本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過和國內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點(diǎn)，進(jìn)行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為：先進(jìn)行器件背面的FS層制作，然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進(jìn)行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進(jìn)行了主要電學(xué)參數(shù)的測試和分析。測試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計(jì)要求。/本論文的研究成果對于促進(jìn)我國FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價(jià)值，通過進(jìn)一步改進(jìn)工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競爭力的產(chǎn)品。
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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S32K148 T-BOX快速入門CONTENTS:? Get to know the S32K148 T-BOX Reference Design Board (RDB)? S32K148 T-BOX RDB out-of-the-box setup? Creating a new S32DS project for the S32K1xx MCU? S32DS debugging basics? Create a P&E debug configuration
上傳時間： 2022-06-20
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1，使用wireshark獲取完整的UDP報(bào)文打開wireshark，設(shè)置監(jiān)聽網(wǎng)卡后，使用google chrome瀏覽器訪問我騰訊微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe rinfo.icon？ptlang-2052&pgv-ref-im.perinfo.perinfo.icon，抓得的UDP報(bào)文如圖1所示。分析以上的報(bào)文內(nèi)容，UDP作為一種面向無連接服務(wù)的運(yùn)輸協(xié)議，其報(bào)文格式相當(dāng)簡單。第一行中，Source port：64318是源端口號。第二行中，Destination port：53是目的端口號。第三行中，Length：34表示UDP報(bào)文段的長度為34字節(jié)。第四行中，Checksum之后的數(shù)表示檢驗(yàn)和。這里0x表示計(jì)算機(jī)中16進(jìn)制數(shù)的開始符，其后的4f0e表示16進(jìn)制表示的檢驗(yàn)和，把它們換成二進(jìn)制表示為：0100 1111 0000 1110.從wireshark的抓包數(shù)據(jù)看出，我抓到的UDP協(xié)議多數(shù)被應(yīng)用層的DNS協(xié)議應(yīng)用。當(dāng)一臺主機(jī)中的DNS應(yīng)用程序想要進(jìn)行一次查詢時，它構(gòu)成了一個DNS查詢報(bào)文并將其交給UDP，UDP無須執(zhí)行任何實(shí)體握手過程，主機(jī)端的UDP為此報(bào)文添加首部字段，并將其發(fā)出。
上傳時間： 2022-06-20
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0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實(shí)際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計(jì)或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計(jì)或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進(jìn)行散熱計(jì)算。散熱計(jì)算是通過計(jì)算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計(jì)算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進(jìn)行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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怎樣判斷IGBT MOS管的好壞？怎么檢測它的引腳？IGBT1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ 擋，用萬用表測量時， 若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大， 則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬用表測量， 若測得阻值為無窮大， 調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ 擋，用黑表筆接IGBT 的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發(fā)射極（ E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G）和集電極（C），這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（ G）和發(fā)射極（ E），這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。3、注意事項(xiàng)任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ 擋，因R×1KΩ 擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管（ P-MOSFET ）的好壞。現(xiàn)在經(jīng)常要檢測MOS 管了，轉(zhuǎn)幾篇MOS 管的檢測方法，以備隨時觀摩！用萬用表檢測MOS 開關(guān)管好壞的方法一、MOS 開關(guān)管針腳判斷：在電腦上， MOS 管都是N 溝道增強(qiáng)型的MOSFET 開關(guān)管， 大部分都采用TO－220F 封裝，其針腳判斷方法是：將針腳向下，印有型號的面向自己，左邊的是柵極，中間是漏極，右邊是源極。
上傳時間： 2022-06-22
