬于線性穩(wěn)壓器的一種，但由于其壓差較低，相對(duì)于一般線性穩(wěn)壓器而言具有較高的轉(zhuǎn)換效率。但在電路穩(wěn)定性上有所下降，而且LDO有著較高的輸出電阻，使得輸出極點(diǎn)的位置會(huì)隨著負(fù)載情況有很大關(guān)系。因此需要對(duì)LDO進(jìn)行頻率補(bǔ)償來滿足其環(huán)路穩(wěn)定性要求。內(nèi)容安排上第一節(jié)首先簡單介紹各種線性穩(wěn)壓源的區(qū)別：第二節(jié)介紹LDO中的主要參數(shù)及設(shè)計(jì)中需要考慮折中的一些問題；第三節(jié)對(duì)LDO開環(huán)電路的三個(gè)模塊，運(yùn)放模塊，PMOS模塊和反饋模塊進(jìn)行簡化的小信號(hào)分析，得出其傳輸函數(shù)并判斷其零極點(diǎn)：第四節(jié)針對(duì)前面分析的三個(gè)LDO環(huán)路模塊分別進(jìn)行補(bǔ)償考慮，并結(jié)合RT9193電路對(duì)三種補(bǔ)償方法進(jìn)行了仿真驗(yàn)證和解釋說明。該電路主要包含基準(zhǔn)電路以及相關(guān)啟動(dòng)電路，保護(hù)電路（OTP，OCP等），誤差放大器，調(diào)整管（Pass Element）和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)。在電路上，通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對(duì)輸出電壓進(jìn)行采樣，誤差放大器的同相輸入端連接到一個(gè)基準(zhǔn)電壓（Bandgap Reference），誤差放大器會(huì)使得兩個(gè)輸入端電壓基本相等，因此，可以通過控制調(diào)整管輸出足夠的負(fù)載電流以保證輸出電壓穩(wěn)定。電路所采用的調(diào)整管不同，其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩(wěn)壓源的調(diào)整管，常見的有NPN穩(wěn)壓源，PNP穩(wěn)壓源（LDO），準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源，其調(diào)整管如圖2所示，其Dorpout電壓分別是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩(wěn)壓源VoRоP =VsurPNP穩(wěn)壓源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源
標(biāo)簽： ldo 環(huán)路分析
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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