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Welcome to PMOS. PMOS is a set of modules, mostly written in Modula-2, to support multitasking. PMOS was designed primarily with real-time applications in mind. It is not an operating system in the conventional sense rather, it is a collection of modules which you can import into your own programs, and which in particular allow you to write multi-threaded programs.
標(biāo)簽： PMOS multitasking Welcome modules
上傳時間： 2015-07-10
上傳用戶：windwolf2000
模擬基本電路的Hspice仿真文件 從基本的Nmos和PMOS管開始
上傳時間： 2016-02-21
上傳用戶：362279997
近年來，隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）受到了普遍的關(guān)注，被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測試儀器等中，但國內(nèi)研究起步晚，市場大部分被國外產(chǎn)品占有，因此，開展本課題的研究具有特別重要的意義。 首先，簡單闡述了課題研究的背景及意義，分析了低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）研究的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，并提出了設(shè)計的預(yù)期技術(shù)指標(biāo)。 其次，詳細分析了LDO線性穩(wěn)壓器的理論基礎(chǔ)，包括其結(jié)構(gòu)、各功能模塊的作用、系統(tǒng)工作原理、性能指標(biāo)定義及設(shè)計時對性能指標(biāo)之間相互矛盾的折衷考慮。 再次，設(shè)計了基于自偏置電流源的帶隙基準(zhǔn)電壓源，選取PMOS管作為系統(tǒng)的調(diào)整元件并計算出了其尺寸，設(shè)計了基于CMOS工藝的兩級誤差運算放大器。利用HSPICE工具仿真了基準(zhǔn)電壓源和誤差運算放大器的相關(guān)性能參數(shù)。 然后，重點分析了穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性特征，指出系統(tǒng)存在的潛在不穩(wěn)定性，詳細論述了穩(wěn)定性補償?shù)谋匾裕容^了業(yè)界使用過的幾種穩(wěn)定性補償方法的不足之處，提出了一種基于電容反饋VCCS的補償方法，對系統(tǒng)進行了穩(wěn)定性的補償； 最后，將所設(shè)計的模塊進行聯(lián)合，設(shè)計了一款基于CMOS工藝的LDO線性穩(wěn)壓器電路，利用HSPICE工具驗證了其壓差電壓、靜態(tài)電流、線性調(diào)整率等性能指標(biāo)，仿真結(jié)果驗證了理論分析的正確性、設(shè)計方法的可行性。
標(biāo)簽： CMOS 工藝 低壓差線性穩(wěn)壓器
上傳時間： 2013-07-08
上傳用戶：Wibbly
本課題為電流型高電壓隔離電源，它是基于交流電流母線的分布式系統(tǒng)，能夠整定短路電流，適應(yīng)高電壓工作環(huán)境的隔離電源。本論文介紹了該課題的應(yīng)用場合，簡要介紹了分布式系統(tǒng)的種類及各自優(yōu)勢，以及已有的電流型副邊穩(wěn)壓電路相關(guān)的研究成果，并在此基礎(chǔ)上提出了本課題的研究目標(biāo)。 本篇論文主要針對課題方案的三個方面進行論述，分別闡述如下： 一，母線電流產(chǎn)生系統(tǒng)與電流型副邊開關(guān)電路的匹配問題，包括各部分電路的功能介紹、電流型副邊開關(guān)電路的小信號等效電路的建模、高電壓隔離變壓器及磁元件的選擇； 二，模塊體積小型化有利于高壓部件的設(shè)計安裝和EMS防護。為了省去體積較大的輔助電源部分，本課題采用了副邊電路自供電的方式。在低壓自供電方式下，利用比較器、TLA31等器件產(chǎn)生多路同步三角波以及開關(guān)驅(qū)動PWM脈沖。對自供電方式下的三角波振蕩器進行比較，并對三角波振蕩器電路模塊進行了建模以及系統(tǒng)反饋補償； 三，在本方案中實現(xiàn)了電流源拓撲的同步整流技術(shù)，利用PMOS管替代續(xù)流二極管，減小了電路的損耗、散熱器的使用以及模塊的體積。 本篇論文對本課題設(shè)計的核心部分進行了比較詳細的介紹和分析，具體的參數(shù)計算方法也一一列出。最終，論文以研究目標(biāo)為方向，通過一系列的改進措施，基本實現(xiàn)了課題要求。
