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PMOS

  • Welcome to PMOS. PMOS is a set of modules, mostly written in Modula-2, to support multitasking. PMO

    Welcome to PMOS. PMOS is a set of modules, mostly written in Modula-2, to support multitasking. PMOS was designed primarily with real-time applications in mind. It is not an operating system in the conventional sense rather, it is a collection of modules which you can import into your own programs, and which in particular allow you to write multi-threaded programs.

    標(biāo)簽: PMOS multitasking Welcome modules

    上傳時間: 2015-07-10

    上傳用戶:windwolf2000

  • 模擬基本電路的Hspice仿真文件 從基本的Nmos和PMOS管開始

    模擬基本電路的Hspice仿真文件 從基本的Nmos和PMOS管開始

    標(biāo)簽: Hspice Nmos PMOS 模擬

    上傳時間: 2016-02-21

    上傳用戶:362279997

  • 基于CMOS工藝的低壓差線性穩(wěn)壓器研究.rar

    近年來,隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)受到了普遍的關(guān)注,被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測試儀器等中,但國內(nèi)研究起步晚,市場大部分被國外產(chǎn)品占有,因此,開展本課題的研究具有特別重要的意義。 首先,簡單闡述了課題研究的背景及意義,分析了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)研究的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,并提出了設(shè)計的預(yù)期技術(shù)指標(biāo)。 其次,詳細分析了LDO線性穩(wěn)壓器的理論基礎(chǔ),包括其結(jié)構(gòu)、各功能模塊的作用、系統(tǒng)工作原理、性能指標(biāo)定義及設(shè)計時對性能指標(biāo)之間相互矛盾的折衷考慮。 再次,設(shè)計了基于自偏置電流源的帶隙基準(zhǔn)電壓源,選取PMOS管作為系統(tǒng)的調(diào)整元件并計算出了其尺寸,設(shè)計了基于CMOS工藝的兩級誤差運算放大器。利用HSPICE工具仿真了基準(zhǔn)電壓源和誤差運算放大器的相關(guān)性能參數(shù)。 然后,重點分析了穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性特征,指出系統(tǒng)存在的潛在不穩(wěn)定性,詳細論述了穩(wěn)定性補償?shù)谋匾裕容^了業(yè)界使用過的幾種穩(wěn)定性補償方法的不足之處,提出了一種基于電容反饋VCCS的補償方法,對系統(tǒng)進行了穩(wěn)定性的補償; 最后,將所設(shè)計的模塊進行聯(lián)合,設(shè)計了一款基于CMOS工藝的LDO線性穩(wěn)壓器電路,利用HSPICE工具驗證了其壓差電壓、靜態(tài)電流、線性調(diào)整率等性能指標(biāo),仿真結(jié)果驗證了理論分析的正確性、設(shè)計方法的可行性。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 低壓差線性穩(wěn)壓器

    上傳時間: 2013-07-08

    上傳用戶:Wibbly

  • 電流型高電壓隔離開關(guān)電源.rar

    本課題為電流型高電壓隔離電源,它是基于交流電流母線的分布式系統(tǒng),能夠整定短路電流,適應(yīng)高電壓工作環(huán)境的隔離電源。本論文介紹了該課題的應(yīng)用場合,簡要介紹了分布式系統(tǒng)的種類及各自優(yōu)勢,以及已有的電流型副邊穩(wěn)壓電路相關(guān)的研究成果,并在此基礎(chǔ)上提出了本課題的研究目標(biāo)。 本篇論文主要針對課題方案的三個方面進行論述,分別闡述如下: 一,母線電流產(chǎn)生系統(tǒng)與電流型副邊開關(guān)電路的匹配問題,包括各部分電路的功能介紹、電流型副邊開關(guān)電路的小信號等效電路的建模、高電壓隔離變壓器及磁元件的選擇; 二,模塊體積小型化有利于高壓部件的設(shè)計安裝和EMS防護。為了省去體積較大的輔助電源部分,本課題采用了副邊電路自供電的方式。在低壓自供電方式下,利用比較器、TLA31等器件產(chǎn)生多路同步三角波以及開關(guān)驅(qū)動PWM脈沖。對自供電方式下的三角波振蕩器進行比較,并對三角波振蕩器電路模塊進行了建模以及系統(tǒng)反饋補償; 三,在本方案中實現(xiàn)了電流源拓撲的同步整流技術(shù),利用PMOS管替代續(xù)流二極管,減小了電路的損耗、散熱器的使用以及模塊的體積。 本篇論文對本課題設(shè)計的核心部分進行了比較詳細的介紹和分析,具體的參數(shù)計算方法也一一列出。最終,論文以研究目標(biāo)為方向,通過一系列的改進措施,基本實現(xiàn)了課題要求。

