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PN結(jié)(jié)

  • 整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則

    整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則電子愛(ài)好者經(jīng)常要用二極管。二極管具有單向?qū)щ娦裕?主要用于整流、穩(wěn)壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則。(一)整流二極管的主要參數(shù)1.IF— 最大平均整流電流。指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。該電流由PN 結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過(guò)二極管的平均電流不能大于此值, 并要滿(mǎn)足散熱條件。例如1N4000 系列二極管的IF 為1A。2.VR — 最大反向工作電壓。指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值, 則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模?從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB) 的一半作為(VR)。例如1N4001 的VR 為50V,1N4007 的VR 為1OOOV.3.IR— 反向電流。指二極管未擊穿時(shí)反向電流值。溫度對(duì)IR 的影響很大。例如1N4000 系列二極管在100°C 條件IR 應(yīng)小于500uA; 在25°C 時(shí)IR 應(yīng)小于5uA 。4.VR — 擊穿電壓。指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí), 則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

    標(biāo)簽: 整流二極管 穩(wěn)壓二極管

    上傳時(shí)間: 2022-06-26

    上傳用戶(hù):xsr1983

  • CMOS模擬集成溫度傳感器的設(shè)計(jì)

    本文先設(shè)計(jì)了一種高性能的CMOS模擬集成溫度傳感器,并在電路中設(shè)計(jì)了ESD保護(hù)電路和啟動(dòng)電路,以保證電路工作點(diǎn)正常與性能優(yōu)良。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作電壓低、電源抑制比高和線性度良好的特點(diǎn)。采用HSPICE對(duì)該溫度傳感器電路進(jìn)行了模擬仿真,仿真結(jié)果表明其電源抑制比可以達(dá)到64dB,在-50℃~150℃溫度范圍內(nèi),電壓溫度系數(shù)可以達(dá)到2.9mV/K,線性度良好。而后在原集成溫度傳感器電路研究成果的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一種用于CMOS集成溫度傳感器二次非線性項(xiàng)修正的曲率校正電路,該電路有效解決了CMOS溫度傳感電路中電阻溫度系數(shù)和PN結(jié)電壓二次非線性項(xiàng)對(duì)輸出線性度的影響。應(yīng)用了該校正電路的CMOS 溫度傳感系統(tǒng)已在0.6um 標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝中研制實(shí)現(xiàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在-50℃~+150℃的溫度范圍內(nèi)該溫度傳感系統(tǒng)的最大誤差小于1.5℃。該研究的成果可用于一些高精度的應(yīng)用場(chǎng)所,比如冷暖空調(diào)、醫(yī)療儀器,自檢測(cè)系統(tǒng)等諸多領(lǐng)域中,具有顯著的研究意義和廣泛的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: cmos 溫度傳感器

    上傳時(shí)間: 2022-07-12

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  • MIPI調(diào)試總結(jié) For Lattice FPGA

    文將簡(jiǎn)要地介紹基于Lattice FPGA(XO2/XO3/ECP3/ECP5/CrossLink)器件的,MIPI CSI/DSI調(diào)試心得。如有不足,請(qǐng)指正。第一步、確認(rèn)硬件設(shè)計(jì)、接口連接1.1、可以使用示波器測(cè)量相關(guān)器件的MIPI輸出信號(hào)(可分別在靠近輸出端和靠近接收器件接收端測(cè)量,進(jìn)而分析信號(hào)傳輸問(wèn)題),來(lái)確認(rèn)信號(hào)連接是否正常;1.2、如信號(hào)質(zhì)量較差(衰減嚴(yán)重、反射現(xiàn)象等等),請(qǐng)先檢查器件焊接是否牢靠,傳輸線上阻抗是否匹配等;1.3、如果信號(hào)一切正常,但是仍然無(wú)法找到SoT(B8),請(qǐng)確認(rèn)差分線PN是否接反了;注:Lattice FPGA暫時(shí)未支持NP翻轉(zhuǎn)功能,不能通過(guò)軟件設(shè)置,實(shí)現(xiàn)類(lèi)似SerDes支持的PN翻轉(zhuǎn)功能。1.4、針對(duì)非CrossLink器件,請(qǐng)檢查電路連接是否正確。具體請(qǐng)參考本文附件,以及Lattice各個(gè)器件的相關(guān)手冊(cè);1.5、如果是MIPI N進(jìn)1出的設(shè)計(jì)(N合一),建議各個(gè)輸入器件采用用一個(gè)時(shí)鐘發(fā)生器(晶振),即同源。同時(shí)FPGA MIPI Tx所需要的時(shí)鐘源,最好也與其同源。如果不同源,建議Tx的時(shí)鐘要略高于Rx的時(shí)鐘(如Pixel Clock);1.6、如果條件允許,可以通過(guò)示波器分析眼圖,以獲得更多的信號(hào)完整性信息。

    標(biāo)簽: mipi調(diào)試 FPGA

    上傳時(shí)間: 2022-07-19

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  • 使用Altium Designer 繪制PCB的詳細(xì)過(guò)程

    第一步:新建PCB工程文件 并向工程文件里添加PCB文件和原理圖文件 第二步:元件庫(kù)、封裝庫(kù)設(shè)計(jì) 部分元器件廠商或者經(jīng)銷(xiāo)商不提供元件庫(kù)和封裝庫(kù),只給了元器件尺寸圖,所以需要自行設(shè)計(jì)元件 庫(kù)文件或是封裝庫(kù)文件 元件庫(kù)設(shè)計(jì): 新建 .SchLib 文件:File -> New -> Library -> Schematic Library 使用Place下拉菜單或使用快捷工具欄放置圖形,引腳等,記得保存! 封裝庫(kù)的設(shè)計(jì) 新建.PcbLib文件:File -> New -> Library -> PCB Library 使用Place下拉菜單或使用快捷工具欄,畫(huà)線,放置孔位,記得保存!第三步:原理圖的繪制 新建.SchDoc文件 :File -> New -> Schematic 添加元器件庫(kù)和封裝庫(kù) 在軟件底部菜單欄System中勾選Libraries,打開(kāi)側(cè)面工具欄 在側(cè)面工具欄中點(diǎn)擊“Libraries...” -> “Add Library”找到自己保存的庫(kù)文件并添加 添加各元器件 可直接從側(cè)面工具欄中選擇元器件拖入原理圖中,在拖動(dòng)過(guò)程中按Tab鍵修改元器件信息 添加網(wǎng)絡(luò)標(biāo)識(shí)Place -> Net Label 快捷鍵(PN) 確定各元器件封裝 打開(kāi)封裝管理器Tools -> Footprint Manager 快捷鍵(TG) 可挨個(gè)修改、檢查各元器件封裝

    標(biāo)簽: altium designer pcb

    上傳時(shí)間: 2022-07-23

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  • ST MOS管選型表 ST mosfet selection list

    ST MOS管選型表內(nèi)含產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格目錄、PN構(gòu)成表、封裝清單和ST公司聯(lián)系購(gòu)買(mǎi)二維碼

    標(biāo)簽: mosfet

    上傳時(shí)間: 2022-07-28

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