標(biāo)簽： 電流型 高電壓 隔離開關(guān)
上傳時間： 2013-06-24
上傳用戶：wmwai1314
MAX1963A/MAX1976A低壓差線性穩(wěn)壓器的工作電壓為+1.62V至+3.6V，可保證提供300mA連續(xù)負載電流和100mV低壓差。高精度(±0.5%)輸出電壓在內(nèi)部進行微調(diào)，預(yù)置范圍為+0.75V至+3.0V。當(dāng)輸出電壓達到穩(wěn)壓值后，低電平有效、開漏極復(fù)位輸出至少保持2.2ms (MAX1963A)或70ms (MAX1976A)復(fù)位狀態(tài)。該系列器件提供薄型SOT23和薄型DFN兩種封裝。內(nèi)部PMOS調(diào)整管具有較低的電源電流，且不受負載電流和壓差的影響，因此該系列器件非常適用于便攜式電池供電的設(shè)備。
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：愛死愛死
微型機算計發(fā)展概述人類從原始社會學(xué)會使用工具以來到現(xiàn)代社會經(jīng)歷了三次大的產(chǎn)業(yè)革命：農(nóng)業(yè)革命、工業(yè)革命、信息革命。而信息革命是以計算機技術(shù)和通信技術(shù)的發(fā)展和普及為代表的。人類已進入了高速發(fā)展的現(xiàn)代時期。其中計算機科學(xué)和技術(shù)發(fā)展之快，是任何其他技術(shù)都無法相提并論的自從1946年美國賓夕法尼亞大學(xué)研制成功的世界上第一臺電子計算機到現(xiàn)在已50多年的歷史。計算機的發(fā)展經(jīng)歷了四代：第一代：電子管電路計算機，電子管數(shù)：18800個；繼電器數(shù)量：5000個；耗電量：150KW；重量：30t；占地面積：150平方米；運算速度：5000次加法運算/s。第二代：晶體管電路計算機（60年代初）第三代：小規(guī)模集成電路計算機。第四代：大規(guī)模（LSI）和超大規(guī)模（VSLI）集成電路計算機。第四代計算機基本情況：運算速度為每秒幾千億次到幾萬億次；從數(shù)值計算和數(shù)據(jù)處理到目前進行知識處理的人工智能階段；計算機不僅可以處理文字、字符、圖形圖象信息，而且可以處理音頻、視頻等多媒體信息；計算機正朝著智能化和多媒體化方向發(fā)展。微型計算機的定義：以微處理器為核心，再配上半導(dǎo)體存儲器、輸入/輸出接口電路、系統(tǒng)總線及其它支持邏輯電路組成的計算機稱微型計算機。在1971年美國Intel公司首先研制成功世界上第一塊微處理器芯片4004以來，差不多每隔2~3年就推出一代新的微處理器產(chǎn)品；如今已推出了第五代微處理器。因為微處理器是微型計算機的核心部件，它的性能在很大程度上決定了微型計算機的性能，所以微型計算機的發(fā)展是以微處理器的發(fā)展而更新?lián)Q代的。微處理器和微型計算機的發(fā)展：1.第一代微處理器和微型計算機：（1971~1973年）——4位CPU和低檔8位處理器，典型的產(chǎn)品有：Intel 4004、改進型的4040,是4位處理器，以它為核心構(gòu)成的微機是MCS-4。Intel 8008是8位通用微處理器,以它為核心所構(gòu)的微機是MCS-8。參數(shù)：芯片采用PMOS工藝;集成度為2000管/片;時鐘頻率1MHz;平均指令執(zhí)行時間為20μs。2.第二代微處理器和微型計算機（1973~1978年）——成熟的8位CPU,典型的產(chǎn)品有：Intel 8080（1973年由Intel公司推出）MC6800 （1974年由美國Motorola推出。Z-80 （1975年由Zilog公司推出。Intel 8085 （1976年由Intel公司推出，是Intel 8080的改進型。MOS 6502，由MOS公司推出，它是IBM PC機問世之前世界上最流行的微型計算機Apple2（蘋果機）的CPU。第二代微處理器的參數(shù)：芯片工藝采用NMOS工藝，集成度達到5000~9000管/片；時鐘頻率2~4MHz;平均指令執(zhí)行時間為1~2μs；具有多種尋址方式，指令系統(tǒng)完善，基本指令100多條。特點：具有中斷、DMA等控制功能；也考慮了兼容性、接口標(biāo)準(zhǔn)化和通用性、配套的外圍電路功能和種類齊全。在軟件方面：主要是匯編，還有一些簡單的高級語言和操作系統(tǒng)。
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：蔣清華嗯
該陣列系列中的八NPN達林頓連接晶體管是低邏輯電平數(shù)字電路(如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和大電流高電壓要求的燈、繼電器、打印機錘和其它類似負載間的接口的理想器件。廣泛用于計算機，工業(yè)和消費類產(chǎn)品中。所有器件有集電極開路輸出和用于瞬變抑制的續(xù)流精位二極管。ULN2803的設(shè)計與標(biāo)準(zhǔn)丁丁L系列兼容，而ULN2804可使6至15伏高電平CMOS或PMOS優(yōu)化。
標(biāo)簽： NPN達林頓連接晶體管