    標(biāo)簽: 電流型 高電壓 隔離開關(guān)

    上傳時間: 2013-06-24

    上傳用戶:wmwai1314

  • MAX1963A/MAX1976A英文資料手冊

      MAX1963A/MAX1976A低壓差線性穩(wěn)壓器的工作電壓為+1.62V至+3.6V,可保證提供300mA連續(xù)負載電流和100mV低壓差。高精度(±0.5%)輸出電壓在內(nèi)部進行微調(diào),預(yù)置范圍為+0.75V至+3.0V。當(dāng)輸出電壓達到穩(wěn)壓值后,低電平有效、開漏極復(fù)位輸出至少保持2.2ms (MAX1963A)或70ms (MAX1976A)復(fù)位狀態(tài)。該系列器件提供薄型SOT23和薄型DFN兩種封裝。內(nèi)部PMOS調(diào)整管具有較低的電源電流,且不受負載電流和壓差的影響,因此該系列器件非常適用于便攜式電池供電的設(shè)備。

    標(biāo)簽: MAX 1963 1976 英文

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:愛死愛死

  • 微型機算計發(fā)展概述

    微型機算計發(fā)展概述人類從原始社會學(xué)會使用工具以來到現(xiàn)代社會經(jīng)歷了三次大的產(chǎn)業(yè)革命:農(nóng)業(yè)革命、工業(yè)革命、信息革命。而信息革命是以計算機技術(shù)和通信技術(shù)的發(fā)展和普及為代表的。人類已進入了高速發(fā)展的現(xiàn)代時期。其中計算機科學(xué)和技術(shù)發(fā)展之快,是任何其他技術(shù)都無法相提并論的自從1946年美國賓夕法尼亞大學(xué)研制成功的世界上第一臺電子計算機到現(xiàn)在已50多年的歷史。計算機的發(fā)展經(jīng)歷了四代:第一代:電子管電路計算機,電子管數(shù):18800個;繼電器數(shù)量:5000個;耗電量:150KW;重量:30t;占地面積:150平方米;運算速度:5000次加法運算/s。第二代:晶體管電路計算機(60年代初)第三代:小規(guī)模集成電路計算機。第四代:大規(guī)模(LSI)和超大規(guī)模(VSLI)集成電路計算機。第四代計算機基本情況:運算速度為每秒幾千億次到幾萬億次;從數(shù)值計算和數(shù)據(jù)處理到目前進行知識處理的人工智能階段;計算機不僅可以處理文字、字符、圖形圖象信息,而且可以處理音頻、視頻等多媒體信息;計算機正朝著智能化和多媒體化方向發(fā)展。微型計算機的定義:以微處理器為核心,再配上半導(dǎo)體存儲器、輸入/輸出接口電路、系統(tǒng)總線及其它支持邏輯電路組成的計算機稱微型計算機。在1971年美國Intel公司首先研制成功世界上第一塊微處理器芯片4004以來,差不多每隔2~3年就推出一代新的微處理器產(chǎn)品;如今已推出了第五代微處理器。因為微處理器是微型計算機的核心部件,它的性能在很大程度上決定了微型計算機的性能,所以微型計算機的發(fā)展是以微處理器的發(fā)展而更新?lián)Q代的。微處理器和微型計算機的發(fā)展:1.第一代微處理器和微型計算機:(1971~1973年)——4位CPU和低檔8位處理器,典型的產(chǎn)品有:Intel 4004、改進型的4040,是4位處理器,以它為核心構(gòu)成的微機是MCS-4。Intel 8008是8位通用微處理器,以它為核心所構(gòu)的微機是MCS-8。參數(shù):芯片采用PMOS工藝;集成度為2000管/片;時鐘頻率1MHz;平均指令執(zhí)行時間為20μs。2.第二代微處理器和微型計算機(1973~1978年)——成熟的8位CPU,典型的產(chǎn)品有:Intel 8080(1973年由Intel公司推出)MC6800 (1974年由美國Motorola推出。Z-80 (1975年由Zilog公司推出。Intel 8085 (1976年由Intel公司推出,是Intel 8080的改進型。MOS 6502,由MOS公司推出,它是IBM PC機問世之前世界上最流行的微型計算機Apple2(蘋果機)的CPU。第二代微處理器的參數(shù):芯片工藝采用NMOS工藝,集成度達到5000~9000管/片;時鐘頻率2~4MHz;平均指令執(zhí)行時間為1~2μs;具有多種尋址方式,指令系統(tǒng)完善,基本指令100多條。特點:具有中斷、DMA等控制功能;也考慮了兼容性、接口標(biāo)準(zhǔn)化和通用性、配套的外圍電路功能和種類齊全。在軟件方面:主要是匯編,還有一些簡單的高級語言和操作系統(tǒng)。