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1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術(shù)、大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，永同步電機(jī)PMSMD）的應(yīng)用領(lǐng)城不擴(kuò)大。由于對電機(jī)控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關(guān)注。本文在分析永司步電機(jī)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，提出了一種PMSM控制系統(tǒng)建模的方法，在此仿真模型基礎(chǔ)上，可以十分便捷地實(shí)現(xiàn)和驗(yàn)證控制算法。因此，它為分析和設(shè)計(jì)PMSM控制系統(tǒng)提供了有效的手段，也為實(shí)際電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和調(diào)試提供了新的思路。2永磁同步電機(jī)的數(shù)學(xué)模型[]水磁同步電動機(jī)三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉(zhuǎn)子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統(tǒng)組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
標(biāo)簽： 矢量控制 永磁同步電動機(jī) matlab
上傳時間： 2022-06-22
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摘要：通過分析三相脈寬調(diào)制（PWM）整流器在dq旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型，設(shè)計(jì)了具有前饋解禍控制的PWM整流器雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。根據(jù)系統(tǒng)對電流內(nèi)環(huán)的控制要求設(shè)計(jì)電流比例積分（P）調(diào)節(jié)器，提出按閉環(huán)幅頻特性峰值（M.）最小準(zhǔn)則來確定調(diào)節(jié)器參數(shù)的方法；根據(jù)系統(tǒng)對電壓外環(huán)的控制要永，采用模最佳整定法來設(shè)計(jì)電壓PI調(diào)節(jié)器。最后對整個PWM整流器雙閉環(huán)控制系統(tǒng)進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果驗(yàn)證了PI調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)的正確性。關(guān)鍵詞：PWM整流器；雙閉環(huán)；P1調(diào)節(jié)器；電流環(huán)；電壓環(huán)
標(biāo)簽： 三相pwm整流器 pi調(diào)節(jié)器
上傳時間： 2022-06-22
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神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是指用大量的簡單計(jì)算單元構(gòu)成的非線性系統(tǒng)，它在一定程度上模仿了人腦神經(jīng)系統(tǒng)的信息處理、存儲和檢索功能，是對人腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的某種簡化、抽象和模擬。1943年心理學(xué)家McCulloch和數(shù)學(xué)家Pitts合作提出了神經(jīng)元的數(shù)學(xué)模型M-P神經(jīng)元模型，證明了單個神經(jīng)元能執(zhí)行邏輯功能，從此開創(chuàng)了神經(jīng)科學(xué)理論研究的時代。M-P模型，是按照生物神經(jīng)元的結(jié)構(gòu)和工作原理構(gòu)造出來的一個抽象和簡化了的神經(jīng)元模型。權(quán)重當(dāng)輸入進(jìn)入神經(jīng)元時，它會乘以一個權(quán)重。例如，如果一個神經(jīng)元有兩個輸入，則每個輸入都將具有分配給它的一個關(guān)聯(lián)權(quán)重。隨機(jī)初始化權(quán)重，并在模型訓(xùn)練過程中更新這些權(quán)重。偏置除了權(quán)重之外，另一個被應(yīng)用于輸入的線性分量被稱為偏置。它被加到權(quán)重與輸入相乘的結(jié)果中。添加偏置的目的是改變權(quán)重與輸入相乘所得結(jié)果的范圍。激活函數(shù)激活函數(shù)的主要作用是加入非線性因素，以解決線性模型表達(dá)能力不足的缺陷，在整個神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中至關(guān)重要。常用的激活函數(shù)有Sigmoid、Tanh、ReLU。
標(biāo)簽： 人工智能 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 深度學(xué)習(xí)
上傳時間： 2022-06-24
上傳用戶：得之我幸78
任何一個實(shí)際系統(tǒng)由于內(nèi)部和外部的各種原因，它的參數(shù)和外部干擾都有很大的不確定性，這將對系統(tǒng)性能造成嚴(yán)重的影響，為了降低這些不確定性因素引起的控制品質(zhì)嚴(yán)重下降，同時，保證系統(tǒng)的跟蹤性能和抗干擾性能不變，本文采用改進(jìn)的魯棒二自由度控制結(jié)構(gòu)一分?jǐn)?shù)階干擾觀測器，來消除摩擦、模型不確定性、測量噪聲等的干擾，提高系統(tǒng)的抗干擾性和魯林性。本文主要工作如下：（1）較為系統(tǒng)地介紹和分析了分?jǐn)?shù)階微積分的基本理論，對分?jǐn)?shù)階微積分的各種定義及其之間的轉(zhuǎn)換進(jìn)行了介紹。（2）介紹了二自由度控制結(jié)構(gòu)以及傳統(tǒng)整數(shù)階干擾觀測器的設(shè)計(jì)方法.（3）對分?jǐn)?shù)階Q濾，器的有理函數(shù)離散化、近似方法進(jìn)行了詳細(xì)的分析研究，給出不同方法下的仿真比較，研究表明采用改進(jìn)的AL-Alaoui+CFE法時近似效果最好；對基于Oustaloup算法的分?jǐn)?shù)階Q濾波器的有理函數(shù)近似方法下，濾波器近似階次的選擇進(jìn)行了詳細(xì)推導(dǎo)驗(yàn)證。（4）選取扭矩實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)這一典型的工業(yè)伺服系統(tǒng)為實(shí)驗(yàn)平臺，采用分?jǐn)?shù)階干擾觀測器結(jié)構(gòu)來驗(yàn)證其對振動和干擾的有效抑制作用。仿真結(jié)果表明，通過與傳統(tǒng)的P控制器相比，分?jǐn)?shù)階干擾觀測器更能滿足系統(tǒng)對快速性、普林穩(wěn)定性和抗干擾性能的要求。總結(jié)全文，本文的創(chuàng)新點(diǎn)為：（1）對分?jǐn)?shù)階Q濾波器的Oustaloup曲線擬合近似方法中濾波器近似階次的選擇進(jìn)行詳細(xì)分析驗(yàn)證，給出最為合適的近似階次.（2）以二慣性扭轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)為例，利用分?jǐn)?shù)階微積分理論知識設(shè)計(jì)出分?jǐn)?shù)階干擾觀測器，更好地解決了普捧穩(wěn)定性和干擾抑制能力的綜合問題.
標(biāo)簽： 分?jǐn)?shù)階微積分
上傳時間： 2022-06-25
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