上傳時間： 2016-01-15
上傳用戶：zeyao00
圖7.18所示的是一個電容性負載的兩級CMOS基本差分運算放大器，其中，Part1為運算放大器的電流鏡偏置電路；Part2為運算放大器的第一級放大器；Part3為運算放大器的第二級放大器。第一級放大器為標(biāo)準(zhǔn)基本差分運算放大器，第二級放大器為PMOS管作為負載的NMOS共源放大器
標(biāo)簽： CMOS 運算 放大器設(shè)計
上傳時間： 2016-06-16
上傳用戶：sjr88
低壓差線性穩(wěn)壓器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）屬于線性穩(wěn)壓器的一種，但由于其壓差較低，相對于一般線性穩(wěn)壓器而言具有較高的轉(zhuǎn)換效率。但在電路穩(wěn)定性上有所下降，而且LDO有著較高的輸出電阻，使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關(guān)系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環(huán)路穩(wěn)定性要求。內(nèi)容安排上第一節(jié)首先簡單介紹各種線性穩(wěn)壓源的區(qū)別：第二節(jié)介紹LDO中的主要參數(shù)及設(shè)計中需要考慮折中的一些問題；第三節(jié)對LDO開環(huán)電路的三個模塊，運放模塊，PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析，得出其傳輸函數(shù)并判斷其零極點：第四節(jié)針對前面分析的三個LDO環(huán)路模塊分別進行補償考慮，并結(jié)合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準(zhǔn)電路以及相關(guān)啟動電路，保護電路（OTP，OCP等），誤差放大器，調(diào)整管（Pass Element）和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)。在電路上，通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣，誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準(zhǔn)電壓（Bandgap Reference），誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等，因此，可以通過控制調(diào)整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩(wěn)定。電路所采用的調(diào)整管不同，其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩(wěn)壓源的調(diào)整管，常見的有NPN穩(wěn)壓源，PNP穩(wěn)壓源（LDO），準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源，其調(diào)整管如圖2所示，其Dorpout電壓分別是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩(wěn)壓源VoRоP =VsurPNP穩(wěn)壓源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源
標(biāo)簽： ldo 環(huán)路分析
上傳時間： 2022-06-19
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<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（PMOS）和nmos4（PMOS4）兩種nmos（PMOS）。其中nmos（PMOS）表示襯底（B）和源極（S）相連。mos和mos4能調(diào)整的屬性不同，如圖：本例中要設(shè)置mos管的W-0.18u，L=0.18u，選用nmos4和PMOS4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，mos管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數(shù)設(shè)定。<h2>封裝<h2>電路設(shè)計采用層次化的方式，為了上層電路的調(diào)用，往往把底層的電路做好后進行封裝，其實進行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用，還有利于測試。建一個New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個文件夾下即可，不需特別關(guān)聯(lián)。
上傳時間： 2022-06-27
上傳用戶：1208020161
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