    標(biāo)簽: 微型機 發(fā)展

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:蔣清華嗯

  • 2803資料

    該陣列系列中的八NPN達林頓連接晶體管是低邏輯電平數(shù)字電路(如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和大電流高電壓要求的燈、繼電器、打印機錘和其它類似負載間的接口的理想器件。廣泛用于計算機,工業(yè)和消費類產(chǎn)品中。所有器件有集電極開路輸出和用于瞬變抑制的續(xù)流精位二極管。ULN2803的設(shè)計與標(biāo)準(zhǔn)丁丁L系列兼容,而ULN2804可使6至15伏高電平CMOS或PMOS優(yōu)化。

    標(biāo)簽: NPN達林頓連接晶體管

    上傳時間: 2016-01-15

    上傳用戶:zeyao00

  • CMOS運算放大器設(shè)計

    圖7.18所示的是一個電容性負載的兩級CMOS基本差分運算放大器,其中,Part1為運算放大器的電流鏡偏置電路;Part2為運算放大器的第一級放大器;Part3為運算放大器的第二級放大器。第一級放大器為標(biāo)準(zhǔn)基本差分運算放大器,第二級放大器為PMOS管作為負載的NMOS共源放大器

    標(biāo)簽: CMOS 運算 放大器設(shè)計

    上傳時間: 2016-06-16

    上傳用戶:sjr88

  • LDO環(huán)路分析及補償

    低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Voltage Regulator,LDO)屬于線性穩(wěn)壓器的一種,但由于其壓差較低,相對于一般線性穩(wěn)壓器而言具有較高的轉(zhuǎn)換效率。但在電路穩(wěn)定性上有所下降,而且LDO有著較高的輸出電阻,使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關(guān)系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環(huán)路穩(wěn)定性要求。內(nèi)容安排上第一節(jié)首先簡單介紹各種線性穩(wěn)壓源的區(qū)別:第二節(jié)介紹LDO中的主要參數(shù)及設(shè)計中需要考慮折中的一些問題;第三節(jié)對LDO開環(huán)電路的三個模塊,運放模塊,PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析,得出其傳輸函數(shù)并判斷其零極點:第四節(jié)針對前面分析的三個LDO環(huán)路模塊分別進行補償考慮,并結(jié)合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準(zhǔn)電路以及相關(guān)啟動電路,保護電路(OTP,OCP等),誤差放大器,調(diào)整管(Pass Element)和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)。在電路上,通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣,誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準(zhǔn)電壓(Bandgap Reference),誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等,因此,可以通過控制調(diào)整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩(wěn)定。電路所采用的調(diào)整管不同,其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩(wěn)壓源的調(diào)整管,常見的有NPN穩(wěn)壓源,PNP穩(wěn)壓源(LDO),準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源,其調(diào)整管如圖2所示,其Dorpout電壓分別是:VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩(wěn)壓源VoRоP =VsurPNP穩(wěn)壓源(LDO)VDRoP=VE + Vsur-準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓源

    標(biāo)簽: ldo 環(huán)路分析

    上傳時間: 2022-06-19

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  • (LTSpice)以反相器為例學(xué)習(xí)仿真MOSFET

    <h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos(PMOS)和nmos4(PMOS4)兩種nmos(PMOS)。其中nmos(PMOS)表示襯底(B)和源極(S)相連。mos和mos4能調(diào)整的屬性不同,如圖:本例中要設(shè)置mos管的W-0.18u,L=0.18u,選用nmos4和PMOS4.<h3>布線<h3>如圖1,其中,mos管Gate靠近的那一極好像是 Source,所以PMOS要ctrl+R,ctrl+R,Ctr+.2,注意加電路名稱,功能(如果需要),參數(shù)設(shè)定。<h2>封裝<h2>電路設(shè)計采用層次化的方式,為了上層電路的調(diào)用,往往把底層的電路做好后進行封裝,其實進行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用,還有利于測試。建一個New Symbol,該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A(Attribute Editor中Symbol Type選Block,其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意:令.asy和.asc文件命名相同,并放在一個文件夾下即可,不需特別關(guān)聯(lián)。

    標(biāo)簽: ltspice mosfet

    上傳時間: 2022-06-27

    上傳用戶:1208020161

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