mos運(yùn)算放大器——原理設(shè)計(jì)應(yīng)用，李聯(lián)，復(fù)旦大學(xué)，詳細(xì)論述了CMOS即成運(yùn)算放大器的工作原理和設(shè)計(jì)方法
標(biāo)簽： mos 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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在目前全球能源危機(jī)和溫室效應(yīng)越來(lái)越嚴(yán)重的情況下，電動(dòng)車(Electric Vehicle)以其無(wú)污染、低噪聲、效率高，便于操作等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越受到人們的青睞。本課題與華中科技大學(xué)辜承林教授聯(lián)合，為蘇州益高電動(dòng)車輛制造有限公司設(shè)計(jì)旅游車無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。課題結(jié)合現(xiàn)代CPU技術(shù)、數(shù)字技術(shù)和電力電子技術(shù)，設(shè)計(jì)了一款以無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)為動(dòng)力的大功率汽車輪轂驅(qū)動(dòng)控制器。 本課題采用辜老師設(shè)計(jì)的“橫向磁通無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)”為控制對(duì)象。本文首先分析了無(wú)刷直流電機(jī)的數(shù)學(xué)模型和無(wú)位置傳感器的反電勢(shì)過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)的基本原理，從整體上對(duì)控制系統(tǒng)的各個(gè)方面進(jìn)行了討論并確定了整體設(shè)計(jì)方案。在課題中，本人采用DSP 2407A作為控制核心，以功率MOS管為逆變器件，研制出系統(tǒng)硬件，用C語(yǔ)言編制了系統(tǒng)軟件。鑒于該課題在大電流等級(jí)的無(wú)刷直流電機(jī)應(yīng)用中，國(guó)內(nèi)外尚無(wú)先例，本項(xiàng)目在開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)中，對(duì)無(wú)位置傳感器無(wú)刷電機(jī)的起動(dòng)和反電勢(shì)過(guò)零檢測(cè)作了大量的研究工作，取得許多有益的科研實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)對(duì)電機(jī)的起動(dòng)過(guò)程和位置檢測(cè)方法進(jìn)行的一些有效改進(jìn)措施，使得電機(jī)達(dá)到較好的運(yùn)行性能和操控特性。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案有效可行，研制的無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)控制器達(dá)到設(shè)計(jì)的預(yù)期基本性能指標(biāo)。
標(biāo)簽： 無(wú)刷直流電機(jī) 電動(dòng)汽車 驅(qū)動(dòng)控制器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊(cè)叢書(shū),學(xué)習(xí)單片機(jī)的兄弟們能用的上了.
標(biāo)簽： 單片機(jī) 外圍器件 實(shí)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-05-18
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MOS運(yùn)算放大器的原理及設(shè)計(jì)書(shū)籍，PDG文件。
標(biāo)簽： MOS 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見(jiàn)問(wèn)題。 供參考。
標(biāo)簽： 可編程器件 應(yīng)用技巧
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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MOS集成運(yùn)算放大器的版圖設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)綜合實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)
標(biāo)簽： MOS 集成運(yùn)算放大器 版圖設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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GAL器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用.rar GAL器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用.rar
上傳時(shí)間： 2013-07-14
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本文提出了一種適合于嵌入式SoC的USB器件端處理器的硬件實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。并主要研究了USB器件端處理器的RTL級(jí)實(shí)現(xiàn)及FPGA原型驗(yàn)證、和ASIC實(shí)現(xiàn)研究，包括從模型建立、算法仿真、各個(gè)模塊的RTL級(jí)設(shè)計(jì)及仿真、FPGA的下載測(cè)試和ASIC的綜合分析。它的速度滿足預(yù)定的48MHz，等效門面積不超過(guò)1萬(wàn)門，完全可應(yīng)用于SOC設(shè)計(jì)中。 本文重點(diǎn)對(duì)嵌入式USB器件端處理器的FPGA實(shí)現(xiàn)作了研究。為了準(zhǔn)確測(cè)試本處理器的運(yùn)行情況，本文應(yīng)用串口傳遞測(cè)試數(shù)據(jù)入FPGA開(kāi)發(fā)板，測(cè)試模塊讀入測(cè)試數(shù)據(jù)，發(fā)送入PC機(jī)的主機(jī)端。通過(guò)NI-VISA充當(dāng)軟件端，檢驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的正確。
上傳時(shí)間： 2013-07-24
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MOS運(yùn)算放大器-原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用.MOS運(yùn)算放大器-原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用
標(biāo)簽： MOS 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-07-03
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