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上傳時間： 2017-03-22
上傳用戶：hwl453472107
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上傳時間： 2013-12-02
上傳用戶：hxy200501
有機發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現(xiàn)柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機構和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
CTP單層多點設計
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：banyou
簡單介紹了單層多點的實現(xiàn)
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：Bert520
1引言有要發(fā)光二極管（OLED）具有低驅(qū)動電壓、寬溫工作、主動發(fā)光、響應速度快和視角寬等優(yōu)點]，其作為全彩顯示器件，與LCD相比，具有更簡單的工藝和更低的成本。近年，單色和局域色的OLED顯示屏已有較多報道~1，并推出了全彩OLED顯示屏~9]。本文研制了尺寸為1.9、分辨率為128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前報道的同等或以下尺寸的采用無源矩陣（PM）驅(qū)動的全彩OLED屏中，該屏的分辨率處于較高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技術的實現(xiàn)圖1是5種實現(xiàn)全彩OLED顯示屏技術的示意圖。本文采用（a）所示的平面結構式，每個全彩像素包括紅、綠和藍3個子像素，利用空間混色實現(xiàn)彩色。這種技術的難點是在制作全彩OLED時，需要將紅、綠和藍OLED的發(fā)光層（EML）材料分隔開01。屏的最高分辨率不僅受限于機械掩模制作的公差，還受限于在器件制作工藝過程中機械掩模與ITO基板玻璃的對準誤差。2.2P-OLED屏的驅(qū)動技術OLFD屬于電流型器件，其發(fā)光亮度與驅(qū)動電流成正比，故OLED均采用恒流源驅(qū)動。由于OLED自身較高的寄生電容（20~30pF/pixel）和ITO電極引線的電阻（幾～幾109/口形成的電壓降，對恒流源的性能提出了較高的要求，例如可提供高達~30V的電壓。為了實現(xiàn)多灰度顯示，電流必須可程控。lare公司為了精確控制每個OLED子像素的發(fā)光亮度，提出了預充電方案]。根據(jù)有無開關和驅(qū)動薄膜晶體管的存在，可將矩陣式OLED的驅(qū)動可分為P10l和有源矩陣AM112種。PM驅(qū)動的顯示器件由于制作工藝比AM要簡單得多，且成本低廉，故在小尺寸的顯示器件上得到了廣泛應用。PM驅(qū)動電路如圖2所示。
標簽： oled
上傳時間： 2022-06-24
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該點陣的屏顯成本相對較低，適用于各類儀器，小型設備的顯示領域。液晶模組使用注意事項1 當您在你的產(chǎn)品設計中使用本液晶模組，注意液晶的視角與你的產(chǎn)品用途相一致。2 液晶屏是玻璃為基礎的，跌落或與硬物撞擊會引起液晶屏破裂或粉碎。尤其是邊角處。3 盡管在液晶表面的偏振片有抑制反光的表層，應當小心不要劃傷表面，一般推薦在液晶表面采用透明塑膠材料的保護屏。4 如果液晶模組儲藏在低于規(guī)定的溫度以下，液晶材料會凝結而性能惡化。如果液晶模組儲藏在高于規(guī)定的溫度以上，液晶材料的分子排列方向會轉變?yōu)橐簯B(tài)，可能無法恢復到原來的狀態(tài)。超出溫度和濕度范圍，會引起偏振片剝落或起泡。因此，液晶模組應儲藏在規(guī)定的溫度范圍。5 如液晶表面遇口水或滴水，應立即擦除，避免長時間過后引起色彩變化或留下污點。水蒸氣會引起ITO電極腐蝕。6 如果需要清潔液晶屏表面，應該用棉或軟布輕快地擦拭，仍不能清除時，呵氣之后再擦拭。7 液晶模組的驅(qū)動應遵照規(guī)定的額定指標，避免故障及永久損壞。對液晶材料施加直流電壓，會引起液晶材料迅速惡化，應該確保提供交流波形的M信號的連續(xù)應用。特別是，在電源開關時應遵照供電順序，避免驅(qū)動鎖存及直流直接加至液晶屏。
標簽： 液晶模組
上傳時間： 2022-07-18
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