使用整合的模組,定義在都普勒效應(yīng)下,應(yīng)用較小的數(shù)學(xué)模式,模擬出較佳的效應(yīng)
標(biāo)簽： 模 普勒 模式
上傳時(shí)間： 2014-01-10
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0.35umCMOS製成簡(jiǎn)介 內(nèi)容含LDD,熱載子,熱載子效應(yīng),Silicided ，Polycide，Salicide等介紹
標(biāo)簽： CMOS
上傳時(shí)間： 2017-03-27
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設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。 其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標(biāo)簽： 高速電路
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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講解電子電路入門基礎(chǔ)：電阻器、電容器、電感器與變壓器、二極管、三極管、光電器件、場(chǎng)效應(yīng)管、傳感器、基礎(chǔ)電子電路等提高篇也已上傳：http://dl.21ic.com/download/ic-306149.html 《電子工程師自學(xué)速成——入門篇》的內(nèi)容包括電子技術(shù)入門基礎(chǔ)、電子元器件（電 阻器、電容器、電感器、變壓器、二極管、三極管、光電器件、電聲器件、晶閘管、場(chǎng)效 應(yīng)管、IGBT、繼電器、干簧管、顯示器件、貼片元器件、集成電路和傳感器）、基礎(chǔ)電 子電路、收音機(jī)與電子產(chǎn)品的檢修、電子測(cè)量基礎(chǔ)、指針萬用表、數(shù)字萬用表、信號(hào)發(fā)生 器、毫伏表、示波器、頻率計(jì)和掃頻儀等。
標(biāo)簽： 電子電路 模擬電路
上傳時(shí)間： 2022-07-09
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三極管,MOS管 樣本
標(biāo)簽： MOS 三極管 樣本
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用
標(biāo)簽： IGBT SCR MOS GTR
上傳時(shí)間： 2013-06-13
上傳時(shí)間： 2013-06-08
專輯類----元器件樣本專輯 三極管,MOS管-樣本-150M.rar
標(biāo)簽： MOS 150 三極管
上傳時(shí)間： 2013-06-17
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晶閘管-可控硅專輯-14冊(cè)-131M 實(shí)用晶閘管電路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT應(yīng)用-481頁-11.3M.pdf
標(biāo)簽： SCR-MOS-GTR-IGBT 11.3 481
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專輯類-元器件樣本專輯-116冊(cè)-3.03G 三極管-MOS管-樣本-150M.zip
標(biāo)簽： MOS 150 zip 三極管
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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